Ti—Al系金属间化合物价电子结构对其脆性的影响

根据余氏理论提出了一个价电子结构参数－－脆性因子α，分析Ｔｉ－Ａｌ系金属间化合物的价电子结构并计算其α值，得到与实验规律一致的结果，从而解释了其脆性本质。     

间隙元素对中间成分Ti—Al合金某些相变的影响

根据余氏理论的平均晶胞模型，分子了间隙元素对Ｔｉ－Ａｌ系中间相价电子结构的影响，讨论了间隙元素对中间成分Ｔｉ－Ａｌ合金某些相变的影响。     

Cu对NiTi形状记忆合金相变点（Ms）影响的电子结构分析

本文依据固体经验电子理论，建立了ＮｉＴｉ形状记忆合金马氏体晶胞的键络模型，并就合金化元素Ｃｕ对ＮｉＴｉ合金Ｍｓ点的影响进行了电子结构分析。为揭示该类功能材料中成分－性能－结构之间的内在联系做了初步探索，从电子结构的层次上初步解释了Ｃｕ对ＮｉＴｉ合金Ｍｓ点的作用机制。     

Fe3Al氢脆机理的研究

用余氏理论计算了氢对Ｆｅ３Ａｌ金属间化合物键结构、键能和电子分布的影响，分析发现，Ｆｅ３Ａｌ的氢脆是由于氢原子溶入扣引起Ｆｅ，Ａｌ原子状态变化。使晶体内晶格电子数大大减少，导致晶体局域金属性减弱，并构成具有严重各向异性的键络的结果。同时得出，氢在Ｆｅ３Ａｌ中占据间隙位置。     

非晶Fe—P合金的价电子结构

本文在“固体与分子经验电子理论”的基础上,通过推广的键距差分析,对非晶Fe-P合金的价电子结构进行了分析。结果表明,偏径向分布函数的峰位可视为实验健距,而偏径向分布函数第一峰下的面积可作为等同健距数目,所得结论在一级近似下是合理的。计算结果指出,Fe为B型双态杂化的13阶杂化,而P位于杂化态的第Ⅰ阶,Fe-P之间有很高的共价结合。     

Ti_3Al基合金(0001)_(α_2)//(110)_β界面价电子结构分析

基于固体与分子经验电子理论,以改进的TFD理论提出的电子密度连续的量子力学条件为判据,计算了Ti3Al基合金中(0001)α//(110)β2界面的价电子结构。对比分析了单相Ti3Al基合金2-Ti3Al2-(Ti)Al(0001)//(0001)ααxMy界面与多相Ti3Al基合金(0001)α2-Ti3Al//(110)β-Ti0.5xAl0.5M0.5y,(0001)α2-(TixMy)Al//(110)β-Ti0.5xAl0.5M0.5y界面电子结构。从电子结构层次上初步解释了延性β相改善合金薄弱的相界面电子结构与键结合,增加界面稳定性与连续性,提高合金强韧性的微观本质。     

Al-Cu合金时效初期的价电子结构

用固体经验电子理论(EET)对Al-Cu合金时效初期的析出相的价电子结构进行计算.计算结果表明:合金基体析出的共格GP区、θ″相,具有比基体更强的共价键络,提升了合金的整体键络强度.从价电子结构层次上解释了时效初期的GP区和θ″相对合金强化作用的内在原因.     

Calculation and Analysis of Valence Electron Structure of Mo2C and V4C3 in Hot Working Die Steel

Taking the hot working die steel （HWDS） 4Cr3Mo2NbVNi as an example, the phase electron structures （PES） and the biphase interface electron structures （BIES） of Mo2C and V4 C3 , which are two kinds of important carbides precipitated during tempering in steel were calculated, on the basis of the empirical electron theory of solids and molecules and the improved TFD theory. The influence of Mo2 C and V4 C3 on the mechanical properties of HWDS has been analyzed at electron structure level, and the fundamental reason that the characteristic of the PES and the BIES of carbides decides the behavior of them has been revealed.     

化学计量成分NiAl合金的价电子结构

NiAl有序金属间化合物密度低、抗氧化性好，有望在1250℃的高温领域应用，应用固体与分子经验电子理论(EET)研究了B2结构化学计量比成分NiAl的价电子结构，在用键距差方法计算时，共考虑了六种共价键，计算结果表明，有30种原子状态符合键距差小于0．005nm这一判据，根据键距差最小原则确定NiAl中实际的原子状态：Ni的杂阶为B型杂化12阶，Al的杂阶为6。