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1.
研究了影响LEC生长GaAs单晶锭长的因素。发现,LEC系统中热场分布,热对流,坩埚直径和坩埚初始位置及装料量的多少等对LEC法生长的GaAs单晶锭子长度都有影响。  相似文献   
2.
3.
孙晓玮  曾峥 《电子学报》1995,23(12):78-81
本文给出了一种新颖的微波有源滤波器的拓扑结构及综合方法,并对有源滤波电路进行了计算机模拟,结果表明本文给出的微波有源滤波器电路具有优良的的窄带滤波特性,通带内正向增益大于10dB,带外抑制大于30dB。  相似文献   
4.
5.
采用Ge/Pd/GaAs结构和快速热退火在n-GaAs上形成了低阻欧姆接触,利用二次离子质谱技术揭示和讨论了低欧姆接触形成的机理。比较了采用X^+和GsX^+信号检测的Ge,Pd,Ga和As的深度分布。结果表明采用CsX^+可以提供更准确的结果和成分信息。  相似文献   
6.
半绝缘GaAs单晶化学配比的X射线双晶衍射Bond方法测量   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文利用X射线双晶衍射Bond方法,精确测量了各种条件下生长的半绝缘GaAs的晶格参数.建立了过量As在晶体中存在的间隙原子对模型,在理论上找到了影响半绝缘GaAs晶格参数的根本原因.并建立了半绝缘GaAs晶格参数与化学配比的关系,实现了化学配比的无损测量.这对于GaAs单晶的制备和相关光电子器件的研究具有重要意义.  相似文献   
7.
磁控溅射二氧化硅薄膜的制备工艺   总被引:3,自引:0,他引:3  
宗婉华  马振昌 《半导体情报》1994,31(6):29-33,39
  相似文献   
8.
介绍了一套用于AlGaAs/GaAs HBT集成电路的CAD软件,它可完成HBT的器件模拟、模型参数提取及电路模拟。应用该软件对HBT运算放大器进行了模拟,为电路的研制提供了依据。  相似文献   
9.
论述了多栅开关的结构和特点.针对多栅开关器件结构设计中的参数栅栅间距的选取作了分析,确定当栅栅间距等于源漏间距对栅数的平均值时,开关性能最优,并在实验中得到验证.  相似文献   
10.
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