基于APD的2.5D封装中介层自动化设计

由于高带宽存储器(High Bandwidth Memory,HBM)的高带宽特性,在2.5D封装中介层(Interposer)的版图设计过程中存在大量HBM接口的连线需要手动完成。介绍了如何使用SKILL语言在Allegro封装设计工具(Allegro Package Design,APD)中实现HBM接口的自动布线,将原来的手动布线时间从2周缩短到10 min,大大压缩设计周期。     

一种在线烧写Flash的方法研究与实现

本文介绍了一种基于VXI总线，共享存储器的Flash ROM在线烧写方法，阐述了系统的功能，并给出了系统的硬件组成和软件设计。     

串行存储器MM36SB020与单片接口技术

本文简单介绍了MEGAWIN公司生产的e-Flash存储器MM36SB020，讲述了它的特点、结构、指令集并给出了它的读写程序．该串行Flash存储器因体积小、密度高、功耗低、操作简单而倍受青昧，具有掉电保存数据的特点．     

OTP工艺的基本特点和工艺难度简介

什么是OTP?——这样的产品只允许写入一次，所以被称为“一次可编程只读存储器”(One Time Progarmming ROM，OTP-ROM)。     

德州仪器推出三款基于快闪的新型低价数字信号控制器

德州仪器(TI)日前宣布推出三款具有竞争优势的低价数字信号控制器TMS320F2801、TMS320F2806及TMS320F2808。这些产品具有强大的控制功能,持续为相关方案提供更多特征以及功能,帮助嵌入式控制产品开发商开发创新产品对系统复杂的要求。这些新型控制器可提供领先的100MIPS的性能。     

铁电存储器的研究进展

介绍了铁电存储器的存储原理,同时对两种铁电存储器(铁电随机存取存储器和铁电场效应晶体管存储器)的研究进展、当前存在的问题以及我国目前在这一领域的研究现状进行了简单介绍,并对今后的技术发展进行了展望。     

嵌人式与独立存储器设计上的差异分析和研究

进入21世纪,随着集成电路的发展,SoC(System on Chip)片上系统应运而生。而作为SoC重要组成部分的嵌入式存储器,在SoC中所占的比重正逐步增加,并起着越来越重要的作用,那么嵌入式存储器与独立的存储器芯片在设计上存在着哪些差异?对此本文将以NOR型闪存为例在制造工艺的选取、衍生产品的设计、功耗与噪声、后端功能仿真、测试与修复等方面进行分析和研究。     

IEDM大会展现微米/纳米电子技术方面的进步

“2003年国际电子器件大会”(IEDM)于2003年12月8日至10日在美国华盛顿希尔顿大酒店举行。有关微米和纳米电子器件及工艺方面的进展情况在会上发表的诸多论文中有所涉及。此次展会囊括了硅器件和非硅材料器件技术、光电子、MEMS以及分子电子器件方面的最新成果。     

Flash器件中氧化硅/氮化硅/氧化硅的特性

对普遍采用的氧化硅/氮化硅/氧化硅( ONO)三层复合结构介质层的制备工艺及特性进行了研究分析,研究了ONO的漏电特性以及顶氧( top oxide)和底氧( bottom oxide)的厚度对ONO层漏电的影响.结果表明,采用较薄的底氧和较厚的顶氧,既能保证较高的临界电场强度,又能获得较薄的等效氧化层厚度,提高耦合率,降低编程电压.     

光折变三维信息存储器

分析光折变三维存储器的机理,探讨了光折变三维存储器的编码方式、光折变材料的选择及存储技术,阐述了其产业化进程.