掺Nd纳米ZnO薄膜特性研究

研究了用真空蒸发法在玻璃衬底上制备稀土掺杂纳米ZnO薄膜结构、导电性及光透射性能。结果显示 ,在 5 0 0℃氧化、热处理稀土元素Nd掺杂后能够明显改善纳米ZnO薄膜的结构特性 ,薄膜的晶粒尺寸随掺杂含量的增加而减小。掺Nd使ZnO薄膜的电性能有所改善但使纳米ZnO薄膜的光透射性有所降低。     

盐酸蒸气处理对酞菁氧钛薄膜的影响

用HCl蒸气对真空蒸发沉积的酞菁氧钛薄膜进行了处理，并用UV-Vis吸收谱、X射线光电子能谱（XPS）和X射线衍射（XRD）进行了分析，吸收谱结果表明HCl与酞菁氧钛蒸气作用后产生一个新的吸收峰，峰值位于820nm附近，此峰的出现使得酞菁氧钛光吸收带（Q带）加宽进入红外波段，光电子谱分析表明酞菁氧钛薄膜的成分发生了变化，其中Cl和O的含量随HCl蒸气处理的时间的增加而增加，而N和Ti的含量随HCl蒸气处理时间的增加而减小，说明HCl蒸气可与真空蒸发沉积的酞菁氧钛薄膜发生作用。XRD测试结果表明，经HCl蒸气处理后的酞菁氧钛薄膜的衍射谱中出现了若干新的衍射峰，表明酞菁氧钛分子的排列结构也发生了变化。     

纳米ZnO薄膜制备及液态源掺杂

用真空蒸发法在玻璃和单晶硅片 (10 0 )上制备Zn薄膜 ,然后对Zn薄膜进行氧化、热处理获得纳米ZnO薄膜。对在硅片上制备的Zn薄膜一次性进行高温掺杂、氧化获得纳米ZnO∶P和ZnO∶B薄膜。研究不同氧化、掺杂温度和时间对薄膜结构、电学性能的影响。结果表明 :氧化温度和时间对ZnO薄膜结构影响较大 ,液态源掺P可明显改善纳米ZnO薄膜的导电性能、结构特性和化学组分     

真空蒸发沉积18烷基取代螺吡喃薄膜的光致变色及光电子谱研究

利用真空蒸发的方法在玻璃载片上沉积了18烷基取代螺吡喃薄膜，并利用光吸收谱和光电子谱研究薄膜的光致变色特性及变色前后分子结构的变化情况。实验结果发现，真空蒸发沉积的18烷基取代螺吡喃薄膜具有良好的光致变色性能，在紫外光的照射下可以发生明显的光致变色反映。光电子谱分析：经紫外线照射后，N1s、O1s光电子峰发生明显的变化 ，说明经紫外线照射后分子结构发生了变化，导致分子内部电荷的重新分布。另外紫外线照射后氧含量增加，这是因为紫外线照射后薄膜表面对水汽的吸附能力增加所致。     

单效真空蒸发机的节能

<正> 在明胶生产中淡胶蒸浓是消耗蒸汽或能源最多的工序,尤其在大多数中小型工厂中,应用的都是单效的真空蒸发机,可能本厂锅炉发生的蒸汽有一半是消耗在蒸发机中的。所以明胶厂节能首先要抓蒸发机的节能。化学工程的教科书都讲到单效蒸发机每蒸发1公斤水需消耗蒸汽1.1公斤,实际按我厂过去在节煤工作中测定,由于锅炉发生的是低压饱和蒸汽,汽中带有冷凝水,加上蒸汽管道距离的长短、保温的好坏,和跑冒滴漏等因素,蒸发时消耗蒸汽有时上升到1.26公斤。兹按少化钱、多办事的原则,提出几种使单效真空蒸发机单消下降的办法。     

用于液晶光阀的CdS-CdSe光电导薄膜

为得到高灵敏度的光传感器,研究了真空蒸发的CdS和CdSe双层光电导薄膜掺杂Cu和Cl对光电性质的影响.研究发现,适当选择Cu和Cl的掺杂比,可以使光电导薄膜的暗电导显著减少而光电导显著增加.这种掺杂光电导薄膜的响应时间约为5～10 ms,而对非掺杂薄膜的响应时间大于100ms.这种光电导薄膜已被成功地应用于大屏幕显示和光信息处理的可见光液晶光阀,并制成了红外液晶光阀,以用于可见光-红外光动态图像转换系统.     

Sb掺杂ZnTe薄膜结构及其光电性能

采用真空蒸发工艺在玻璃衬底上制备了ZnTe和掺Sb-ZnTe多晶薄膜,并在氮气气氛中对薄膜进行热处理.分别利用XRD、SEM、紫外-可见分光光度计、霍尔效应测试仪对薄膜的晶体结构、表面形貌、元素组成以及光学、电学性能进行表征,研究Sb掺杂量和热处理对薄膜性能的影响.结果表明:未掺杂薄膜为沿(111)晶面择优生长的立方相闪锌矿结构,导电类型为P型.Sb掺杂并未改变ZnTe薄膜晶体结构和导电类型,但衍射峰强度降低;Sb含量直接影响着Sb在ZnTe中的存在形式,掺Sb后抑制了薄膜中Te和Zn的结合,使薄膜中Te的含量增加;室温下薄膜的光学透过率和光学带隙取决于掺Sb浓度和退火温度,并且掺Sb后ZnTe薄膜的载流子浓度显著增加,导电能力明显增强.     

锡基氧化物薄膜的制备与电化学性能

制备了SnOx（1≤x≤2）薄膜,研究了氧化温度对薄膜形貌、结构及性质的影响．结果表明,SnOz薄膜表面光滑．厚度均匀且致密,由纳米尺寸、分布均匀的晶形颗粒组成,颗粒粒径随着氧化温度的升高而逐渐变大;SnOx薄膜电极初始可逆容量随着氧化温度的升高而降低,首次容量损失则随氧化温度的升高而增大．在温度为600℃氧化2h,SnOx薄膜的可再充放电性能最好．     

稀土Dy掺杂ZnTe薄膜光学性能及其XPS研究

本文采用真空蒸发法,在玻璃衬底上制备了稀土元素Dy掺杂的ZnTe薄膜。利用X射线衍射仪、原子力显微镜、紫外-可见分光光度计、XPS对薄膜的物相结构、表面形貌、光学特性、元素成分等进行了测试。XRD测试结果表明,薄膜的结构均为立方晶系闪锌矿结构,择优取向为(111)晶面,Dy掺杂会使(111)峰强减弱;透射光谱表明Dy掺杂会使薄膜的光学带隙减小;XPS分析表明,薄膜的主要成分为ZnTe,掺杂后Zn和Te的特征峰均向高能端发生移动。。