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1.
《金川科技》2007,(3):9-9
2006年,镍产量已经从131万t增长到了136万t,但是由于亚洲地区的大量需求,今年的销售量计划将增加10000t,到137万t。住友金属矿产表示:“中国需求的冲击将会驱使亚洲地区的消费量的增长。”住友金属矿产官方对MB说:“中国对金属镍的需求与过去几年相比已经增长了20%,并且我们预计,在2007年将会继续维持这个数据。”[第一段]  相似文献   
2.
正泡沫镍作为一种金属多孔体材料,其最大特点是孔隙率高达98%,且具有三维网状结构,突破了以往各种金属多孔材料存在孔率与孔径相关的上限,再加上金属镍本身的一些特殊性能,其适用领域相当广泛。在电池行业中,镍镉电池、镍氢电池、可充碱锰电池一致趋向于用泡沫镍来做正负极板以提高其容量,这是电池行业的一个突破;电解水、电解盐工业可利用泡沫镍的高比表面积,用它作为极板等。泡沫镍在生产过程中可能由于原料、生产工艺等原因带人铜、钴等杂质元素,如果这些杂质元素含量过高会影响泡沫  相似文献   
3.
北京工业大学材料学院采用化学镀的方法在碳纤维表面镀覆了一层金属镍,将镀镍后的碳纤维与羰基铁粉混合制备吸波涂层。并对吸波涂层吸波性能进行测试。实验所用碳纤维是低温处理的聚丙烯腈基短切碳纤维,含碳量大于96%,平均直径为7μm,截面形状为近似圆形。长度为3mm,密度为1.74g/cm^3。短切碳纤维的所用羰基铁粉粉体Fe的含量≥97%,其平均粒度为4.5μm,粒径范围为1.5~7.0μm,分布不均匀,有效磁导率(μ)≥2.85。  相似文献   
4.
研究了过渡族金属镍在快速热处理作用下对直拉单晶硅中洁净区形成的影响.实验结果发现:硅中魔幻洁净区(MDZ)形成后,氧沉淀及其诱生缺陷能有效地吸杂金属镍;而沾污金属镍的硅中,随后的快速热处理工艺不能形成MDZ,硅片近表面出现大量沉淀.采用传统的内吸杂工艺,镍沾污的次序对洁净区的形成没有影响.实验表明由于硅片表面形成的镍硅化合物的晶格常数比硅小,所以在硅片近表面产生高浓度的空位,导致近表面的氧依然能够在MDZ工艺中形成沉淀.  相似文献   
5.
红土型镍矿项目的经济性探讨   总被引:11,自引:0,他引:11  
目前,由于世界经济的复苏及不锈钢行业的巨大需求,全球对金属镍的需求不断增加,进而导致镍的价格持续上涨。2005年5月,LME的镍价格创出16年来的最高记录,达到了17910美元/t。镍的生产投资也随之异常活跃。在这种情况下,如何把握好开发红土镍矿的经济性已显得十分重要。为此,特围绕几种主要的红土镍矿工艺展开一些深入探讨。红土型镍矿的开发Development Of Laterite Mine以新喀里多尼亚红土矿开发为标志,从红土矿中生产金属镍已有100年的历史。由于红土矿品位较低,很难通过选矿获得较高品位(6%以上)的镍精矿;同时,需要大规模开发,投资比…  相似文献   
6.
对纳米结构金属的变形机制进行了讨论.位错导致的塑性变形以及相变导致的不均匀应变,均可加宽X射线衍射峰.而在对冷轧变形后纳米金属晶体镍和钴的实验中,发现衍射峰不是变宽而是变窄.这个实验结果可以通过空位、空位群的产生和运动来解释.提出的空位变形机制可以初步解释金属纳米晶体的其它实验现象,但是对于晶体结构等因素以及面心立方纳米金属变形后品粒长大过程巾所伴随的变形机制的变化等问题,还需要通过更仔细充分的试验以及理论上的深入考虑加以研究.  相似文献   
7.
金属镍的毒性小,近似银白色、硬而有延展性并具有铁磁性的金属元素,它能够高度磨光和抗腐蚀,可用来制造不锈钢和其他抗腐蚀合金,用来制造货币等,镀在其他金属上可以  相似文献   
8.
化学分析法测定金属镍中0.3%以上的钴,笔者认为以新钴试剂最佳,可以不经任何分离手续而直接显色测定,但是,单个发色镍量不得超过7毫克。因此,镍中更低含量的钴,均需要萃取及反萃取分离镍或富集钴,手续冗长繁琐。本文在前人工作基础中,采用了丁二肟沉淀镍,并发现加大亚硝酸钾及盐酸羟胺的用量,可使钴的催化极谱波更加灵敏,由此拟定了简便测定金属镍中0.0005%以上钴的方法。本法速度快,成本低,灵敏度高,相对误差不超过20%,回收率90%以上。  相似文献   
9.
在微型反应器中,采用泡沫金属镍为载体负载Cu-Ce-Zr-O催化剂,用于优先氧化去除富氢气体中的CO。考察Zr掺杂量、焙烧温度和催化剂预处理工艺对催化剂性能的影响。结果表明,CuCe_9Zr_(1.5)O_δ催化剂表现出较好的催化性能,反应温度(160~260)℃,CO转化率达99%以上,出口气浓度降至100×10~(-6)以下,CO选择性维持在40%左右;反应温度(180~240)℃,富氢气体中CO浓度降至60×10~(-6)以下。经H_2预处理后的催化剂低温活性和反应性能略有提高。  相似文献   
10.
《金属功能材料》2014,(2):25-25
<正>申请号:CN201310624078;申请日:2013.11.28;公开号:CN103613094A;公开日:2014.03.05;申请人:华中科技大学;发明人:朱大明;魏合林;袁利利;刘雨昊;易林;本发明公开了一种同时制备石墨烯和多孔非晶碳薄膜的方法,包括S1对金属镍片衬底进行超声清洗,并烘干后放置于管式炉中;S2向管式炉中通入惰性气体;S3对管式炉进行升温处理使其达到750~1000℃  相似文献   
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