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1.
反应堆屏蔽计算中经常出现厚屏蔽、小探测器问题,常规蒙特卡罗方法难以有效解决。基于自动重要抽样(AIS)方法,本文提出了小探测器自动重要抽样(SDAIS)方法,并针对小探测器问题,优化了AIS方法的虚粒子赌分裂算法。该方法在自主开发的蒙特卡罗屏蔽程序MCShield上进行了实现。使用NUREG/CR-6115 PWR基准题验证该方法的正确性和计算效率。结果表明,SDAIS方法可有效地解决厚屏蔽小探测器问题,相比AIS方法及传统的重要性方法,计算效率提升1~2个量级。 相似文献
2.
3.
目前油田相当一部分产液井产液量相对较低,井下含水率高。这些特点给油井找水工作增加了很大难度,必然要求测试仪器具有适用于高含水率、低产液量的特点。取样式环空找水组合测井仪与常规过流式仪器相比,有着独特的优势,测量含水时不受井筒内流体的流速和抽油机冲程波动的影响。仪器含水测量精度可达到±5%以内,极大地提高了含水参数资料录取的准确性,对油田动态监测具有重要意义。 相似文献
4.
5.
Dvoryankin V. F. Dikaev Yu. M. Kudryashov A. A. Sokolovskii A. A. 《Measurement Techniques》2003,46(8):806-809
A method is described for determining the instantaneous effective energy of x-ray tube brehmsstrahlung by means of two semiconductor detectors employing epitaxial GaAs structures and a measurement circuit, which together determine the effective energy with an error of 5% in the range 20–80 keV in the presence of nonlinearity in the detector response. 相似文献
6.
Franco Cataldo 《Fullerenes, Nanotubes and Carbon Nanostructures》2004,12(4):765-779
The polyynes produced by the electric arc between graphite electrodes submerged in hexane are readily reduced to a mixture of polyenes and ene-ynes by a treatment with Zn dust and hydrochloric acid. Experimental evidences of this reduction reaction are presented by electronic absorption spectroscopy, FT-IR spectroscopy, and HPLC analysis with diode-array detector. Some consequences of this simple passage from polyynes to ene-ynes are briefly discussed in a biochemical context. 相似文献
7.
8.
9.
Modeling ion implantation of HgCdTe 总被引:2,自引:0,他引:2
H. G. Robinson D. H. Mao B. L. Williams S. Holander-Gleixner J. E. Yu C. R. Helms 《Journal of Electronic Materials》1996,25(8):1336-1340
Ion implantation of boron is used to create n on p photodiodes in vacancy-doped mercury cadmium telluride (MC.T). The junction
is formed by Hg interstitials from the implant damage region diffusing into the MC.T and annihilating Hg vacancies. The resultant
doping profile is n+/n-/p, where the n+ region is near the surface and roughly coincides with the implant damage, the n- region is where Hg vacancies have been annihilated revealing a residual grown-in donor, and the p region remains doped by
Hg vacancy double acceptors. We have recently developed a new process modeling tool for simulating junction formation in MC.T
by ion implantation. The interstitial source in the damage region is represented by stored interstitials whose distribution
depends on the implant dose. These interstitials are released into the bulk at a constant, user defined rate. Once released,
they diffuse away from the damage region and annihilate any Hg vacancies they encounter. In this paper, we present results
of simulations using this tool and show how it can be used to quantitatively analyze the effects of variations in processing
conditions, including implant dose, annealing temperature, and doping background. 相似文献
10.
将薄膜电容真空计的测量室接于被测密闭容器,静态真空室接于一个比较容器,即组成一台压差式漏率测试仪。首先使两容器压力平衡,真空计读数为零。当被测容器存在漏孔时,真空计薄膜两侧形成压差,真空计指示读数,继而计算出该容器的漏率。应用商品真空计在抽真空测试时,检测的最小可测漏率达10-4~10-5Pa·L/s;而在充压测试时,因受气体温度变化的影响,灵敏度会降低几个量级。该仪器有可能具备寻找漏孔位置和确定漏孔漏率的功能。 相似文献