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以硫氢化钠与运城盐湖的高镁卤水为原料,制取高纯氧化镁,并副产无水硫酸钠,为运城盐湖资源的综合利用提供了新思路.工艺条件:硫氢化钠过量2%;镁离子质量浓度25 g/L;硫氢化钠质量浓度350 g/L;反应温度80~90 ℃;搅拌转速50 r/min;加料速度20 L/min;反应时间1 h;洗水量为氧化镁质量的60倍.生产的高纯氧化镁纯度达98%以上;反应后的母液经过蒸发,所得无水硫酸钠纯度可达99%.每30 t高镁卤水可生产1 t高纯氧化镁,副产元明粉10.87 t. 相似文献
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用重镁水添加草酸钠制备高纯球形氧化镁 总被引:1,自引:0,他引:1
以轻烧白云灰粉料为原料,采用碳化法,在重镁水热解之前加入草酸钠除钙,制备得到高纯氧化镁样品。通过探讨碳化浓度(碳化前浆料中固体的质量与水的质量之比)、草酸钠用量以及陈化时间对Ca2+去除率和Mg2+损失率的影响,得到优化的工艺条件:碳化浓度为3g/L,草酸钠用量为理论用量[以n(Na2C2O4)/n(Ca2+)摩尔比计]的6倍,陈化时间为6 h时,所制备的高纯氧化镁样品中MgO含量为99.51%,CaO含量为0.17%,MgO回收率为91.5%。采用X射线衍射仪和扫描电子显微镜对高纯氧化镁样品的物相组成、颗粒尺寸和形貌特征进行表征,结果表明:所得氧化镁为立方晶型;氧化镁颗粒的平均尺寸为9μm,颗粒分散均匀,形貌为规则的球形结构。 相似文献
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高纯氧化镁的制备研究 总被引:2,自引:0,他引:2
以卤水为原料,经过氢氧化镁途径制备高纯氧化镁。采用共沉淀结合超滤法对卤水进行了精制,并重点考察了卤水浓度、反应温度、加料速率等因素对氧化镁纯度的影响,获得了纯度大于99%的氧化镁产品。 相似文献
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采用菱镁矿添加无水氯化镁混合焙烧的方式,在较低焙烧温度下制备了高纯度的氧化镁。通过热重-差热(TG-DTA)法分析了菱镁矿的焙烧反应过程,并对焙烧产品进行了X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)及纯度分析。与传统焙烧方法制备氧化镁相比,添加氯化镁的焙烧工艺可有效地达到除钙效果。通过机理探讨表明,氯化镁渗透到菱镁矿中起隔断作用,有效增加了菱镁矿的比表面积,降低了焙烧温度,达到了节能降耗的效果。在焙烧温度为650 ℃、保温时间为1 h条件下,所得氧化镁的纯度可达99.3%,钙杂质质量分数可降至0.07%。 相似文献
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高纯纳米氧化镁制备工艺研究 总被引:4,自引:2,他引:4
以MgCl2·6H2O为原料, 聚乙烯醇为分散剂, 采用氨水沉淀法制备氢氧化镁, 经煅烧得高纯纳米氧化镁。单因子实验与正交实验表明, 在沉淀反应时间为25 min, 氢氧化镁煅烧时间3 h时, 制备高纯纳米氧化镁的最佳工艺条件为: 反应温度35 ℃, 原料摩尔比(NH3·H2O ∶MgCL2·6H2O)2.2∶1, Mg2+摩尔浓度1.3 mol/L, 分散剂用量为2 mL, 煅烧温度700 ℃。在此条件下, 反应最终产物氧化镁的纯度达到了99%以上。并采用X射线和透射电镜等对样品进行表征, 结果表明, 样品粒径分布窄、分散性良好, 平均粒径为35 nm, 满足高纯纳米氧化镁要求。该工艺流程简单, 产品质量稳定, 适宜于工业化生产。 相似文献
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高纯氧化镁分子式MgO,分子量40.3,外观为白色无定形粉末,高温下具有优良的耐酸碱性和电绝缘性,光透过性好,导热性高,热膨胀系数大,广泛用作高温耐热材料,在陶瓷行业用作陶瓷坩锅、基板等原料。在电子、电器行业用作磁性装置填料、绝缘材料及各种载体。此外,用高纯氧化镁作为原料,还可以生产电熔氧化镁单晶、高纯电熔氧化镁、纳米级氧化镁等专用特种氧化镁系列产品,这些产品在电子、电器、光学、仪表、冶金、国防、航空航天等领域中都有广泛的应用。 相似文献
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高纯氧化镁是指纯度大于98%的氧化镁产品。以辽宁大石桥的菱镁矿为原料,经煅烧生成氧化镁,再经消化、碳化制得碳酸氢镁溶液,采用活性炭为吸附剂脱除碳酸氢镁溶液中的铁离子,再经热解、煅烧得到高纯氧化镁。研究原料煅烧、消化、碳化、活性碳吸附、热解和碱式碳酸镁煅烧工艺过程,分析各过程的影响因素,得出由菱镁矿生产高纯氧化镁的最佳工艺条件。并对制得的高纯氧化镁样品进行定性分析和化学成分分析。 相似文献