硅酸铋晶体的蚀像形貌

本文研究了提拉法生长的硅酸铋晶体(BSO)的蚀像形貌,比较了{100},{110},{211},{111}面族的腐蚀像特征和腐蚀速度,并用周期性键链(PBC)的形貌理论分析了腐蚀形貌。通过蚀像形貌特征便可方便地进行晶体定向,准确地确定各族晶面之间的相对位置和极轴的方向等。     

表面活性剂对锡镀层织构和形貌的影响

以化学镀非晶态镍磷合金和多晶铜片为墓底，研究分析了聚乙二醇辛基苯基醚(Triton X-100)、聚乙二醇(相对分子质量6000)(PEG)和明胶三种表面活性剂对硫酸体系锡镀层结构和表面形貌的影响。锡镀层的织构和表面形貌与表面活性剂的种类和基底的性质有关。Triton X-100使Ni-P合金基底沉积的镀层以β-Sn的(220)晶面择优，铜基底上则以(200)晶面择优，并使晶体细化均匀。PEG使Ni-P上的镀层以(220)晶面为主，在多晶铜基底上变为(211)晶面为主，晶粒的大小不均匀。在含明胶的镀液中，两种基底上的镀层的主要衍射峰都是(101)晶面的衍射峰，但表面形貌有很大的变化。     

Research of {0001} crystal orientation for magnesium alloys solidified in a fashion of cellular crystals

The magnesium alloy grew in a fashion of cellular crystals during the process of unidirectional solidification, and the {0001} crystal face orientation in the cast ingot of the magnesium alloy was studied. The theoretical model and methodology were set up, and a corresponding experiment was carried out to verify the theoretical analysis results. The experimental results indicate that the {0001} crystal face of magnesium crystals parallels to the width direction for the thin-plate cast ingot when the magnesium grows in a manner of cellular crystals. The separation angle between the {0001} crystal face of magnesium crystals and the vertical axis line of the cast ingot is about 62° for the circular column cast ingot, which distributes in cone-type. The theoretical analysis results are basically in agreement with the experimental ones of previous literatures and this paper.     

对微波布拉格衍射实验中产生衍射极大值晶面的讨论

通过理论推导出三厘米微波布拉格衍射实验中的模拟晶体只能产生一、二级衍射,而且只有十个晶面可以产生衍射极大值,并且采用微波分光仪可以进行测量。本文还对这些晶面的特点进行了分析讨论,得出只要通过三个有代表性的晶面（晶面族）作为该实验的研究对象,就能够全面研究微波布拉格衍射实验,以便于从事这方面教学与研究的有关专业人士参考。     

表面活性剂对纳米MCM-41分子筛分散性的影响

采用聚乙二醇为分散剂,十六烷基三甲基溴化铵为模板剂,正硅酸乙酯为硅源,在室温碱性条件下合成了粒径为40～60 nm的单分散纳米球形MCM-41分子筛.利用XRD、TEM和N2吸附脱附等手段研究了聚乙二醇用量对纳米球形MCM-41的分散性和介孔结构的影响.结果表明,表面活性剂PEG的加入,可以明显改善纳米颗粒的分散性并且对颗粒形貌影响不大;表面活性剂PEG的加入,样品的六方结构有序性和孔尺寸发生变化.PEG量在1%～20%范围内,样品仍具有较高的六方孔道有序性;PEG量过大(60%)有序性明显下降.随着PEG加入量的增加,纳米MCM-41的晶面间距增大,孔尺寸增大.适量的聚乙二醇可以得到有序性好、比表面积大、孔径均一和孔隙率大的单分散纳米球形MCM-41分子筛.     

杂质离子对铜沉积微观结构的影响

为揭示杂质离子在铜电结晶过程中的行为,提高电解铜的质量,模拟电解铜厂的生产条件,用XPS、XRD、SEM等仪器研究了电解液中As5+、Sb3+、Bi3+、Fe2+、Fe3+、Ni2+、Zn2+等杂质离子对铜沉积微观结构的影响.结果表明:当电流密度i≤220A/m2时,杂质离子不在阴极沉积,但抑制其他晶面的生长,使铜结晶的(220)晶面织构系数明显增大,晶胞尺寸变大,电结晶形态由脊状变为脊状混块状;当i>220A/m2时,杂质中砷离子与铋离子在阴极有少量沉积,沉积层中砷以As和As2O3形式并存,铋以Bi2O3形式存在,铜结晶的颗粒变粗;当电流密度增至800A/m2时,杂质离子会使铜结晶的晶面择优取向从(220)变为(111).     

直流与交直流叠加电解铜样品的结构比较

正1前言铜的金属单质属于面心立方结构(fcc)。晶体生长是有方向性的,晶体在不同的晶格方向上的性质可能不同。晶格中的格点不仅按平行直线排列成行,而且排列成一层层的平行平面。这种由格点组成的平面称为晶面。晶格内的格点可以在不同的方向上组成晶面,这些晶面分别用不同的晶面指数标志和区别。晶体生长时,晶面指数大的优先得到发展,最后形成以低指数面为界的结晶体。     

热处理工艺对316L不锈钢粉末激光选区熔化成形的残余应力及组织的影响

对316L不锈钢粉末进行了激光选区熔化(Selective laser melting, SLM)成形,采用光学显微镜、扫描电镜和电子背散射衍射技术等研究了其热处理前后的残余应力及组织的变化。结果表明:热处理前试样的残余应力值从上表层向靠近基板的底层逐渐增大,残余应力较大;热处理后试样的残余应力降低,转变为较小压应力的稳定态;SLM直接成形试样的晶粒非常细小、晶粒尺寸为1～2μm,以月牙状铁素体组织为主,晶面位向差异与晶界间距大,相互之间形成了不平衡态的熔融热应力,导致产生了较大残余应力;固溶+时效热处理后,合金元素进行固溶重晶,晶粒长大,晶粒尺寸达到10～30μm,形成椭圆形的奥氏体组织,晶面位向差减小,为较均匀的各向同性配置,这种重晶促进了应力释放,残余应力明显降低或消除。     

SiC半导体不同晶面氧化机理及动力学的研究进展

SiC作为一种综合性能优异宽禁带半导体,在金属氧化物半导体场效应晶体管中具有广泛的应用。然而SiC热氧化生成SiO₂的过程具有各向异性,导致不同晶面上的氧化速率差异较大,这会对半导体器件的性能产生不利影响,因而研究SiC各个晶面上SiO₂的生长规律尤其重要。建立有效合理的动力学模型是认识上述规律的有效手段。本文从反应机理和拟合准确度两方面对目前具有代表性的改进的Deal-Grove模型（Song模型和Massoud经验关系式）以及硅碳排放模型（Si?C emission model）进行系统研究和比较。在此基础上,分析已有模型的优缺点,提出本课题组建立的真实物理动力学模型应用的可能性,为SiC不同晶面氧化动力学的准确描述提供进一步优化和修正思路。