用射频化学气相沉积法制备p型微晶金刚石薄膜

利用射频化学气相沉积法，通过硼的掺杂，在石英玻璃衬底上生长出Ｐ型微晶金刚石薄膜，范德堡法的测试表明，我们得到的薄膜最小电阻率为４×１０－２Ω．ｃｍ，最大空穴迁移率为５０ｃｍ／Ｖ．ｓ；从电阻率与温度关系近似计算出杂质激活能     

TiN涂层性能的分析与测定

测定并分析了用PCVD法获得的TiN涂层内的残余应力、涂层的抗变形性以及涂层的耐磨性。实验结果表明,TiN涂层内有残余应应力存在,在一定的变形力作用下,涂层将发生脆性断裂,TiN涂层的耐磨性是45°淬火钢的24倍。TiN涂层这些特性为它的应用奠定了基础。     

脉冲直流PCVD技术在盲孔底部沉积Ti-Si-N薄膜

用脉冲直流等离子体辅助化学气相沉积(PCVD)技术在盲孔的底部获得Ti-Si-N薄膜。用扫描电子显微镜(SEM)，X射线能量色散谱仪(EDX)，X射线衍射仪(XRD)，球痕法(ball-Crater)，显微硬度计(Hv)和涂层压入仪(Pε)分析不同肓孔深度处薄膜的微观结构和力学性能。结果表明，随着盲孔深度的增加，Ti-Si-N薄膜中Ti与Si元素相对比例降低，薄膜厚度下降，薄膜与基体的结合强度有很大提高，膜基复合显微硬度下降，而薄膜的本征硬度在盲孔深度为20mm处出现最大值。     

PCVD在狭缝内壁沉积Ti-Si-N薄膜的研究

用脉冲直流等离子体辅助化学气相沉积(PCVD)设备在狭缝的侧壁上沉积Ti-Si-N薄膜.经微观物相分析发现,在狭缝的侧壁上随着测试深度的增加,薄膜中Ti元素逐渐减少,Si含量增加,薄膜的相组成始终为nc-TiN/Si3N4.利用球痕法测定了各深度处薄膜的厚度,显微硬度仪测试了侧壁上深度不同位置处薄膜显微硬度.实验结果表明,随测试深度增加,薄膜厚度和显微硬度下降.     

PCVD法沉积Ti(CN)涂层及其抗氧化性研究

应用PCVD技术，以金属有机物TPT作钛源在H13模具钢表面沉积Ti(CN)涂层，研究了不同工艺参数对涂层组织和性能的影响，并对涂层的抗氧化性进行了试验。结果表明，采用适当的沉积温度、压力及氮气流量，可以在H13钢表面得到以Ti(CN)为主的致密涂层，在沉积温度500℃时达到最高硬度HV1760，涂层在600℃以下具有良好的抗氧化性。     

改进的PCVD工艺制造高掺硼材料的性能研究

介绍了一种用于制造光纤的高掺硼石英材料的性能.简单回顾基本的工艺条件和关键工艺参数之后,主要讨论材料性能,如玻璃结构、折射率、粘度、热膨胀系数和残余应力等.另外还介绍了两种高掺硼光棒的性能.     

纳米复合Ti-B-N薄膜的结构和摩擦学性能

研究了射频等离了体辅助化学气相沉积（PCVD）技术获得的Ti-B-N薄膜的组织结构和力学性能。结果发现，B元素的加入使薄膜中出现TiN纳米晶和BN非晶（nc-TiN／a-BN）的复合结构，其硬度显著高于TiN薄膜，最高可达40GPa。用球盘式摩擦磨损实验考察了薄膜的磨损特性。结果表明：与TiN薄膜相比，Ti-B-N薄膜抗磨损性能有显著提高，磨损机制与TiN薄膜不同，摩擦系数较TiN稍高。     

PCVD TiN膜的界面制备及性能

用ＴｉＣｌ４作为反应气体制备ＰＣＶＤ ＴｉＮ镀层,对降低界面的氯含量,改善ＰＣＶＤＴｉＮ镀层的界面性能进行了研究。在镀层制备过程中增加了界面制备过程,即采用氩离子轰击以及氢的反应使界面的氯含量降低,膜基界面得到改善。结果表明,与常规ＰＣＶＤ制备的ＴｉＮ镀层相比,膜层的结合强度有大幅度的提高,耐磨性和耐蚀性均有改善,特别是其耐蚀性达到甚至超过奥氏体不锈钢的水平。     

PCVD法TiN、TiCN涂层工艺研究

研究了四氯化钛、氮气、甲烷通入量对 PCVD 法沉积 TiN、TiCN 涂层硬度、沉积速率以及颜色的影响,进行了磨损试验。结果表明,不同色泽的 TiN 膜中,以金黄色 TiN 涂层硬度最高,磨损量最小。     

WC-Co硬质合金表面MW-PCVD制备金刚石薄膜去钴预处理的研究

研究了ＷＣ－Ｃｏ硬质合金刀具表面微波等离子体化学气相沉积（ＭＷ－ＰＣＶＤ）制备金刚石薄膜时不同的去钴预处理方式的影响。扫描电子显微镜形貌观察和喇曼谱分析表明，利用氢－氧等离子体处理方式有显著的去钴效果，相应沉积获得的金刚石薄膜质量相对较高。与酸腐蚀处理相比，微波等离子体化学气相沉积装置中实现氢－氧等离子体处理方式具有独特的优越性。