负极添加NMP对电池性能的影响

锂离子电池负极浆料中添加N-甲基吡咯烷酮(NMP),在极片加热干燥时不能完全除去.残留的NMP吸附在石墨表面,使得SEI膜与石墨结合不牢固.研究了其对电池性能的影响,结果显示,在电池的循环过程中,SEI膜逐渐脱落,导致电池循环寿命缩短,但对电池的容量、内阻、倍率、存储等初期性能不影响.     

有机二氟化硼配合物的合成及压致变色性能表征

以阿伏苯宗和三氟化硼为原料,经过一步反应,合成阿伏苯宗二氟化硼(BF2AVB),产物的结构经1HNMR谱确证.基于荧光光谱与X射线粉末衍射测试,对BF2AVB的压致发光性能和机理进行研究.本实验原料易得,反应条件温和,实验操作简单,反应收率高.BF2AVB的压致变色现象明显,通过探讨压致变色机理,加深同学对压致变色材料的了解.同时,该实验可以拓展学科知识,激发学生的专业热情和科研兴趣.     

问答与讨论信箱

214174无锡惠山经济开发区北惠路55号无锡一汽铸造有限公司现代铸铁编辑部王峰(收)寄自:xxxxxx本信箱由北京亿通正龙工贸有限公司独家赞助。借由本刊铸铁生产专家团队,热诚欢迎读者就生产中遇到的技术问题进行提问,并希望提问能尽量全面叙述生产条件、出现情况以及需要解决的问题,以使答复有针对性,并真正对提问者有所助益。另外,除邮     

石墨烯与金属盐及金属氧化物复合的研究现状

在电化学方面,石墨烯被公认为最具有研究前景的锂电电极材料之一。但是由于制造工艺等因素的影响,石墨烯还无法直接用于锂电池的工业化生产。相比之下,石墨烯与金属盐及金属氧化物复合作为锂电电极材料,人们研究得更加全面而且更加容易实现工业化。介绍了几种石墨烯与金属盐及金属氧化物复合的方法,原理简单,效果显著,在生产和研究方面都有着广阔的应用前景。     

全自动石墨消解仪测定土壤中Cr、Cu、Pb、Ni、Zn、Hg和As

全自动石墨消解仪可实现消解过程全自动程序化控制,减少人为误差,无须人员值守,处理批量大,一次消解可同时检测多种金属元素,采用全自动石墨消解仪对土壤标准样品GSS-1进行消解,并使用原子吸收仪和原子荧光光度计测定其Cr、Cu、Pb、Ni、Zn、Hg和As含量,重复测定5次的检测结果和平均值都在标准值的允差范围内,且相对标准偏差RSD均小于10%,其中Ni元素的RSD值最高,为5.7%,由此说明,使用全自动石墨消解仪消解土壤标准样品具有较好的准确度和精密度。     

石墨烯基防静电聚酯薄膜的制备

利用在线涂布(In-line coating)技术制备石墨烯基防静电聚酯薄膜,防静电剂选择水性石墨烯基分散液,涂布粘合剂选自聚酯、聚氨酯中一种或两种,交联剂选自三聚氰胺、氮丙啶、噁唑啉中一种或两种,粒子选择二氧化硅水分散乳液,表面润湿剂选择非离子型表面润湿剂,制备出具有高透明性、良好收卷性、易粘结性、防静电性能优异的光学聚酯薄膜。     

氮化硅/石墨激光合金化涂层的组织结构与性能研究

为获得金属表面特别是高副接触金属表面含自润滑特性且具有高硬度耐磨特性的功能材料 ,研究了 45 # 钢表面激光合金化氮化硅 /石墨复合涂层的工艺方法、组织特征、界面形态及其形成机制 ,利用光学显微镜、扫描电镜和X射线能谱对所形成合金化层的元素分布和含量进行了分析 ,并对试样硬度进行了测定。结果表明 ,合金化层中元素Fe ,Co ,Si,C分布均匀 ;C含量达到了 15 6 9%,大部分以石墨的形式存在 ,具有一定的自润滑性能 ;但在形成合金化层的温度条件下 ,氮化硅分解严重 ;合金化层硬度提高的主要原因是Si Fe ,Co Fe固溶体的强化作用及高碳马氏体的生成和高硬度碳化物的存在。     

石墨巨头西格里碳素集团高调亮相上海半导体展

全球石墨巨头德国西格里碳素集团特种石墨业务部在3月21号开幕的国际半导体设备与材料协会（SEMICON CHINA 2006）上宣布，西格里碳素特种石墨业务部正大力进军亚洲电子半导体应用材料市场，中国即将成为西格里特种石墨全球战略发展的主战场之一。     

石墨炉原子吸收光谱(GFAAS)法测定石英玻璃中硼的研究

试样经氢氟酸分解，通过加入化学改进剂和多次注射浓缩样品及低温、长时间灰化的方法，在硝酸介质中用石墨炉原子吸收光谱法(GFAAS)测定石英玻璃中硼的含量。该方法解决了GFAAS法分析石英玻璃中硼灵敏度低和准确度低的问题。     

流量比对等离子体基团分布和薄膜结构的影响

使用光强标定的发射光谱(AOES)测量了CHF3／C6H6混合气体的微波电子回旋共振(ECR)放电等离子体中基团的分布状态。实验发现随着CHF3流量的增加，成膜基团CF、CF2、CH等的相对密度增大，而刻蚀基团F的密度也会增加，从而使得a—C：F薄膜的沉积速率降低。同时红外吸收谱(IR)分析表明，在高CHF3流量下沉积的a—C：F薄膜中含有更高的C—F键成分。可见在a—C：F薄膜的制备中CHF3／(CHF3 C6H6)流量比是重要的控制参量。