全文获取类型
收费全文 | 1488篇 |
免费 | 89篇 |
国内免费 | 363篇 |
专业分类
电工技术 | 68篇 |
综合类 | 122篇 |
化学工业 | 155篇 |
金属工艺 | 46篇 |
机械仪表 | 69篇 |
建筑科学 | 18篇 |
矿业工程 | 16篇 |
能源动力 | 70篇 |
轻工业 | 24篇 |
水利工程 | 21篇 |
石油天然气 | 19篇 |
武器工业 | 15篇 |
无线电 | 951篇 |
一般工业技术 | 255篇 |
冶金工业 | 31篇 |
原子能技术 | 33篇 |
自动化技术 | 27篇 |
出版年
2024年 | 9篇 |
2023年 | 68篇 |
2022年 | 55篇 |
2021年 | 57篇 |
2020年 | 43篇 |
2019年 | 45篇 |
2018年 | 29篇 |
2017年 | 31篇 |
2016年 | 32篇 |
2015年 | 47篇 |
2014年 | 89篇 |
2013年 | 62篇 |
2012年 | 74篇 |
2011年 | 71篇 |
2010年 | 73篇 |
2009年 | 76篇 |
2008年 | 115篇 |
2007年 | 105篇 |
2006年 | 106篇 |
2005年 | 101篇 |
2004年 | 78篇 |
2003年 | 68篇 |
2002年 | 76篇 |
2001年 | 66篇 |
2000年 | 33篇 |
1999年 | 38篇 |
1998年 | 38篇 |
1997年 | 28篇 |
1996年 | 28篇 |
1995年 | 29篇 |
1994年 | 31篇 |
1993年 | 42篇 |
1992年 | 17篇 |
1991年 | 20篇 |
1990年 | 18篇 |
1989年 | 23篇 |
1988年 | 5篇 |
1987年 | 4篇 |
1986年 | 4篇 |
1985年 | 4篇 |
1984年 | 1篇 |
1981年 | 1篇 |
排序方式: 共有1940条查询结果,搜索用时 0 毫秒
1.
应用二维器件仿真程序 PISCES- ,对槽栅结构和平面结构器件的特性进行了模拟比较 ,讨论了槽栅结构 MOSFET的沟道电场特征及其对热载流子效应的影响。槽栅结构对抑制短沟道效应和抗热载流子效应是十分有利的 ,而此种结构对热载流子的敏感 ,使器件的亚阈值特性、输出特性变化较大 相似文献
2.
3.
半导体红外反射率的调制 总被引:2,自引:0,他引:2
重掺杂半导体的以射率在最小反射率附近随入射波长的改变有较大的变化,而半导体材料的最小反射率波长λmin决定于自由载流子浓度,故掺杂引起的热平衡载流子浓度的变化和光注入、p-n结注入引起的过剩载流子浓度的变化都会导致半导体红外反射率谱的改变,这种变化在最小反射率波长附近非常大。当过剩载流子浓度达到热平衡载流子浓度的0.2倍时,半导体对波长为λmin的红外光的反射率从3%变化到45%,利用这种变化可以 相似文献
4.
获得了一种研究碲镉汞深能级的方法。通过分析迁移率 载子浓度与温度的关系,可以得到关于深能级的重要依据。 相似文献
5.
6.
本文围绕基因枪技术中用高速微粒向植物细胞中导入外源基因的速度条件,分析了其中的三个动力学过程:发射宏弹、加速微弹、侵入细胞.提出了气动撞击发射式基因枪中弹簧刚度应满足的条件;得到了一种用理论分析与试验测试相结合确定微弹出射速度的方法;找到了微弹侵入植物细胞的最小速度条件。从而为基因枪的设计提供了理论依据。 相似文献
7.
利用变温Hall测量研究了重掺杂InGaAs/InAlAs单量子阱中二维电子气,发现在量子阱中由于存在电子对称态和反对称态导致纵向电阻出现拍频现象。通过分析拍频节点位置,得到电子对称态和反对称态之间的能级间距为4meV。此外,通过迁移率谱方法和多载流子拟合过程研究了不同迁移率电子的浓度和迁移率随温度的变化关系。 相似文献
8.
立方相GaN的持续光电导 总被引:1,自引:1,他引:0
研究了金属有机物化学气相外延 (MOVPE)方法生长的非故意掺杂的立方相 Ga N的持续光电导效应 .在六方相 Ga N中普遍认为持续光电导效应与黄光发射有关 ,而实验则显示在立方 Ga N中 ,持续光电导效应与其中的六方相 Ga N夹杂有关系 ,而与黄光发射没有关系 .文中提出 ,立方相 Ga N与其中的六方相 Ga N夹杂之间的势垒引起的空间载流子分离是导致持续光电导现象的物理原因 .通过建立势垒限制复合模型 ,解释了立方相 Ga N的持续光电导现象的物理过程 ,并对光电导衰减过程的动力学作了分析 .对实验数据拟合的结果证明以上的模型和推导是与实验相符的 . 相似文献
9.