半导体激光器用铷D2线光电流谱稳频

本文报导了用铷原子７８００Ａ光电流谱来稳定半导体激光器的工作，在光电流谱线的中部发现了有利于稳频的凹陷，将半导体激光器频率锁定在凹陷的中央，估算的频率稳定度为１ＭＨｚ。     

Ca原子的Penning离化

用614.3nm染料激光照射以Ne为缓冲气体的Ca空心阴极灯,观察到了Ca原子的Pen-ning离化效应。对比在Li空心阴极灯中获得的光电流信号,解释了Ca原子的彭宁离化。     

GaAs／AlGaAs多量子阱红外探测器的光电流谱

测量了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ多量子阱红外探测器在零偏压、小偏流和大偏压等条件下的光电流谱，并结合理论计算的光跃迁能量讨论了光电流谱的多峰结构和异常增强特性。     

氖原子弱光电流谱线的观测

应用光电流光谱技术,在空心阴极放电管中首次观测到氖原子的2P_7→4d_5、2P_1→4S_2 和2P_6→4d_J"跃迁产生的三条弱谱线.     

钛钼合金电极在酸性介质中的电化学研究

采用交流阻抗和光电化学等测量方法研究了钛钼合金电极在0.2mol.L-1硫酸和0.2mol.L-1盐酸溶液中的电化学行为。交流阻抗测试结果表明,随着形成钝化膜的极化电位的增加,合金电极的阻抗增大,Mo在合金中的含量达到20%时,电极的阻抗模值|Z|0.05达到最大值;光电流循环伏安测量结果表明合金电极在阳极极化过程中显示阳极光电流,光电流iph随阳极极化电位增大而增加,表明电极表面膜呈n型半导体性质。     

镍阳极氧化膜形成和破坏过程的光电化学响应

测定了镍表面阳极氧化膜在ｐＨ＝８．４硼砂－硼酸缓冲溶液中不同电位下的光电流响应。基于阻抗测量结果的计算表明，钝化膜的平带电位和载流子密度分别为－０．６８Ｖ和１．３×１０（２０）ｃｍ（－３）。对钝化膜和高价氧化膜在形成、生长和破坏过程中的光电流变化进行了现场监测。     

新型Au/TiO_2纳米管的制备及其在化学需氧量测定中的应用研究

该文首次用光电催化的方法,在TiO2纳米管中嵌入金纳米粒子,新材料可以促进界面间电子的传递,有助于电子和空穴对的分离,进而提高光催化效率.对Au/TiO2纳米管进行扫描电子显微镜(SEM),色散型X射线能谱(EDX)和X射线衍射(XRD)表征,结果表明金纳米粒子被成功嵌入TiO2纳米管中,形成蜂窝状结构.将该材料首次用于光电催化法化学需氧量(COD)的测定,发现该传感器的光电流值在1～800mg/L范围内与COD值有良好的线性响应,检测限为0.3 mg/L.利用该传感器测定实际水样的COD值,结果与传统的K2Cr2O7标准方法有较好的一致性.     

微量Xe对He-Ne光电流谱的影响

介绍了微量杂质ｘｅ对光电流谱的影响，测量了光电压与入射光强、放电电流、Ｘｅ浓度的关系，探讨了用光谱方法测量微量杂质的可行性。     

Pt／n—n＋-Si电极上化学沉积铁氰化镍薄膜及其应用

在表面外延生长9μm的n型层的磷重掺杂的硅基底n—n＋一Si）结构上沉积约40nm铂（Pt）,经氩气保护673K热处理30min作为半导体电极（Pt／n—n＋-Si）。将半导体电极和铁氰化钾、硫酸镍以及硝酸钠的溶液接触,沉积出稳定的铁氰化镍（NiHCF）薄膜。复合电极与Pt电极组成光电化学电池,在零偏电压条件下,通过测量该电池的光电流可检测过氧化氢。通过循环伏安和X-光电子能谱对NiHCF薄膜进行了分析与表征。     

基于斯托克斯向量的MOCT故障识别模型的研究

针对传统电磁电流互感器故障时因磁饱和造成继保误动或拒动现象,提出了一种磁光电流互感器（MOCT）快速识别故障发生及类型的方法。该方法以通过石榴石型MOCT的偏振光的三个斯托克斯分量作为特征量,建立支持向量机识别模型,模型核参数及惩罚参数由粒子群寻优选取。此种建模方法仅与斯托克斯分量及故障电流等级有关,与线性双折射及环境变量无关,避免了温度等外界因素对识别的干扰。试验结果表明,识别模型受温度影响小,当训练完成的识别模型工作于不同的温度条件下时,识别误差保持在2%以内。运行中的MOCT可以依靠斯托克斯分量及该模型准确识别故障电流等级,迅速判别出故障类型,精度较其他识别方法更高。