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3.
介绍了间接跃迁的半导体AlP与GaP形成的超晶格,由于零折叠效应,实现了能带由间接带隙向直接带隙的转变,从而增加了带间的光跃迁几率,并推导了该几率的表达式。 相似文献
4.
近年来,铁电薄膜制备技术的迅速发展使得人工介电超晶格的生长成为现实。简要介绍了有关介电多层膜和人工介电超晶格的制备、结构和性能的研究状况,讨论了进一步研究需解决的问题。 相似文献
5.
运用电子显微分析和波谱分析等方法对GH2027合金的第二相进行了研究,结果表明,合金晶界相主要是片状M6C和薄膜状M23C6,经波纹图样测得其错配度约为3%,晶内M6C和M23 相似文献
6.
LIU Shu-ping JIA Yue-hu 《半导体光子学与技术》2006,12(1):21-24
According to Maxwell's theory, the optical transmission characteristics in GeSi/Si superlattice nanocrystalline layer have been analyzed and calculated. The calculated result shows that when the total thickness L is 340 nm, the single mode lightwave can be transmitted only at periodic number M≥15.5. In addition, at the direction of transmission, when the transmission distance is larger than 500 μm, the lightwave intensity is decreased greatly. Based on the above parameters, the design and manufacture of GeSi/Si superlattice nanocrystalline photodetector are carried out. 相似文献
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9.
康振晋 《延边大学学报(自然科学版)》2002,28(3):180-184
以中温水热法合成了NH4Y3F10,YF3,LiYF4等晶体氟化物及其荧光粉NH3Y3F10:Eu^3 LiYF4:Tb^3 ,并讨论了水热合成条件。用X-ray粉末衍射确定了物象,并用PowderX计算机软件进行了指标化,确定了晶格参数。还测定了NH4Y3F10:Eu^3 和LiYF4:Tb^3 荧光粉的VUV或UV光激发的激发光谱和发射光谱。 相似文献
10.
In_xGa_(1-x)As/GaAs应变超晶格的电子结构 总被引:2,自引:0,他引:2
用有效质量理论研究了[001]和[111]方向生长的In_xGa_(1-x)As/GaAs应变超晶格的电子结构.具体计算了价带能级的色散曲线和光吸收曲线.沿[001]方向生长的光吸收曲线与实验进行了比较.内应变使重轻空穴能级发生上升和下降.由于压电效应,[111]方向生长的超晶格应变层内存在很强的内电场(1.5×10~5V/cm),而对[001]方向生长的应变超晶格不产生内电场. 相似文献