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1.
采用直流磁控溅射和后退火氧化工艺在p型GaAs单晶衬底上成功制备了n-VO_2/pGaAs异质结,研究了不同退火温度和退火时间对VO_2/GaAs异质结性能的影响,并分析其结晶取向、化学组分、膜层质量以及光电特性。结果表明,在退火时间2 h和退火温度693 K下能得到相变性能最佳的VO_2薄膜,相变前后电阻变化约2个数量级。VO_2/GaAs异质结在308 K、318 K和328 K温度下具有较好的整流特性,对应温度下的阈值跳变电压分别为6.9 V、6.6 V和6.2 V,该结果为基于VO_2相变特性的异质结光电器件的设计与应用提供了可行性。 相似文献
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回顾了异质结光晶体管(HPT)在近年来的重要进展,综合分析了HPT的工作原理以及影响其性能的主要参数。综述了不同材料制作的HPT的研究现状,得出了目前限制HPT发展的主要因素及当前应重点解决由于基区表面复合等效应导致的增益下降和由于结电容的充放电限制的响应带宽等问题的结论。 相似文献
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蜡晶形态结构对原油降凝的影响 总被引:3,自引:0,他引:3
采用偏光显微镜观察了不同条件下蜡晶的形态变化,对蜡结晶过程中的结构、分布状态和生长规律进行了深入的研究,采用气相色谱分析了用52#、62#、80#蜡配制的模拟油中蜡的碳数分布,考察了凝点与蜡含量之间的变化规律,以及沥青质、胶质和大分子降凝剂(PPD)对模拟油降凝、降粘的影响,为改善原油流动性提供理论依据。实验结果表明,蜡晶的微观形态结构、蜡在油中的溶解性能以及降凝剂的降凝作用与模拟油中蜡的碳数分布密切相关,只有当降凝剂分子结构与油中蜡的结构匹配时,才能达到理想的降凝效果。通过实验确定了模拟油降凝时的临界蜡含量为40%(质量分数),大于该临界值后,凝点随着蜡含量的变化幅度将大大降低。 相似文献