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热处理方法改善CdZnTe晶体性能研究 总被引:1,自引:0,他引:1
对电阻率为10^3-6Ω·cm的In掺杂Cd0.9Zn0.1Te晶片在Te气氛和Cd/Zn平衡蒸汽压下进行了热处理,对电阻率为10^8-9Q·cm的非掺杂晶片则在In气氛和Cd/Zn平衡蒸汽压下进行了热处理。结果表明,In掺杂Cd0.9Zn0.1Te晶片经处理后电阻率可提高3个数量级。非掺杂晶片在In气氛中热处理可很容易地改变导电类型,在热处理温度700℃,In分压6.1×10^-4Pa,退火时间达48h后,电阻率可以提高到2.6×10^9Ω·cm。 相似文献
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