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通过液相合成方法提纯Nd:GdVO4多晶料,降低生长过程中存在的原料非一致性挥发,以及使用特殊晶体生长温控技术和消除晶体“后天性光散射”,Czochralski方法成功生长系列不同钕掺杂浓度的Nd:GdVO4单晶。采用不同透过率的Cr”:YAG晶体对Nd:CdVO4晶体进行激光调Q实验。实验结果显示,Cr^4 :YAG Nd:GdVO4激光器可以得到稳定高平均功率调制激光输出。实验得到的最小脉冲宽度只有6ns,对应峰值能量为26.4kW。对不同浓度掺杂对晶体调制激光性能也进行了比较,发现掺钕浓度越高,激光脉冲能量和峰值功率越大。对该晶体的GaAs调Q激光输出性能也进行了介绍,4.8W泵浦光下,最大GaAs调制激光输出为0.63W。 相似文献
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美国宇航局格林研究中心开发出一种涡轮发动机叶片用低密度单晶合金,具有良好抗蠕变特性。其目标是开发出一种密度比PWA1484合金低3%~6%,而抗蠕变强度要超过ReneN5合金的新品种。 相似文献
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研究了电子束、离子束作用于Al2O3表面时成分的变化,表明无论电子束或离子束都能使Al2O3发生分解,产生导电的元素Al。实验在PHI610·SAM上进行,电子束轰击下(3keV,O.5μA,入射角60°)10s就有元素Al分解出来,2min以后就达到饱和,分解析出量随时间成a(1-e-bt)的关系。离子束轰击下同样发生元素Al的分解,但当Ei>3keV时,由于剥离速率加大,溅射5min时表面Al峰反而比1min时要弱。这时表面Al含量处于分解析出与溅射剥离的动态平衡中。实验还发现了Al2O3的解析与表面成分有关(如碳的含量)。最后讨论电子束与离子束的解析机理。 相似文献