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Zr41.5Ti14Cu13Ni10Be22.5大块非晶的耐蚀性能 总被引:3,自引:0,他引:3
秦秀娟 《腐蚀科学与防护技术》2003,15(1):52-53
用浸泡法研究了ZrTiCuNiBe大块非晶合金在酸、碱、
盐各种腐蚀性介质中的腐蚀行为.并与典型材料做了比较,结果表明:ZrTiCuNiBe大块非晶合金具有良好的耐蚀性. 相似文献
5.
Cu-Ce-Mn-O/SiO_2/CC作催化剂还原脱除NO研究 总被引:1,自引:0,他引:1
以硅胶改性堇青石蜂窝陶瓷为载体,分别制备了3种不同CuO负载量的Cu-Ce-Mn-O/S iO2/CC催化剂。以CO(NH2)2为还原剂,在固定床反应器中进行选择性催化还原NO的研究。采用XRD、SEM、TPR等测试方法对催化剂进行表征。结果表明,在300~500℃CuO负载量为33%的Cu-Ce-Mn-O/S iO2/CC催化剂效果最好。反应温度为450℃,空速为8 000 h-1时催化剂催化还原NO的转化率可达到88%。 相似文献
6.
A new robust adaptive control of uncertain nonlinear systems is proposed in this paper. The proposed method combines sliding mode control with the immersion and invariance (I&I) adaptive scheme, and it has more available degrees of freedom than using the backstepping scheme. Via the proposed method, a class of nonlinear systems with mismatched parametric perturbations can be rendered asymptotically stable and the performance of the system can also be improved. Finally, the proposed method is applied to a simple pendulum with motor dynamics, and simulation results show the effectiveness and performance of the proposed method. 相似文献
7.
介绍一次性使用无菌注射器用橡胶塞的化学分析方法。在适宜的酸度条件下,用碘量法测定易氧化物;重金属含量通常是测其硫化物的含量来判定的,本方法是采用硫代乙酰胶试剂作沉淀剂;锌离子能与亚铁氰化钾溶液及应生成白色络合物沉淀,因此采用亚铁氰化钾比浊法测其锌含量;利用硫氰酸铵比色法测其铁含量。本方法操作具体,比色明显、定量明确,对试样的测定得到了满意的结果。 相似文献
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工业纯铝在模拟海水中的电化学腐蚀行为 总被引:1,自引:0,他引:1
为研究铝在海水中的腐蚀过程,采用电化学阻抗谱、浸泡试验、扫描电子显微镜研究工业纯铝在模拟海水中的腐蚀行为.结果表明:铝在模拟海水中发生点蚀的区域为富含Fe的晶间化合物处,点蚀半径随时间的增加而扩大.铝在模拟海水中的溶解曲线分为4个区间:活性溶解区、过渡区、过钝化区、钝化区.铝在模拟海水中,极化电位为过钝化区时,转移电阻R t随着电位的升高而变小,铝发生严重的点蚀;而极化电位为钝化区时,铝的转移电阻R t随着电位的升高基本不变,铝的溶解行为受到抑制.工业纯铝在模拟海水中发生点蚀的电位区间是-0.45~-0.65 V,钝化电位区间为-0.75~-0.85 V. 相似文献
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张鸿迪 《兰州工业高等专科学校学报》2015,(1):10-13
为保证西北地区修建的宝兰客运专线铁路黄土路基的强度,必须对黄土填料进行改良.在黄土中掺入不同配比的矿渣脱硫石膏生石灰,养护28 d进行冻融循环试验和浸水试验后测试其无侧限抗压强度,结果表明改良后的黄土强度能够满足铁路路基的强度要求,最后提出作为路基填料的改良黄土的最优配比. 相似文献
10.
Using a one-dimensional self-consistent fluid model, the effect of pulse rise time on charging effects at dielectric surfaces is investigated during plasma immersion ion implantation (PIII) with planar and cylindrical geometries. The numerical results demonstrate that the pulse rise time plays an important role in PIII process with dielectric substrates. It is found that the charge dose accumulated on the dielectric surface is significant as decreasing pulse rise time, and the surface potential decreases at the later stage of the pulse, which results in the lower ion impact energy. On the other hand, the longer pulse rise time would lead to the lower charge dose accumulated on the dielectric surface and higher ion impact energy at the later stage of the pulse, which would elevate the effective implanted dose and introduce the ions to the depth deep enough for surface modification. 相似文献