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1.
针对传统PET材料不具备抗菌、不耐洗等问题,以煎煮法为基础,以草珊瑚、艾叶和薄荷为原料,制备含植物活性成分的溶液,其具有抗菌、杀菌的作用;以溶胶-凝胶法为多孔材料制备方法,用十六烷基三甲基溴化铵、十二烷基苯磺酸钠表面活性剂为模板剂,正硅酸乙酯为有机硅源,氨水为催化剂,乙醇和乙醚为助溶剂,在水-乙醇-乙醚体系中合成多孔二氧化硅微球;然后,多孔二氧化硅微球与提取液混合制备含植物活性成分的多孔二氧化硅分子巢;最后以制备的多孔二氧化硅分子巢与普通的聚酯切片用熔融纺丝工艺进行造粒、纺丝,得到具有抗菌、杀菌和耐洗的多功能涤纶纤维.通过SEM微观观察和力学性能测试、抗菌试验、耐洗性测试,对上述制备的多功能涤纶纤维性能进行验证.结果表明:在模板剂总浓度为0.029 mol·L-1、V醇:V醚=20:20、两种表面活性剂比为4:1时,得到的多孔SiO2微球排列规整;当多孔二氧化硅分子巢掺量(质量分数)在0.5%~1%时,通过熔融共混纺丝得到的新型多功能涤纶纤维力学性能表现最优;当多孔二氧化硅分子巢掺量(质量分数)在1%时,得到的新型多功能涤纶纤维的抗菌性能达到87.9%.而二氧化硅分子巢掺量越高,纤维材料越耐洗.以上结果说明本试验制备涤纶纤维的方案可行.  相似文献   
2.
3.
4.
新型壳聚糖/纳米二氧化硅杂化材料的制备与性能   总被引:10,自引:5,他引:5  
在纳米S iO2颗粒表面引入羟丙基氯活性基团,得到功能化S iO2颗粒,再将羟丙基氯化的S iO2颗粒交联固定在壳聚糖上,制备了一种新型的壳聚糖/纳米S iO2杂化材料(简称杂化材料);通过傅里叶变换红外光谱、透射电镜、扫描电镜方法对杂化材料进行表征,采用热重(TG)分析研究杂化材料的热性能;考察了杂化材料的沉降速率和对金属离子Ca2+和M g2+的吸附能力。电镜分析结果表明,杂化材料微粒为纳米尺度的无机S iO2加强化的微粒,S iO2颗粒分散在材料中,形成均匀的表面;TG分析结果表明,杂化材料的热性能有所提高;沉降实验测得壳聚糖和杂化材料作为吸附剂的沉降时间分别为130.3,68.5s,表明杂化材料的沉降速率比壳聚糖的沉降速率快了近一倍;杂化材料对金属离子Ca2+和M g2+的吸附量分别可达到0.289 3,1.445 6mm ol/g。  相似文献   
5.
《浙江化工》2003,4(3):46-46
浙江丰利粉碎设备有限公司开发成功的一种集粉碎与气流分级双重功能于一体的新一代气流微粉设备,被原国家科委列为国家重点新产品,并发文向全国推广。专家认为该机的试制成功填补了国内高档粉碎机的空白,达到日本进口同类产品先进水平,可以替代进口,从而宣告我国进口微粉机的历史已经结束。  相似文献   
6.
7.
通过加入增强剂、增韧剂、抗氧剂等添国剂可改善聚丙烯力学性能。以SiO2为填料,丁苯橡胶(SBS)为增韧剂,探讨SiO2、丁苯橡胶含量对共混体系强度、韧性的影响,结果表明,在SBS含量大于5%、SiO2一小于10%的范围内,可使PP/SiO2/SBS复合的拉伸弹性模量和冲击强度明显提高,其力学性能均为均衡。  相似文献   
8.
液相颗粒包裹法制备PbNb2O6微粉的研究   总被引:1,自引:1,他引:0  
本文介绍了一种采用液相颗粒包裹技术制备功能陶瓷微粉的新方法.这种方法有如下特点:(1)方法简便,不需要特殊的设备,便于扩大应用于工业生产;(2)粉体颗粒尺寸小而均匀;(3)粉体化学组成偏离小、且均匀;(4)适应性强,从双组分至十多组分的材料微粉制备均可采用;(5)特别适用于一些含有难溶组分、用液相法无法制备的材料.本工作采用这一方法,成功地制备出 PbNb_2O_6微粉,其平均腰粒尺寸<0.5μm,分散性及化学均匀性好,烧结活性高,烧结温度可以降低近100℃,瓷坯密度可达理论密度的96%以上.  相似文献   
9.
纳米级BaAl_2O_4微粉的制备和性质   总被引:2,自引:1,他引:1  
分别用溶胶 -凝胶法、低温固相反应法 ,制得了纳米级BaAl2 O4微粉 ,用电镜观察了其形貌和粒径的大小 ,用X-射线衍射仪进行了物相分析 ,测定了其纯度与晶型 ,讨论了制备方法与粒度大小的相互影响  相似文献   
10.
BaFe12O19/SiO2-B2O3微晶玻璃陶瓷的制备和微波性能   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用柠檬酸sol-gel工艺合成了BaFe12O19/SiO2-B2O3微晶玻璃陶瓷,研究了SiO2-B2O3玻璃的含量,Ba/Fe原子比和热处理温度对体系析出晶相的影响,以及介电常数和磁异率在1MHz-6GHz频率范围的变化规律,结果表明,休系中SiO2-B2O3玻璃的含量和Ba/Fe比越高,BaF312O19相的析出越困难,前驱体合适的热处理温度为1000℃,介电常数和磁导率基本上随测试频率的增而加下降;介电损耗的最大值为0.43,磁损耗较小。  相似文献   
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