高温对煤炭地下气化围岩损伤的影响

煤炭地下气化是煤炭无害化开采技术创新战略方向之一，该技术可以回收老矿井废弃煤炭资源，对传统采煤技术难以开采的煤炭资源进行原位清洁转化。气化过程中燃空区形成带来的结构应力和高温造成的热应力共同作用对岩石造成损伤。以大城勘查区深部煤层为气化对象，得出典型围岩热物性及力学参数随温度变化规律。基于连续损伤力学理论，在平滑Rankine损伤模型的基础上提出高温岩石损伤变量模型，使用COMSOL Multiphysics多物理场耦合软件对深部煤层地下气化过程围岩温度、主应力、损伤变量进行模拟研究。结果表明，5种典型岩石的比热容随温度升高整体呈上升趋势，导热系数随温度升高整体呈下降趋势，抗压强度和弹性模量随温度变化规律差别较大。围岩受温度影响范围随气化时间呈指数变化，气化10 d时，温度影响范围仅为3.27 m;气化50 d时，温度影响范围达到5.73 m;气化100 d时，温度影响范围为8.21 m;气化400 d时，温度影响范围达到18.20 m。结合地下气化过程中普遍采用的控制注气点后退气化法，岩石处于高温区的时间在40 d左右，温度场对围岩的影响范围约为4.7 m。燃空区上方及两端均出现损伤...     

PDMS基片表面的光刻胶图形化工艺研究

在聚二甲基硅氧烷(PDMS)微纳米器件的制造过程中,经常需要在PDMS基片表面进行光刻胶的图形化。建立了一种PDMS基片表面的光刻胶图形化工艺。通过对PDMS基片表面进行氧等离子体改性处理,提高了PDMS的表面润湿性,使得光刻胶可以均匀地旋涂在PDMS基片表面;提出利用室温下长时间静置代替常规的光刻胶前烘工艺,有效避免了光刻胶在前烘过程中裂纹的产生。最后,作为工艺验证,在PDMS基片表面成功制作出了复杂的光刻胶微阵列图案。     

晋城无烟煤对干粉煤气流床气化技术的适应性研究

为了研究晋城无烟煤对干粉煤气流床气化技术的适应性,结合粉煤加压气化技术对原料煤的要求,分别从晋城无烟煤水分、挥发分、灰分、硫分、发热量、化学活性、灰熔融性、灰渣的粘温特性等方面进行比对析,结果认为晋城无烟煤可以适应干粉煤气流床气化技术;但要控制其灰质量分数在(18±2)%,硫分小于3%,并添加2%~3%的石灰石,或掺配一定比例的低灰熔点煤。     

电感耦合等离子体原子发射光谱法测定高铋铅中铜、铁、镍、镉、砷、锑、铋

采用硝酸-酒石酸溶解高铋铅样品,保持10%硝酸介质浓度,对不同浓度范围的元素进行分液,实现了电感耦合等离子体原子发射光谱仪对高铋铅中铜、铁、镍、镉、砷、锑、铋7种元素的同时测定。通过试验,比较了不过滤直接测定以及过滤-滤渣补正两种方式,滤渣中待测元素含量极低,选择不过滤直接测定的方法。进行了干扰元素试验,并界定了最大干扰量。7种元素在一定的质量浓度范围内与其发射强度呈线性关系,测定值的相对标准偏差(n=7)在0.56%~9.78%之间。     

ICP-MS测定食品原料中微量硒

建立基于同位素77Se、乙醇基体改进电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS)直接测定食品原料中微量硒的方法。实验以2%(V/V)乙醇作为基体改进剂,采用Y元素作内标补偿基体效应,选择同位素77Se测定样品中的硒,方法检出限为0.87 ng/g,精密度(RSD,n=6)5%,回收率为98.1%~106.0%。该方法具有简便、快速、灵敏、准确、消耗小等优点,可为食品原料中微量硒的测定提供参考。     

介质阻挡放电低温等离子体技术降解废水中污染物研究现状及进展

介质阻挡放电(DBD)因其产生的低温等离子体能量密度高且能量体积大,可在温和的反应条件下无选择性地降解废水中大分子污染物,且反应高效、彻底,而被广泛应用于印染、制药、化工、农业等行业废水中难降解物质的实验室研究中。综述了DBD特性以及低温等离子体技术处理废水中污染物的作用过程和机理,总结和分析了影响污染物降解效果的关键因素,提出了尚未解决的技术难点和未来发展方向,以期为此技术的深度优化起到借鉴指导作用。     

《燃气输配工程学》书讯(4)

《燃气输配工程学》由严铭卿、宓亢琪等撰写,致力于提高燃气专业的科学水平,以重构燃气专业学科体系。为高校本科生提供一本可用于充实提高的教材,为研究生提供一本新学习阶段的基础教程,为科研设计人员提供一本更新知识、夯实基础、扩展视野的有益参考的著作。《燃气输配工程学》10~14章内容提要:第10章,首先讲述LNG的液化工艺原理,介绍了关于LNG液化工艺的完整知识(净化、液化流程)。特别总结了LNG液化热力学过程的工艺要     

水提法提取—电感耦合等离子体质谱法测定婴幼儿配方奶粉中的碘

用水提取婴幼儿奶粉中的碘,亚铁氰化钾和乙酸锌盐析法沉淀蛋白,过滤后可以得到澄清处理液。用电感耦合等离子体质谱对提取样液进行测定,130Te作为内标物进行定量分析。该方法简便快捷,检出限为0.10 mg/kg加标回收率为90.8%~109%,相关系数0.999,精密度试验RSD2%。     

对大气压低温等离子体刻蚀聚合物薄膜的工艺研究

研究了使用两种大气压等离子体射流(APPJ)刻蚀Parylene-C薄膜所产生刻蚀区域的形貌和成分之间的差异。两种APPJ分别由单环电极装置和双环电极装置产生。由单环电极APPJ刻蚀的Parylene-C表面是非均匀的,从刻蚀区域的中心到边缘可分为三部分:区域(I)是中心区域,此处Si衬底严重受损;区域(II)是有效的刻蚀区域;区域(III)是刻蚀边界。与单环电极APPJ相比,双环电极APPJ刻蚀的Parylene的形貌要好得多。特别是在区域(I)中,Si片受到轻微损坏。X射线光电子能谱分析(XPS)结果表明:单环电极APPJ刻蚀区域的O元素原子含量多于双环电极。此外,还研究了两种APPJ的刻蚀速率,相比于双环电极APPJ,单环电极APPJ具有较高的刻蚀速率。