一个有效的圆片规模布局算法

本文提出了一个圆片规模布局算法，它是国外一个相应算法的改进形式，区别在于利用力定向布局法的方式不同。在相对位置阶段，该算法利用布局的层次特性将需确定所有电路元件相对位置的问题缩减至仅需确定宏电路元件相对位置的问题；在实际位置阶段，采用分治策略和取消前阶段层次划分的方式回避了需确定任意元实际位置的问题．其时间复杂度远低于国外相应算法．     

GaAs亚微米自对准工艺技术研究

总结了在５０ｍｍＧａＡｓ圆片上实现自对准介质膜隔离等平面工艺技术的研究，着重描述了离子注入、自对准亚微米难熔栅制备、钝化介质膜生长、干法刻蚀、电阻和电容制备等关键工艺的研究结果。这套工艺的均匀性、重复性好，在５０ｍｍＧａＡｓ圆片上获得了满意的成品率。采用这套工艺已成功地研制出多种性能良好的ＧａＡｓＩＣ和ＧａＡｓ功率ＭＥＳＦＥＴ，证明国家自然科学基金委员会这一重大课题的选择对发展我国ＧａＡｓＩＣ确实具有重大意义。     

一种新颖的微电子封装:圆片级封装

本文介绍了一种当前正在快速发展的微电子器件的新颖封装－圆片级封装（WLP）的定义，主要优缺点，焊盘再分布和植球等主要工艺过程等。     

适用200mm圆片、0.5μm线宽的半导体设备

本文论述了开发200mm圆片、0.5μm线宽半导体设备的必要性,并介绍4种适用200mm圆片、0.5μm线宽的半导体设备。     

圆片级封装散热问题

本文结合低功率和高功率应用中不同散热要求,对圆片级封装系统散热特性进行分析。     

用热分析法研究硝化棉的熔化过程

用ＭＤＳＣ，显微镜温台熔点测定仪和固体原位反应池／快速扫描傅立叶变换红外光谱联用装置考察了硝化棉的熔化过程。ＭＤＳＣ曲线表明吸热过程是可逆的，它系由ＮＣ和部分分解凝聚相产物的混合物的固液相变所引起。由ＮＣ的ＭＤＳＣ曲线得到的熔点，熔化含，熔化熵，分解含和分解反应热温熵分别为４７６．８４Ｋ，２０５．６Ｊ．ｇ＾－１，０．４３１２Ｊ．ｇ＾－１．Ｋ＾－１，－２４７５．０Ｊ．ｇ＾－１，－５．２４２Ｊ．ｇ＾－     

超细硬质合金圆片刀毛坯生产工艺比较

本文就超细晶粒硬质合金圆片刀毛坯在两种不同生产工艺过程中常见的问题加以综述,并对圆片刀毛坯的不同生产工艺进行对比性研究,为生产高质量、高合格率的超细硬质合金产品提供了有力的依据。