交变电场结合后处理技术对点蚀破坏电极的修复机理

针对开发的点蚀破坏电极的修复技术——交变电场(AEF)结合后处理技术，应用循环伏安、动电位极化、能谱以及光谱表征技术分别研究了AEF的反应实质与后处理的作用，并结合形貌与光谱表征技术剖析了蚀孔处的修复结果；在此基础上，探讨了该技术的修复机理．     

准互易数字闭环铌酸锂光波导交变电场/电压传感器

本发明包括光源、环形器、起偏器、相位调制器、保偏延时光纤、测量光路、补偿光路、光电二极管、信号处理及光源驱动电路和信号输出与控制接口。起偏器与相位调制器之间的保偏光纤偏振轴以45°对轴熔接,测量光路的铌酸锂直波导传感单元与补偿光路的补偿光纤以90°对轴耦合。参与干涉的两正交偏振模式往返两次通过光路时发生模式互换,且经过相同的光程,构成光纤传导和波导传感的准互易反射式光路。本发明利用铌酸锂晶体的泡克尔斯电光效应对光相位进行调制,实现电场/电压测量,具有较高的灵敏度和测量精度,能有效地分离出被测电压的交直流分量,减少光路空间,易于大规模生产。     

交变电场下不锈钢的电化学行为

主要研究了交变电场下SS304不锈钢在2.5 mol/L硫酸 溶液中的表面成膜情况.运用电位阶跃研究了不锈钢在交变电场高电位、低电位下的电化学 反应；用AFM准现场地观察了不锈钢在交变电场下各个阶段的成膜状况；用XPS分析了膜层的 纵向组成结构.结果表明：交变电场下不锈钢表面钝化膜的生长机制不同于直流钝化.最后 分析了不锈钢在交变电场下的电化学反应和成膜机理.     

天然交变电场法在探查古巷中应注意的若干问题

从方法可行性确认、现场测量设计、野外观测质量保证等三个方面提出天然交变电场法在矿山古巷探查实施中的若干具体要求。从方法原理上探讨论证了可供参考操作的具体措施。     

交变电场下不锈钢钝化膜的钼酸盐修饰研究

根据不锈钢钝化膜的生长过程和钼酸盐的电化学反应机理,调制了相应的交变电场,并获得钼酸盐修饰的不锈钢钝化膜;用XPS和电化学测试研究了钝化膜的组成和性能.结果表明：调制相应的交变电场可以获得所需的组成结构和性能的产物;膜层具有理想的组成结构和性能,其耐蚀性得到提高.     

主动式交变电场电渗微混合通道数值模拟

为了获得快速、充分的流体混合效果,提出了一种主动式增强微通道内流体混合的方法。利用交变电场电渗,在微通道内诱发混沌流,以提高流体混合效率。基于有限元方法采用COMSOL软件对流体混合过程进行数值仿真,分析了相邻电极极性相同和相反时的混合效率及电场强度、电场频率对混合效率的影响。结果表明,此方法能够有效提高微通道内流体的混合效率。选择适当的电场强度和电场频率对提高混合效率有显著的影响。当相邻电极极性相反时,可获得更好的混合效果。定量地评价了该微混合通道的混合效果,即微通道出口处混合效率在0.5 s后较稳定地保持在99%,与无交变电场的电渗相比,混合效率提高了约46%。     

高压交变电场对稻谷储藏品质和加工品质影响

目的 以粮库收储当年的粳稻为研究对象,研究高压交变电场和充氮气调环境中稻谷储藏品质和加工品质特征,旨在初步探讨高压交变电场在稻谷储藏中的应用.方法 采用双因素两水平实验,在28℃下,在空气无电场、空气有电场、充氮气调无电场和充氮气调电场这4个处理环境中对稻谷进行储藏,探讨其品质变化.结果 充氮气调处理对储藏稻谷的水分含量下降,脂肪酸值、黄粒米率、黄度指数和碎米率的上升有显著减缓作用;高压交变电场储藏对稻谷脂肪酸值、黄粒米率、黄度指数和碎米率的上升有显著抑制作用,脂肪酸值和黄变抑制效果相较于充氮气调处理均有不同程度的提高.另外研究表明,电场和气调处理对糙米率和精米率均没有显著影响.结论 在高压交变电场和充氮气调处理环境中储藏稻谷都能起到较好的保质作用,电场处理对于抑制脂肪酸值和黄变有一定优势,这为高压交变电场仓储稻谷的推广应用提供了技术指导.     

低压交变电场协同冰温对带鱼船上保鲜品质的影响

以带鱼（Trichiurus haumela）为研究对象,研究分析低压交变电场对带鱼冰温保鲜的影响。设置低压交变电场强度为2 500、3 500 V/m,对贮藏期带鱼pH值、挥发性盐基氮含量、菌落总数、硫代巴比妥酸值、三甲胺和苏木精-伊红染色结果进行研究分析。结果表明,无电场组在第15天时挥发性盐基氮含量已超过合格品阈值,鱼体腐败严重,有浓郁腥臭味。经过低压交变电场处理后能够显著提高带鱼保鲜效果,延长带鱼货架期7 d以上,抑制贮藏过程中挥发性盐基氮的生成速度,且电场强度越大抑制效果越明显,同时减缓贮藏后期pH值的变化,整个贮藏期菌落总数、三甲胺等指标均优于无电场组。低压交变电场能有效减缓微生物生长,降低对鱼体蛋白质的氧化分解。该研究可以进一步优化电场保鲜过程,为后续一种新型船上运输保鲜装置以及带鱼冰温储藏中技术研发提供一定理论依据。     

基于直流-交变电场的单晶硅3D微纳结构制备方法研究

贵金属颗粒辅助化学腐蚀法在制备硅微纳线结构方面具有独特的作用。为了自动控制贵金属颗粒在单晶硅体内的运动方向,提高制备复杂3D硅微纳结构的可能性和结构品质,提出一种基于复合电场的单晶硅3D微纳结构制备方法。设计了直流-交变复合电场模型来研究贵金属颗粒辅助化学腐蚀法的机理,并分析了电场频率对单晶硅微纳结构的影响。设计了外电场控制模型及试验,讨论了电场强度和电场方向对腐蚀效率和腐蚀轨迹的作用规律。微结构观测结果验证了利用电场控制腐蚀加工过程的可行性,得到了优化的电场电流密度和电场频率工作区间,为制备3D硅微纳结构提供了新的试验思路和机理分析途径。