生物矿化法制备氧化镓颗粒及其性能表征

以蚕丝蛋白为模板,在相对温和的条件下通过生物矿化的手段形成具有特殊形貌的α-GaOOH颗粒,并通过在不同温度下煅烧α-GaOOH得到α-Ga2O3和β-Ga2O3.采用扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、X射线衍射仪(XRD)和荧光分光光度计(PL)等手段研究了丝素蛋白多肽和矿化时间对颗粒的影响,对其生物矿化机理进行了初步探讨.结果表明,所制备的β-Ga2O3具有优良的发光特性,丝素蛋白多肽模板以无定形的结构与产物结合在一起,并且经过高温烧结后仍以碳膜的形式包覆在材料的表面.这种碳膜结构对于提高材料的生物学性能起着重要的作用.     

中铝河南分公司首次实现氧化镓批量销售

近日，中铝河南分公司镓产品的开发和生产取得新进展．在成功开发了荧光氧化镓、医用氯化镓材料等产品的基础上，生产工艺进一步优化，产品纯度不断提升．首次实现了氧化镓产品的批量销售，预计年内该分公司氧化镓的生产能力将初具规模。近年来，中铝河南分公司一方面不断加强质量攻关，优化生产工艺，镓产品回收率及生产能力都有了较大幅度的提高；另一方面，加强与客户沟通，深入了解市场形势和行情，确定产品定位。     

钠化焙烧钒渣同时加碳氯化挥发镓的研究

考察了低温400℃和中温800℃条件下,添加活性碳及液体含碳物纸浆与钒渣、NaCl和Na_2CO_3混合焙烧时氯化挥发镓及钒转比为水溶性钒的情况。本实验得到的最高η_(Ga)为35.1％。焙烧料中不含Na_2CO_3和焙烧温度为400℃时,钒转比为水溶性钒的比率(ηv.t)较低。纸浆添加比L_(纸浆)为0.05mL/g、配料比W_(Na_2CO_3)/W_(Nacl)=2时,可望同时得到较高的η_(Ga)和(ηv.t)。     

新取代苯基荧光酮试剂的合成及其性质的研究Ⅱ．新型取代苯基荧光酮与金属离子显色反应的研究

研究了３，５－二溴－４－氨基苯基荧光酮、３，５－二溴－４－偶氮变色酸等８种苯基荧光酮在酸性介质中与高价金属离子Ｚｒ（Ⅳ）、Ｍｏ（Ⅵ）、Ｗ（Ⅵ）、Ａｌ（Ⅲ）、Ｇａ（Ⅲ）等的显色反应。３，５－位二溴取代的试剂的灵敏度高于未取代的灵敏度，摩尔吸光系数绝大多数在１０５Ｌ·ｍｏｌ－１·ｃｍ－１以上。     

从水淬渣中回收镓的试验研究

对鼓风炉（ISP法）或烟化炉水淬渣中回收镓的工艺进行了研究。结果表明，利用浓硫酸恒温熟化的独特浸出工艺，克服硅对液固分离的影响；以伯胺N9123作为萃取剂在硫酸介质中萃取镓；获得了含镓品位为2.82%的富集物。     

不同加工工艺的锑化镓晶片损伤研究

用透射电子显微镜、扫描电镜对锑化镓材料切、磨、抛等加工工艺引入的表面损伤进行观察和检测。结果表明：切割加工是锑化镓单晶晶片表面损伤层引入的主要工序；锑化镓单晶切割片表面极不平整，有金刚砂所引起的较粗桔皮皱纹；其表面损伤层深度≤30μm；双面研磨的锑化镓晶片表面仍有较粗桔皮皱纹，但比切割片的要细，而且桔皮皱纹的深浅随磨砂（Al2O3)粒径的减小而变细变浅；晶片的表面损伤层深度（≤5μm）也随着磨砂粒径的减小而减小。一般情况下，其损伤层的深度约为磨砂粒径的1/2。机械化学抛光加工的锑化镓晶片表面的SEM像观察不到桔皮皱纹；其损伤层深度约55nm。     

非掺杂AlGaN/GaN微波功率HEMT

Ga N有较 Ga As更宽的禁带、更高的击穿场强、更高的电子饱和速度和更高的热导率 ,Al Ga N/Ga N异质结构不仅具有较 Ga As PHEMT中Al Ga As/In Ga As异质结构更大的导带偏移 ,而且在异质界面附近有很强的自发极化和压电极化 ,极化电场在电子势阱中形成高密度的二维电子气 ,这种二维电子气可以由不掺杂势垒层中的电子转移来产生。理论上 Al Ga N/Ga N HEMT单位毫米栅宽输出功率可达到几十瓦 ,而且其宽禁带特点决定它可以承受更高的工作结温 ,作为新一代的微波功率器件 ,Al Ga N/Ga N HEMT将成为微波大功率器件发展的方向。采…     

GaAlInP发光材料计算的经验公式

根据已经发表的实验数据，针对镓铝铟磷发光材料的提出了一组经验公式及相应的曲线，作为ＧａＡｌＩｎＰ可见光材料设计的依据或参考。     

钠化焙烧钒渣时氯化挥发镓的热力学分析

本文讨论了６００～１２００Ｋ范围内使用ＮａＣｌ作为添加剂焙烧钒渣时氯化发镓的热力可靠性。结论是：氯氧比的大小与溶性钒酸钠生成有直接联系，ＮａＣｌ和Ｎａ２Ｏ。Ｖ２Ｏ５平衡时的氯氧比最大；在氯化钠作用下，镓主要生成ＧａＣｌ３挥发，计算得到的ＧａＣｌ３的生成压相当大。