RF磁控溅射制备钛酸锶钡BST纳米薄膜

钛酸锶钡(BST)薄膜作为一种高K介质材料在微电子和微机电系统等领域具有广阔的应用前景,人们已对BST薄膜的制备工艺技术和介电性能进行了大量的研究。BST纳米薄膜的制备工艺直接影响和决定着薄膜的介电性能(介电常数、漏电流密度、介电强度等)。对RF磁控反应溅射制备BST纳米薄膜的工艺技术进行了综述。从溅射靶的制备、溅射工艺参数的优化、热处理、薄膜组分的控制,及制备工艺对介电性能的影响等方面,对现有研究成果进行了较全面的总结。     

BaxSr（1—x）TiO3多层膜椭偏光谱研究

用溶胶－凝胶技术在Bi(100）衬底上制备了单层和渐变型多层的BaxSr(1-X)TiO3薄膜，其膜层组分分别为：Ba0.7Sr0.3TiO3,Ba0.8Sr0.2TiO,Ba0.9Sr0.1TiO3,BaTiO3，对生长制备出的多层BaxSr(1-X)TiO3薄膜进行了变角度椭偏光谱测量，通过椭偏光谱解谱分析研究，首次得到了BaxSr(1-X)TiO3多层膜结构不同膜层的膜厚和光学常数，其结果显示：椭偏光谱分析得到的不同膜层的膜厚与卢瑟福背向散射测量得到的结果基本相符；渐变型多层膜中BaTiO3薄膜的折射率比单层BaTiO3薄膜折射率大许多，与体BaTiO3的折射率相接近，这说明渐变型多层膜中BaTiO3薄膜的光学性质与体材料的光学性质接近。     

烧成及热处理工艺对钛酸锶铅基热敏材料性能及显微结构的影响

研究了烧成及热处理工艺对钛酸锶铅基热敏材料的阻温特性及显微结构的影响。通过扫描电镜（ＳＥＭ）和能量分散仪（ＥＤＡＸ）分析了材料的显微结构及不同形貌晶粒的成份。通过对组成、烧成及热处理工艺的控制，可得到具有Ｖ型ＰＴＣＲ特性的热敏材料。     

用于高压电容器的SrTiO3基陶瓷

报道ＳｒＴｉＯ３基陶瓷的制备方法和介电性质，给出了用此种陶瓷制成的高压电容器的试验结果，并对它位进行了讨论。     

钙钛矿型钛酸锶的制备、结构与性能

钛酸锶是一种具有重要电性质的陶瓷材料 ,因而在工业上得到了广泛的应用。本文介绍了钛酸锶的几种常见的合成方法 ,并简要的介绍了钛酸锶的结构与性能     

小损耗中高压电容器陶瓷微观结构分析

通过对2B4-1500、2D4-3000、2F4-14000及2F4-11000四种陶瓷电容器介质材料进行XRD,SEM-EDAX的微观分析,探讨SrTiO_3为基和BaTiO_3为基的介电陶瓷的损耗和抗电强度与微观结构的关系。     

溶胶-凝胶法制备(Sr,Pb)TiO3纳米晶粉及表征

采用溶胶－凝胶法成功地合成了（Sr,Pb)TiO3纳米晶粉，并利用FTIR技术对凝胶的形成过程及350℃，1．5h煅烧获得的粉体材料进行了表征。实验以TG－DSC分析作为拟定煅烧温度的依据，以XRD作为煅烧产物的分析手段，最佳煅烧温度为600℃，所合成的（Sr,Pb)TiO3纳米晶粉的平均晶粒尺寸约为21nm，属钙钛矿型立方顺电相结构。     

利用扫描电镜Inlens探头观测择优取向的SrTiO3薄膜微观结构

择优取向的介电薄膜是介电材料研究中的热点.利用溶胶-凝胶法在金属和单晶基底上沉积了择优取向的钛酸锶介电薄膜,并利用扫描电镜Inlens探头对其微观结构进行了直接观测.Inlens探头对于样品表面原子层的信息非常敏感,对于导电性较差的薄膜,不需进行常规的喷金或喷碳处理,即可直接观测,大大提高了分析效率.利用二次电子像探头和Inlens探头分别对半导体性的SrTiO3薄膜的微观结构进行对比分析发现,Inlens探头的分辨率明显优于二次电子探头的.在20万倍的放大倍数下,仍能清晰观测到薄膜的表面和截面结构.     

熔盐法制备具有各向异性形状的钙钛矿结构种晶

采用两步熔盐法制备了具有各向异性形状的钙钛矿结构种晶.第一步先合成具有片状外形的Sr3Ti2O7和Sr4Ti3O10中间体;第二步在中间体基础上,外延生长了钙钛矿结构的SrTiO3.利用XRD,SEM和EDS测试方法,分析了合成反应机理.该方法适用于制备一系列具有各向异性的外形和特殊功能的种晶.     

光催化剂SrTiO3的制备及其性能的研究

论述用化学液相共沉淀法制备SrTiO_3的最佳条件,及在不同的活化条件下对SrTiO_3光催化性能的影响。此外还研究了掺入过渡金属氧化物对SrTiO_3催化性能的改善。