(S)-6-乙烯基-2,2'-二甲氧基-1,1'-联萘的合成

以S-1,1'-联二苯酚为起始原料,通过多步反应合成了标题化合物。该联萘酚通过羟基保护、傅克酰基化、羰基的还原和卤代烃的消除反应制备得到目标产物。对实验条件进行了适当改进,找到了较好的合成条件,并用1HNMR和13CNMR对各步产物进行了表征。     

钡盐法处理六价铬电镀废水及最优工艺参数研究

使用钡盐法对铬废水处理,对p H值在废水中的初值、反映温度计量结果、重铬酸钾的浓度等,在回收六价铬的影响效果进行了分析。对废水中的六价铬使用了源自吸收的分光光度法回收。经过处理后,废水中的p H为8~9的时候,六价铬的回收在9%。废水中的六价铬随着其浓度不断上升增加。超过10℃的时候,六价铬的反应没有非常大的影响,但是当温度降低到10℃以下的时候,回收率就逐步下降了。经过处理之后,六价铬的浓度达到了0.276 7 mg/L,达到了相关规定的标准。     

对 GB／T 5750.5-2006中热法铬酸钡测水中硫酸根检测过程解释

通过对GB／T 5750.5—2006中热法铬酸钡测水中硫酸根的试剂配制、检测过程、原理进行要点补充说明，提高了检测结果的精密度和准确度。整个实验过程中溶液的pH 为控制的关键点，其次是各干扰离子的去除。     

RF磁控溅射制备钛酸锶钡BST纳米薄膜

钛酸锶钡(BST)薄膜作为一种高K介质材料在微电子和微机电系统等领域具有广阔的应用前景,人们已对BST薄膜的制备工艺技术和介电性能进行了大量的研究。BST纳米薄膜的制备工艺直接影响和决定着薄膜的介电性能(介电常数、漏电流密度、介电强度等)。对RF磁控反应溅射制备BST纳米薄膜的工艺技术进行了综述。从溅射靶的制备、溅射工艺参数的优化、热处理、薄膜组分的控制,及制备工艺对介电性能的影响等方面,对现有研究成果进行了较全面的总结。     

四节标准NiMH电池充电器

Dallas Semiconductor推出DS2714标准NiMH电池充电器。可以检测并防止对碱性原电池、锂原电池和已损坏的NiMH或NiCd电池充电。DS2714设计为使用稳压的充电电源，可以为1至4节NiMH或NiCd电池充电，包括大多数消费电子中常用的AA或AAA尺寸。