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1.
实验室间能力比对作为重要的外部质量评价手段,被越来越多的实验室所采用,它不仅是质量控制的一种有效方法,也是衡量各实验室间能力的一个重要手段.而半导体器件静态直流参数是器件基本参数之一,是半导体器件筛选环节必检项目.该文以半导体器件静态直流参数为例阐述实验室间能力比对的方法. 相似文献
2.
新型的芯片间互连用CMOS/BiCMOS驱动器 总被引:5,自引:2,他引:3
从改善不同类型 IC芯片之间的电平匹配和驱动能力出发 ,设计了几例芯片间接口 (互连 )用 CMOS/Bi CMOS驱动电路 ,并提出了采用 0 .5 μm Bi CMOS工艺 ,制备所设计驱动器的技术要点和元器件参数。实验结果表明所设计驱动器既具有双极型电路快速、大电流驱动能力的特点 ,又具备 CMOS电路低压、低功耗的长处 ,因而它们特别适用于低电源电压、低功耗高速数字通信电路和信息处理系统。 相似文献
4.
随着微波半导体技术的发展,近年来出现不少新结构、新器件。本文介绍国外异质结双极晶体管的发展,包括AlGaAs/GaAs,InP/InGaAs,GeSi等开发现状和性能参数达到的水平。 相似文献
5.
6.
开关电源按变流电路方式可分为脉冲宽度、调制变流器和谐振型变流器,它们广泛应用在产业和民用电子机器中,美国预计1992年将销售32亿美元,日本目前开关电源市场规模己达2000亿日元。 相似文献
7.
深亚微米MOSFET衬底电流的模拟与分析 总被引:1,自引:0,他引:1
利用器件模拟手段对深亚微米MOSFET的衬底电流进行了研究和分析,给出了有效的道长度,栅氧厚度,源漏结深,衬底掺杂浓度以及电源电压对深亚微米MOSFET衬底电流的影响,发现电源电压对深亚微米MOSFET的衬底电流有着强烈的影响,热载流子效应随电源电压的降低而迅速减小,当电源电压降低到一定程度时,热载流子效应不再成为影响深亚微米MOS电路可靠性的主要问题。 相似文献
8.
可关断晶闸管简称GTO,它具有晶闸管的全部特点,如耐压高、电流大、承受浪涌能力强、造价便宜等。此外,它还有自己独特的优点,即用门极讯号既可控制其导通,又可控制其关断,这对晶闸管来说是实现不了的。众所周知,晶闸管一旦在门极讯号作用下,使其导通后,即使撤去门板讯 相似文献
10.