离子注入中污染的产生及防护

本文概述了离子注入过程中污染产生的原因和防止污染的措施，特别强调了对微粒污染和金属污染的防护以满足ＵＬＳＩ加工对离子注入的要求。     

NMOS器件两次沟道注入杂质分布和阈电压计算

分别考虑了深浅两次沟道区注入杂质在氧化扩散过程中对表面浓度的贡献。对两次注入杂质的扩散分别提取了扩散系数的氧化增强系数、氧化衰减系数和有效杂地系数，给出了表面浓度与工艺参数之间的模拟关系式，以峰值浓度为强反型条件计算了开启电压，文章还给出了开启电压、氧化条件、不同注入组合之间的关系式。     

纯度极高的钼材

法国一家公司制成了一种新型的耐高温合金。该合金以钼为主要成分,含有一定比例的三氧化二钇和钾。这种合金的再结晶温度高,且再结晶后的组织结构良好。试验表明,该合金在1750℃温度下加热差半小时后形成长而大的再结晶组织,同时能够承受3次以上的90度钳口弯折。此外,这种合金还具有延伸率高、容易工成型、抗高温变形性好、尺寸稳定、使用寿命长等优点,是一种理想的耐高温结构材料。新型耐高温合金@李有观     

用作固体氧化物燃料电池密封件的玻璃／陶瓷复合材料

美宇航局格林研究中心的研究人员研究出一系列玻璃陶瓷复合材料，可用作平面固体氧化物燃料电池的密封材料。这些材料是早期为了同一目的而研究出的硅铝酸钡钙玻璃的改进品，早先产品在受热时容易断裂。为了克服这一缺点，向玻璃中添加了0-30mol％的两种陶瓷强化剂。一种强化剂是氧化铝小片，另一种是钇稳定氧化锆微粒。[第一段]     

注氢硅中微结构缺陷的TEM观察

通过透射电子显微镜观察到注氢硅片中存在损伤带，损伤带的位置和注人氢的分布几乎一致，推断损伤带是由于氢的注入引起的。损伤带内主要以平行于正表面的{111}面状缺陷为主，另外还有斜交于正表面的{111}面状缺陷以及{100}面状缺陷，这是由于氢朝能量低的位置的迁移聚集而形成的。在损伤带的中间还可见到晶格紊乱团块和空洞，这是由于损伤带中间存在高浓度的氢和高密度的面状缺陷面导致形成的。     

BiSrCaCuO玻璃表面的离子注入

用ＸＰＳ研究了注入银离子的ＢｉＳｒＣａＣｕＯ玻璃的表面结构，讨论了离子注入对玻璃表面晶体生长的影响。     

面向对注氢硅片中微结构的影响

把不同面向的注氢硅片制成横截面样品,在高分辨率透射电子显微镜下进行观察,发现衬底面向对其中的微结构有明显的影响.首先表现为衬底中主要出现平行于正表面的氢致片状缺陷,即(100)衬底中,主要出现平行于正表面的{100}片状缺陷,而(111)衬底中出现的主要是平行于正表面的{111}片状缺陷.其原因是注入引起垂直正表面的张应变.另外,面向的影响还表现为,(100)衬底中出现的{113}缺陷在(111)衬底中不出现.在(111)衬底中出现的晶格紊乱团和空洞在(100)衬底中不出现.从而推测,{111}片状缺陷的形成不发射自间隙原子,而(100)片状缺陷的形成将发射自间隙原子.