新型高K栅介质ZrO2薄膜材料的制备及表征

采用超高真空电子束蒸发法制备了新型高 K栅介质-非晶 ZrO2薄膜. X射线光电子能谱 (XPS) 中 Zr3d5/2 和 Zr3d3/2 对应的结合能分别为 182.1eV和 184.3eV, Zr元素的主要存在形式为 Zr4+,说明薄膜由完全氧化的 ZrO2组成 ,并且纵向分布均一.扩展电阻法( SRP)显示 ZrO2薄膜的 电阻率在 108Ω@ cm以上,通过高分辨率透射电镜( HR- XTEM)可以观察 ZrO2/Si界面陡直,没有 界面反应产物 ,证明 600℃快速退火后 ZrO2薄膜是非晶结构.原子力显微镜( AFM)表征了薄膜的 表面粗糙度,所有样品表面都很平整,其中 600℃快速退火样品 (RTA)的 RMS为 0.480nm.     

基于FPGA技术的以太网远程网桥的实现

如何适应以太网 (FTTB +LAN)接入网的发展是宽带城域网建设中迫切需要解决的问题。文章介绍了采用Altera公司的ACEX系列器件 ,配以异步SRAM ,完成了具有可变比特率特性的以太网数据流和适合传统电信链路传输的具有固定比特率特性的E1数据流之间的相互转换 ,实现了以太网至城域骨干网的接入 ,并给出了转换模块中 4 / 16位变换器和SRAM接口模块的算法设计流程图     

随机激光器的最新进展

综述了近年来随机激光器的最新研究结果，包括随机激光产生的机制，随机增益介质的制备方法，随机激光器的激励与发光特性和随机激光理论。最后，介绍了随机激光器的应用前景。     

慧眼察细节——谈桌面激光打印初选购要点

激光打印机经过几年的快速发展，现在中小企业和SOHO用户已经是桌面黑白激打的主要用户群体，不同的产品性能、服务以及价位的组合将适应企业用户不同应用环境的需要。以目前的打印需求看，作为该领域内的高性能需求用户，主要着眼点集中在打印质量的一流     

SO2-4/ZrO2-SiO2的制备及其催化合成丁酸丁酯

采用分别沉淀/混合沉淀法、改性共沉淀法和以硅溶胶为硅源的共沉淀法制备了SO2-4/ZrO2-SiO2固体超强酸催化剂;考察了沉淀剂及沉淀终点的pH等制备条件对分别沉淀/混合沉淀法制备的SO2-4/ZrO2-SiO2催化剂催化合成丁酸丁酯活性的影响;探索了ZrO2-SiO2的制备方法、反应时间对SO2-4/ZrO2-SiO2催化剂活性的影响.实验结果表明,以硝酸铵为沉淀剂,当沉淀终点的pH为7～8时,采用分别沉淀/混合沉淀法制备的SO2-4/ZrO2-SiO2催化剂的活性较高(酯化率88.7%),但分别沉淀/混合沉淀法制备的ZrO2-SiO2组成不均匀;以硅溶胶为硅源采用共沉淀法制备的SO2-4/ZrO2-SiO2催化剂催化合成丁酸丁酯,在正丁醇0.48 mol、正丁酸0.40 mol、反应时间3 h、不添加任何带水剂的条件下,酯化率高达96.4%,该方法制备的催化剂稳定性和再生性能好,制备成本低.     

Ca掺杂钨镁酸铅陶瓷材料的制备及其介电性能

研究了Ca掺杂钨镁酸铅(PMW)陶瓷材料的合成、结构、烧结以及介电性能。结果发现：在Ca^2 摩尔分数小于15％时，能形成单相的PCMW钙铁矿相，结构由原来的斜方相向立方相转变。用二步合成法制备的样品容易致密烧结，气孔率比一步法制备的样品小。Ca的加入降低了材料的介电损耗，在频率为1MHz时，介质损耗达到了10^-4。当Ca^2 摩尔分数大于10％时，材料的Curie峰宽化显著，介电常数温度系数降低。     

垂直磁记录介质薄膜研制的新途径(英文)

本文阐述了铝氧化电沉积法获得磁记录材料的基本原理,研究了铝交流氧化膜中沉积磁性金属及其合金制备垂直磁记录薄膜的新途径,建立了铝交流氧化电沉积法,探讨了氧化膜的结构和磁特性的关系。     

利用入射角度抗辐射干扰

理论和初步实验证明，利用电磁波相对于介质片的入射角度可以较好地抑制辐射干扰。对于平行极化波，当入射角θ＝ａｒｃ ｓｉｎ√ε２／（ε１＋ε）２时可以穿过介质片，而对于垂直极化波则只有极少部分能量穿过。     

柴油机工作介质及使用

要想使柴油机更好工作，对其工作介质－柴油，润油油，冷却液，一定要有充分认识。文章较详尽介绍了它们的特点，选用等，很为具体，可作为建设机械广大用户及设计者参考。