VO2/GaAs异质结的制备及其光电特性研究

采用直流磁控溅射和后退火氧化工艺在p型GaAs单晶衬底上成功制备了n-VO_2/pGaAs异质结,研究了不同退火温度和退火时间对VO_2/GaAs异质结性能的影响,并分析其结晶取向、化学组分、膜层质量以及光电特性。结果表明,在退火时间2 h和退火温度693 K下能得到相变性能最佳的VO_2薄膜,相变前后电阻变化约2个数量级。VO_2/GaAs异质结在308 K、318 K和328 K温度下具有较好的整流特性,对应温度下的阈值跳变电压分别为6.9 V、6.6 V和6.2 V,该结果为基于VO_2相变特性的异质结光电器件的设计与应用提供了可行性。     

“碳化硅功率半导体技术”专题前言

半导体功率器件(即电力电子器件)是电力电子技术的三大核心基础之一,被比作电力电子装置的“CPU”。现有功率器件多采用Si基或SOI基,但是受限于自身材料特性的影响,在节能与转换效率方面越来越显示出他们的局限性。为解决上述问题,半导体功率器件除了继续对传统器件进行新理论和新结构的创新研究外,也正在遵循“一代材料、一代器件、一代装置、一代应用”的发展趋势,从传统的Si基和SOI基向宽禁带半导体SiC和GaN基进行扩展和延伸。     

基于可迁移技能培养的职业生涯管理课程教学改革探索

培养可迁移技能是促进学生适应职场需求的重要教学途径。职业生涯规划课程与学生迁移技能有紧密的联系。高校应当注重从课程内容、创新教学方法与开展实践活动方面探索职业生涯规划课程的教学方法,为高校职业生涯规划课程教学改革提供借鉴,满足学生全面成长需要。     

生产定型可靠性鉴定试验检验下限研究

对应于设计定型可靠性鉴定试验中的检验下限取最低可接受值,生产定型可靠性鉴定试验的检验下限是否取规定值。针对这一疑问,首先阐述了产品生产定型的时机是在设计定型试生产后批量生产前。结合产品可靠性在寿命期内不断增长这一理论,说明了产品可靠性在生产定型时尚达不到规定值。对不同可靠性水平的产品通过可靠性鉴定试验的概率分析,指出检验下限取规定值时好产品通过可靠性鉴定试验的概率很低。分析认为,生产定型可靠性鉴定试验的检验下限应取最低可接受值。     

云杉八齿小蠹Ips typographus L.虚拟模型构建方法研究

本文以云杉八齿小蠹Ips typographus Linnaeus为例,经标本选取,观察虫体整体形态,绘制整体结构草图,电子显微镜观察局部、得到局部数字图像,分别建立虫体每一部分的高精度细节。把模型每部分拼装在一起组成整体模型,构建出了云杉八齿小蠹三维虚拟昆虫数字化模型。     

我国工业化进程中煤矿安全评价分析

对工业化进程中,即1949-2012年我国煤矿事故进行统计分析。建立煤矿安全以自然条件、安全管理和通风系统的3个层次及21个指标的综合评价体系,给出煤矿安全5个等级标准及相应的评价指标量值。应用可拓理论,以平顶山某煤矿为实例,进行计算分析,得出该煤矿等级为Ⅲ级,处于一般安全的状况,需要采取防范措施预防潜在危险因素。评价结果合理。