固溶体及其应用

固溶体也称固态溶液,即一种物质(溶质)的质点溶于另一种物质(溶剂)形成单一、均匀的固相体系。它普遍存在于无机固体材料中,材料的物理化学性质随着固溶程度的不同可在一个较大范围内变化。现代材科研究经常采用生成固溶体来提高和改善性能。在功能材料、结构材料中都离不开它,它的应用越来越广泛。固溶体现已成为材料科学工作者研究的重要课题。     

InP基应变补偿结构偏振不灵敏半导体光放大器制作的研究

为了制备偏振不灵敏的半导体光放大器(SOA)，将有源区设计为由4个压应变、3个张应变阱层及晶格匹配的垒层InGaAsP交替组合而成的应变补偿结构。器件做成带有倾角的扇形脊形波导结构，避免了常规制作SOA的复杂工艺。对样品3在80～125mA电流范围内，获得了偏振灵敏度≤0．6dB．最小可达0．1dB；较大的电流范围内FWHM值为40nm。     

短周期超晶格AlP／GaP能带结构的转变及其带间的光跃迁

介绍了间接跃迁的半导体ＡｌＰ与ＧａＰ形成的超晶格，由于零折叠效应，实现了能带由间接带隙向直接带隙的转变，从而增加了带间的光跃迁几率，并推导了该几率的表达式。     

介电多层膜与人工介电超晶格的研究

近年来，铁电薄膜制备技术的迅速发展使得人工介电超晶格的生长成为现实。简要介绍了有关介电多层膜和人工介电超晶格的制备、结构和性能的研究状况，讨论了进一步研究需解决的问题。     

GH2027铁基高温合金的第二相研究

运用电子显微分析和波谱分析等方法对ＧＨ２０２７合金的第二相进行了研究，结果表明，合金晶界相主要是片状Ｍ６Ｃ和薄膜状Ｍ２３Ｃ６，经波纹图样测得其错配度约为３％，晶内Ｍ６Ｃ和Ｍ２３     

Design and Manufacture of GeSi/Si Superlattice Nanocrystalline Photodetector

According to Maxwell＇s theory, the optical transmission characteristics in GeSi/Si superlattice nanocrystalline layer have been analyzed and calculated. The calculated result shows that when the total thickness L is 340 nm, the single mode lightwave can be transmitted only at periodic number M≥15.5. In addition, at the direction of transmission, when the transmission distance is larger than 500 μm, the lightwave intensity is decreased greatly. Based on the above parameters, the design and manufacture of GeSi/Si superlattice nanocrystalline photodetector are carried out.     

纳米超晶格热电材料的研究进展

随着热电材料制备技术和性能研究的发展，纳米超晶格热电薄膜已受到人们的关注，简要介绍了有关纳米超晶格热电材料的结构、热电机理及制作技术，并指出了存在的问题和可能的发展方向。     

X射线三轴晶衍射法测量半绝缘GaAs单晶的化学配比

采用X射线三轴晶衍射法,根据As间隙原子对作为过量As在GaAs单晶材料中存在的主要形式的模型,可以无损、高精度测量半绝缘GaAs单晶的化学配比.并探讨了引起晶格变化的原因及其与熔体组分的关系,对于制备高质量GaAs单晶及其光电器件具有重要的意义.     

氟化物的水热合成及其VUV发光性能

以中温水热法合成了NH4Y3F10，YF3，LiYF4等晶体氟化物及其荧光粉NH3Y3F10：Eu^3 LiYF4:Tb^3 ，并讨论了水热合成条件。用X-ray粉末衍射确定了物象，并用PowderX计算机软件进行了指标化，确定了晶格参数。还测定了NH4Y3F10：Eu^3 和LiYF4：Tb^3 荧光粉的VUV或UV光激发的激发光谱和发射光谱。     

In_xGa_(1-x)As/GaAs应变超晶格的电子结构

用有效质量理论研究了[001]和[111]方向生长的In_xGa_(1-x)As/GaAs应变超晶格的电子结构.具体计算了价带能级的色散曲线和光吸收曲线.沿[001]方向生长的光吸收曲线与实验进行了比较.内应变使重轻空穴能级发生上升和下降.由于压电效应,[111]方向生长的超晶格应变层内存在很强的内电场(1.5×10~5V/cm),而对[001]方向生长的应变超晶格不产生内电场.