爆破工程费用计算方法探讨

爆破工程具有周期短、自成完整体系、技术管理严格的特点,但在费用管理上需进一步规范与整顿。本文阐述了工程费用的构成、调整及爆破工程费用的计算方法。     

超细水泥封堵技术

注水开发后期日益出现的地质问题及油套管的严重损坏,制约了油田的开发效果。针对河南油田注水开发中存在的上述问题,通过对超细水泥堵剂配方、堵剂性能、适应性等方面的研究,可实现对油井的高含水层、注水井的停注无用层、油水井套管外窜槽、穿孔、丝扣处的漏失等方面的封堵,取得了显著效果。自1998年8月-2001年12月在河南油田应用61井次,有效率85.3%,其中油井36井次,年度累计增油1.441×104t,降水7.6123×104m3;水井封堵25井次,累计增注14.32×104m3,控制无效注水16.95×104m3,创效益1800多万元,投入产出比达1:11.36,具有广泛的推广应用价值。     

DST压恢法在大港油田的应用

非自喷井解释方法一直是困扰试井界的难题之一。自1995年底应用DKS2．0软件中DST压恢分析法先后处理了大港油田200多层实测资料以来，发现一部分井与常规分析法的处理结果完全不同。这些井多出现在均质无限大油藏，且其压力及压力导数曲线开口小、导数曲线驼峰较小。通过对DST压恢分析法在大港油田应用情况的分析，认为此方法适用于均质非自喷井，尤其是处理低渗且地层受污染井的结果比较符合地层的实际地质情况，其成果的应用对地层改造有一定的指导作用。     

内管注水泥固井工具的研究与分析

内管注水泥技术是针对大尺寸套管和表层套管固井的特点及特殊要求而采用的一种固井技术，具有省时、替量少等特点，在现场得到大量推广应用。内管注水泥器是内管固井技术的关键工具，其性能好坏直接影响到固井质量。对各种内管注水泥固井工具的结构及特点分别进行了分析研究，并就其发展方向提出建议。     

Φ76mm自动轧管机组穿孔机顶杆小车的改进

通过校核Φ７６ｍｍ自动轧管机组穿孔机顶杆小车的轴承寿命，提出了顶杆小车的改进措施，如重新选配合适的轴承型号，修改有关装配尺寸等。改进后，顶杆小车的使用效果良好。     

铣槽专用夹具设计

从零件的几何形状 ,配合要求入手 ,设计零件铣槽的专用夹具     

钼顶头破坏行为及强韧化分析

通过对钼顶头破坏行为的分析，说明了钼顶头破坏的主要原因。并进一步通过对钼顶头强韧化的分析，阐述了钼顶头延长使用寿命的措施，并制定了钼顶头生产工艺。     

穿甲威力试验方法的改进

引入单发临界穿透速度的概念，２数字仿真技术模拟穿甲威力试验结果，对出的试验结果进行分析，通过分析发现目前试验方法中的缺陷。并提出了改进的试验方法，与目前试验方法比较，改进的方法有很大的优越性。     

通用USB接口设备控制器的研究

简要介绍了USB技术的发展与现状；详细论述了USB系统的硬件结构；深入研究了USB系统的特点；探讨了USB系统目前仍在的问题。     

Low-resistance polysilicon process in contact application for high density devices

For the lowest resistance, it is required to have the epitaxial silicon contact between the silicon plug and the substrate and good step coverage at the high aspect-ratio contact holes, simultaneously. In this work, a double polysilicon (DPS) deposition technique was proposed for the requirements. The first, thin silicon layer is deposited in a single-wafer process chamber with an in-situ H₂-RTP (rapid thermal process) treatment for the epitaxial contact, and the second silicon layer is formed in a batch-type furnace for good step coverage. From chain resistance, Kelvin R_c, and current-voltage (I–V) measurement, the DPS process meets both low resistance and good uniformity, so that it suggests a breakthrough in the small-sized, semiconductor device application.