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1.
以蚕丝蛋白为模板,在相对温和的条件下通过生物矿化的手段形成具有特殊形貌的α-GaOOH颗粒,并通过在不同温度下煅烧α-GaOOH得到α-Ga2O3和β-Ga2O3.采用扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、X射线衍射仪(XRD)和荧光分光光度计(PL)等手段研究了丝素蛋白多肽和矿化时间对颗粒的影响,对其生物矿化机理进行了初步探讨.结果表明,所制备的β-Ga2O3具有优良的发光特性,丝素蛋白多肽模板以无定形的结构与产物结合在一起,并且经过高温烧结后仍以碳膜的形式包覆在材料的表面.这种碳膜结构对于提高材料的生物学性能起着重要的作用.  相似文献   
2.
近日,中铝河南分公司镓产品的开发和生产取得新进展.在成功开发了荧光氧化镓、医用氯化镓材料等产品的基础上,生产工艺进一步优化,产品纯度不断提升.首次实现了氧化镓产品的批量销售,预计年内该分公司氧化镓的生产能力将初具规模。近年来,中铝河南分公司一方面不断加强质量攻关,优化生产工艺,镓产品回收率及生产能力都有了较大幅度的提高;另一方面,加强与客户沟通,深入了解市场形势和行情,确定产品定位。  相似文献   
3.
晋北吕梁群石榴石的特征及指示意义   总被引:5,自引:0,他引:5  
石榴石是山西岚县袁家村一带-娄烦县出露的吕梁群地层中主要的特征变质矿物,其次为黑云母、十字石等,对这些特征变质矿物进行电子探针的成分分析及其相关计算,并利用不同采样点的矿物对估算该点变质温度和压力,最后得到石榴石的成分变化与变质程度之间的关系,进而阐明了石榴石中成分变化对变质温度与压力的指示意义。  相似文献   
4.
5.
《中国粉体工业》2007,(3):30-30
近日,全国最大的石榴石粒度砂生产加工项目落户乌兰察布,并正式开工建设。 该项目是由内蒙古日鑫天然磨料有限责任公司在乌兰察布市凉城县兴建的,年产石榴石粒度砂和微粉分别可达5万吨和1万吨。预计将于2007年10月份建成投产。  相似文献   
6.
研究了3,5-二溴-4-氨基苯基荧光酮、3,5-二溴-4-偶氮变色酸等8种苯基荧光酮在酸性介质中与高价金属离子Zr(Ⅳ)、Mo(Ⅵ)、W(Ⅵ)、Al(Ⅲ)、Ga(Ⅲ)等的显色反应。3,5-位二溴取代的试剂的灵敏度高于未取代的灵敏度,摩尔吸光系数绝大多数在105L·mol-1·cm-1以上。  相似文献   
7.
Al,Ga取代Bi:DyIG薄膜的磁和磁光特性的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文报道用热分解法在玻璃衬底上制备了Al和Ga取代的Bi:DYIG薄膜,对其磁和磁光特性做了详细研究.Al和Ga取代的薄膜均可获得好的矩形比和高的矫顽力.对于Bi1.2Dy1.8Fe5-xMXO12(M=A1,GZ)薄膜,A1和G2的最佳替代成份分别为1.0和G.7;最佳晶化温度分别为700o℃和675℃.在波长510nm附近,法拉第旋转角可达8°/um左右.光学吸收和品质因子的研究结果表明,Al和Ga取代能够影响光学吸收和品质因子,其中Ga取代对光学吸收和品质因子的影响较大.  相似文献   
8.
从水淬渣中回收镓的试验研究   总被引:5,自引:0,他引:5  
对鼓风炉(ISP法)或烟化炉水淬渣中回收镓的工艺进行了研究。结果表明,利用浓硫酸恒温熟化的独特浸出工艺,克服硅对液固分离的影响;以伯胺N9123作为萃取剂在硫酸介质中萃取镓;获得了含镓品位为2.82%的富集物。  相似文献   
9.
黎建明  屠海令  郑安生  陈坚邦 《稀有金属》2003,27(2):299-302,313
用透射电子显微镜、扫描电镜对锑化镓材料切、磨、抛等加工工艺引入的表面损伤进行观察和检测。结果表明:切割加工是锑化镓单晶晶片表面损伤层引入的主要工序;锑化镓单晶切割片表面极不平整,有金刚砂所引起的较粗桔皮皱纹;其表面损伤层深度≤30μm;双面研磨的锑化镓晶片表面仍有较粗桔皮皱纹,但比切割片的要细,而且桔皮皱纹的深浅随磨砂(Al2O3)粒径的减小而变细变浅;晶片的表面损伤层深度(≤5μm)也随着磨砂粒径的减小而减小。一般情况下,其损伤层的深度约为磨砂粒径的1/2。机械化学抛光加工的锑化镓晶片表面的SEM像观察不到桔皮皱纹;其损伤层深度约55nm。  相似文献   
10.
Ga N有较 Ga As更宽的禁带、更高的击穿场强、更高的电子饱和速度和更高的热导率 ,Al Ga N/Ga N异质结构不仅具有较 Ga As PHEMT中Al Ga As/In Ga As异质结构更大的导带偏移 ,而且在异质界面附近有很强的自发极化和压电极化 ,极化电场在电子势阱中形成高密度的二维电子气 ,这种二维电子气可以由不掺杂势垒层中的电子转移来产生。理论上 Al Ga N/Ga N HEMT单位毫米栅宽输出功率可达到几十瓦 ,而且其宽禁带特点决定它可以承受更高的工作结温 ,作为新一代的微波功率器件 ,Al Ga N/Ga N HEMT将成为微波大功率器件发展的方向。采…  相似文献   
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