沟道迁移率全球最高的碳化硅半导体在日本问世

日本原子能研究所与独立行政法人产业技术综合研究所(以下简称产综研)，日前成功地联合开发出了采用碳化硅半导体底板的晶体管。作为晶体管性能指标的沟道迁移率(电子活动的难易度)，突破了实用化所要求的标准     

晶须取向对SiCw/6061Al复合材料热压缩变形行为的影响

采用SEM 和 Magiscan-2A 图像分析系统研究了晶须取向对SiCw/6061Al复合材料在300℃压缩变形行为的影响.结果表明:晶须取向影响着晶须折断程度和转动角度; 随着晶须取向角的增加,晶须转动和折断行为所导致的软化效果下降.同时晶须取向也影响复合材料的热压缩应力-应变曲线的形状.在热压缩变形过程中,晶须取向角为0°和30°的复合材料表现出明显应变软化现象, 晶须取向角为45°的复合材料无明显软化现象.晶须取向角为90℃的复合材料表现出应变硬化现象.     

SiC（w）／TZP＋mullite陶瓷复合材料界面和组成设计与力学性能

本文从理论上分析了ＳｉＣ（ｗ）ＴＺＰ＋ｍｕｌｌｉｔｅ（ｐ）复合材料界面残余热应力及其在基质内的分布规律。提出在ＳｉＣ（ｗ）表面涂复Ａｌ２Ｏ３和在ＰＺＴ中加入ｍｕｌｌｉｔｅ（ｐ）联合作用来降低晶须／基质界面残余热应力的界面设计方案，导出ＳｉＣ（ｗ）和ｍｕｌｌｉｔｅ（ｐ）协同补强ＰＺＴ的匹配条件。制备了ＳｉＣ（ｗ）／ＴＺＰ＋ｍｕｌｌｉｔｅ（ｐ）复合材料并了ＳｉＣ（ｗ）表面涂层Ａｌ２Ｏ３厚度和ＳｉＣ（ｗ     

龙海硅业碳化硅微粉产业化项目通过验收

被列为奎屯市科技计划项目——“碳化硅微粉产业化示范项目”，经过近一年的运作，已基本完成合同规定各项指标。此项目产品质量达到国内先进水平，于11月通过专家组验收。     

快速烧结法制备连续碳化硅纤维

通过熔融纺丝，不熔化处理制得连续聚碳硅烷（ＰＣＳ）不熔化纤维，采用快速烧结方法制备出性能较好的连续ＳｉＣ纤维。探讨了气封条件的选择，以及烧结速度对ＳｉＣ纤维的组成，结构及性能的影响。结果表明，快速烧结条件下，可以实现向纤维上施加张力以及纤维的无机化转变，烧结速度加快会降低纤维的Ｃ／Ｓｉ（原子比），同时有利于提高纤维的抗拉强度和热稳定性。     

高压对SiCp／Al复合材料塑性的影响

利用自已开发研制的高压拉伸实验设备，进行了ＳｉＣｐ／ＡｌＭＭＣ在不同压力等级下的高压拉伸实验。研究了ＳｉＣｐ／ＡｌＭＭＣ在高压下的塑性变化，借助扫描电镜对拉伸后的试样进行了宏观及微观断口分析。结果表明：ＳｉＣｐ／ＡｌＭＭＣ在高静液压下塑性可得到很大改善，随压力提高、塑性指标在实验压力范围内呈规律性变化，其断裂方式也由宏观脆性正断逐步转化为韧性切断。     

炭质制品的硅化

1.前言炭质制品硅化已引起了人们的普遍重视,并且得到应用。因为由此而形成的SiC制品气孔率低、密度大,其性能远远优越于以SiC为原料经压型,烧结制成的SiC制品。另外在炭制品表面硅化的SiC防护层,对于弥补炭质制品的某些缺陷起了重要作用。     

太钢3号高炉长寿护身技术应用实践

太钢3号高炉1987年中修时在炉腰、炉身下部4层立冷板采用软水闭路循环冷却,并在软水冷却的5.8m高度范围内采用氮化硅结合的碳化硅砖和高铝砖两环交错砌筑,至1992年2月停炉大修,生产了4年零10个月,取得了一代中修炉龄延长、生产指标改善的效果。生铁产量增加43.1％,高炉利用系数提高0.096,单位炉容产铁量增加897t,炉龄延长454天。     

高速响应碳化硅薄膜热敏电阻

将氧化铝基板表面高频溅射碳化硅薄膜而构成的热敏电阻芯片焊接在一端封口的圆柱金属外壳内,能够探测温度的热时间常数大约为0.6秒。