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1.
提出了基于压电技术的微操作系统的自动标定方法,采用混合式步进电机直接驱动的宏动平台,实现系统大行程宏动定位,安装在宏动平台上的压电陶瓷驱动的微动平台和精密光栅,实现亚微米级的分辨率和定位精度,通过以上两部分实现定位机构的全闭环反馈控制,采用显微视觉反馈获取微动台操作器在图像中的位置信息进行标定。实验结果表明:系统的动态和稳定性能良好,自动标定运算速度快,运行速度达到11 frame/s,实现了对系统的精确标定,标定精度达到0.1μm。 相似文献
2.
3.
根据锆钛酸铅压电陶瓷的逆压电效应。设计了以8031单片机为核心的压电陶瓷堆微位移器提高了PZT的线性,从而满足了在天文自适应系统中所要求的精确微位的应用。 相似文献
4.
5.
提出应用静电纺丝法制备PZT纳米纤维薄膜。研究中配制PZT溶液后再进行静电纺丝,获得了PZT纳米纤维薄膜,并且通过调整纺丝时间和沉积次数来控制纳米纤维薄膜的厚度。运用SEM对获得的热处理前后的薄膜进行了观察对比,测量其平均直径约为200 nm;运用XRD对退火后的样品进行分析,测得样品的主要成分为Pb(Zr0.52Ti0.48)O3,证明所制备的正是PZT薄膜;运用AFM测得薄膜的表面粗糙度为1.034 nm,说明该纳米薄膜材料非常的均匀整齐。 相似文献
6.
7.
The dynamic and static imprint characteristics of PZT thin film capacitors prepared by a two step reactive sputtering method
were studied. The imprint is caused by an internal field generated by the trapping of electronic charges at interfacial layers
that are injected, from the electrode. When unipolar pulse stressing is applied to the PZT capacitor, the cumulative time
rather than the pulse cycles accounts more for the dynamic imprint characteristics. The amount of voltage shift in the polarization(P)-voltage(V)
curve is reduced when the unipolar pulses are applied at elevated temperatures or a high amplitude pulse is applied. For static
imprint stressing, the voltage shift increases with the temperature and is readily removed by application of bipolar pulses
to the imprinted PZT capacitor at elevated temperatures. A method to estimate the lifetime limitation as a result of imprint
failure in 1T/1C FRAMs is proposed. 相似文献
8.
采用传统固相法制备了Pb(Mn1/3Sb2/3)0.05(Ni2/3W1/3)x(Zr0.495Ti0.505)0.95-xO3(PMS-xPNW-(0.95-x)PZT)四元系压电陶瓷,研究了NiW含量对PMS-xPNW-(0.95-x)PZT体系的相组成、微观结构、机电性能、温度稳定性的影响.结果表明随着NiW量的增加,物相中四方相含量逐渐减少,三方相含量逐渐增大;适量的掺杂使PMSZT频移变小;机电耦合系数Kp,K31的温度稳定性得到改善;并且提高了体系的机电性能. 相似文献
9.
10.