350MW机组采暖集水箱液位自动控制的完善与实现

辽宁东方350 MW机组采暖集水箱液位自动控制,投产时设计是采用磁翻板就地液位显示加液位接点输出液位高低等信号,配合电气疏水控制系统实现水位自动控制回收系统。运行8年来,该系统经常发生由于液位接点动作故障致使液位自动控制不正常,只能靠人工定期就地控制。为了解决这个问题,从根源上进行了分析,温度是影响原磁翻板液位控制系统正常运行的主要原因,结合原设备的实际状况,在不投入大量改造的基础上又能够解决问题的前提下,利用压力液位的关系特性,提出了相应的改造方案,在实施中得到了非常好的效果,不但设备运行良好同时带来了不菲的经济效益。     

化工新型材料

德国研制柔性超薄霍尔效应传感器霍尔效应传感器目前已在机器人及各种智能设备上获得广泛应用,成为一种标准的传感器。但目前常用的此类传感器为刚性材料制成,且体积较大(厚度约0.5mm)。德国莱布尼茨固体物理与材料研究所的研究人员,用聚酰亚胺或聚醚醚酮(PEEK)薄膜材料作为基底,在其上喷射形成约230nm厚度的金属铋层,导入微小的电极,研发出一种薄膜形状的霍尔效应传感器,这种新型传感器对磁信号的敏感性与目前常用的霍尔效应传感器相当,但厚度大大减低,特别是     

重复经颅磁刺激治疗精神分裂症患者的干预效果观察

目的:观察重复经颅磁刺激(rTMS)治疗精神分裂症患者的干预效果。方法:拟选取本院2018年1-12月收治的精神分裂症患者100例作为研究对象,按照随机数字表法分为对照组与观察组,各50例。两组均给予常规治疗及rTMS,对照组治疗期间给予常规干预,观察组在对照组基础上给予综合护理干预,比较两组干预前后临床症状、焦虑、抑郁程度以及临床疗效。结果:干预前两组各项PANSS评分比较,差异均无统计学意义(P>0.05);干预后观察组各项PANSS评分均明显优于对照组(P<0.05);干预前两组焦虑自评量表(SAS)及抑郁自评量表(SDS)评分比较,差异均无统计学意义(P>0.05);干预后观察组SAS与SDS评分均明显低于对照组(P<0.05);观察组治疗有效率明显高于对照组(P<0.05)。结论:综合护理干预可有效改善精神分裂症患者行rTMS治疗期间焦虑与抑郁,进一步提高临床效果,值得在临床推广实施。     

0Cr20Mn21Ni2N奥氏体不锈钢锻件组织性能研究

研究了无磁钻铤用0Cr20Mn21Ni2N奥氏体不锈钢圆棒锻件横截面的室温强度、硬度和韧性等力学性能,并从微观角度进行了分析。在圆棒表层区域观察到了锻造变形态晶粒组织,而直径四分之一区域为再结晶组织,平均晶粒尺寸为80μm,芯部再结晶晶粒尺寸粗化为150μm,这些差异是由不同的变形温度和降温速度造成的。这种组织差异导致的室温拉伸性能和冲击韧性也有相应的变化趋势。研究结果表明,在900、1000℃以0.5 s-1的应变速率压缩的0Cr20Mn21Ni2N试验钢样品,其应力应变曲线具有一定的加工硬化特征,其芯部硬度比应变速率为0.1 s-1的样品分别提升了28、15 HB。在700、800℃以20%以上的变形量进行压缩时,峰值抗力显著提高,而在900、1000℃以10%~50%的变形量进行压缩时,峰值抗力均无明显提高,可保证顺利的变形过程。     

正确使用DV磁带

DV摄像带种类不多,现在家用DV主要使用微型DV带,也就是常说的MiniDV带,它的尺寸只有66 mm×48 mm×12.2 mm,一般DV盒带上有4个金属电极,有些DV带还装入4 kB的半导体存储器,它们的功能是用来判别盒带的种类型号、磁带厚度、出厂情况以及用来存储或引导索引数据,可以记录拍摄时的重要数据,MiniDV带的制造工艺是在带基上进行金属蒸镀,具有较高耐磨强度和较强磁性能.     

紧凑型电机家族又添新成员

高效、耐用而又小巧、紧凑这就是Maxon公司的高科技微型驱动系列产品，该系列还包括Maxon最小型的电机。新型的RE6电机直径仅6mm。设计额定功率为0．3W，比体积稍大、额定功率为0．5W的RE 8型略低一些。该系列直流电机均采用陶瓷轴一粗细与铅笔芯相当(直径0．8mm)，与钢质轴相比有很多优越之处。尤其是在耐磨性和机械强度方面，比通常材料高出许多。该系列电机的另一个显著特点是没有磁制动器，这是Maxon的一项专利一无铁绕组。     

MTJ MRAM的特性分析与设计

对 MTJ(磁隧道结 )的 GMR(巨磁阻 )效应进行了分析。 MTJ的结构、形态和工作条件会对 GMR效应产生不同的影响。提出了一种 4× 1位 MTJMRAM(磁存储器 )的电路结构 ,每个 MRAM的存储单元由一个MTJ和一个 MOSFET构成 ,用 MTJ两磁极磁化方向的相对取向表示所存储的数据 ,数字线和位线电流产生磁场的共同作用可完成 MRAM数据的写入。     

磁电阻随机存储器MRAM的原理与应用

MRAM是指以磁电阻性质来存储数据的随机存储器。MRAM是大多数手机、移动设备、膝上机、PC等数字产品的存储器的潜在替代产品。从MRAM芯片技术的特性上来看,可以预计它将能解决包括计算机或手机启动慢、数据丢失、数据装载缓慢、电池寿命短等问题,能明显改变消费者使用电子设备的方式。