Nd3+:Y0.5Gd0.5VO4晶体生长和基本特性

Nd^3 :Y0.5Gd0.5VO4晶体作为一种新的激光材料，可以用中频感应加热提拉法生长。X射线粉末衍射分析表明它的结构与Nd^3 :YVO4晶体结构相同，它的晶格常数介于YVO4和NdVO4晶格常数之间。用ICP光谱法测定晶体中Nd^3 含量为0．8at％，分凝系数为0．8，与Nd^3 :GdVO4晶体中Nd^3 的分凝系数0．78相当；用称重法测定其密度为5．00g／cm^3；用稳态纵向热流法测出其室温热导率为12．5W／mK。实验表明Nd^3 :Y0.5Gd0.5VO4晶体有希望作为高功率ID泵浦激光晶体材料。     

β—锂辉石的晶体化学性质及其低热膨胀性的结构解释

本文对低热膨胀陶瓷坯体主晶相的β－锂辉石（固溶体）的Ｘ射线衍射性质和红外光谱性质进行了研究和讨论，对β－锂辉石的晶体结构进行了详细的叙述，并从结构上解释了β－锂辉石的热膨胀各向异性和低热膨胀性。     

Synthesis, Characterization and Crystal Structure of Quaternary Complex of Gadolinium （Ⅲ）

Ａｎｕｍｂｅｒｏｆｌａｎｔｈａｎｉｄｅｔｅｒｎａｒｙｃｏｍｐｌｅｘｅｓｃｏｎ ｔａｉｎｉｎｇｈｅｔｅｒｏｃｙｃｌｉｃａｍｉｎｅｓｈａｖｅｂｅｅｎｒｅｐｏｒｔｅｄｓｉｎｃｅ1960 [1] .Ｉｎｒｅｃｅｎｔｙｅａｒｓｍｕｃｈａｔｔｅｎｔｉｏｎｈａｓｂｅｅｎｐａｉｄｔｏｑｕａｔｅｒｎａｒｙｃｏｍｐｌｅｘｅｓｏｆｌａｎｔｈａｎｉｄｅｓｂｅｃａｕｓｅｏｆｉｎ ｔｅｒｅｓｔｉｎｇｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ,ｃｏｏｒｄｉｎａｔｉｏｎｍｏｄｅ ,ｃｏｍｐｅｔｉｔｉｏｎｒｅ ａｃｔｉｏｎａｎｄｐｒｏｐｅｒｔｙ[2～ 9] .ＥＳＲｃａｎｅ…     

铁电存储器原理及应用

本文介绍铁电存储器(FRAM)的一般要领和基本原理，详细分析了其读写操作过程及时序。将FRAM与其他存储器进行了比较，分析了在不同场合中各自的优缺点。最后以FM1808为例说明并行FRAM与8051系列单片机的实际接口，着重分析了与使用一般SRAM的不同之处。     

[NZP]陶瓷零膨胀性能的设计

研究了「ＮＺＰ」材料的零膨胀性能，并尝试对零膨胀的「ＮＺＰ」陶瓷作了设计，从晶体结构、原子复合、各向异性、显微结构和复合材料等方面提出了设计思路。     

金属镱低压吸氘研究

在真空系统中的氘压低于0.1 MPa条件下研究了金属镱的吸氘性能,并对不同原子比的氘化物的物相进行了分析.在常压、300 ℃下,金属镱吸氘不明显;400 ℃时,金属镱经较长时间活化后吸附一定量的氘;500 ℃时,镱升华.400 ℃时的吸氘实验结果表明:从活化至开始吸氘直至吸附平衡需很长时间;氘/镱原子比的高低与吸氘时间有关,饱和吸氘时的原子比最大为2.00;金属镱为面心立方(fcc)结构,a0=0.549 2 nm.具有不同原子比的氘化镱的X射线衍射(XRD)分析结果显示:氘化镱有2种结构,即面心立方结构(a0=0.524 nm)和正交结构(a0=0.588 nm、b0=0.358 nm、c0=0.678 nm);金属镱吸氘后,立方结构氘化镱晶格常数及晶胞体积均发生收缩现象,收缩率分别约为4%和11%.正交结构氘化镱晶胞体积收缩约14%.     

LaNi5-xAlxDy的中子衍射研究

分别测量了LaNi4.25Al0.75和LaNi4.75Al0.25两种合金样品在未吸氘及不同含氘量的氘化物样品的中子衍射谱,用Rietveld程序拟合出它们的晶体结构,并观察到了一些过去未曾注意的现象.LaNi4.25-Al0.75在吸氘过程中,氘原子优先占据的原子坐标为(0.17,0.32,0.45).