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介绍了用有限元方法计算半导体方块电阻四探针测试中二维点电流势场的模型并且证明了其正确性。由于有限元方法对边界没有限制,该方法为方块电阻测试中精确确定边界修正系数,更重要的是为微样品测试结构确定提供直接明了的理论依据。 相似文献
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袁秀莲 《河南机电高等专科学校学报》2010,18(5):20-23
随着嵌入式系统的迅速发展,其游戏娱乐功能越来越受到重视。ARM系统是一种典型的嵌入式系统,在ARM微处理器S3C2410硬件平台和WinCE操作系统上,设计并实现了"俄罗斯方块"游戏,包括总体设计、算法实现、游戏测试等,着重介绍了游戏中的数据结构、图形处理、游戏控制等的实现技术。 相似文献
7.
目的研究磁控溅射工艺对ITO薄膜光电性能的影响,为制备高性能ITO薄膜提供数据和理论支撑。方法采用磁控溅射在PET基材上制备ITO薄膜,利用扫描电镜、X射线衍射仪、分光光度计、四探针、红外发射率测仪、Hall效应测试系统等,分析工艺参数对ITO薄膜光电性能的影响。结果随着氧气流量的增加,ITO薄膜在可见光区的透过率先增加,然后变缓,薄膜方块电阻先降低后升高;随着工作气压的增加,ITO薄膜的可见光透过率增加,薄膜方块电阻先下降后上升,电阻率先变小再增大,载流子浓度先增大后减小,红外发射率先减小后增大,晶体结构逐渐由晶态转变为非晶态;随着氩氧比的降低,薄膜红外发射率先降低,然后缓慢升高;随溅射时间的增加,薄膜的厚度逐渐增大,方块电阻、红外发射率和可见光透过率迅速下降,晶体结构逐渐由非晶结构转变为晶体结构。综合对比研究发现,当氧气流量为0.6 mL/min、工作气压为0.4 Pa、氩氧比为19.8∶0.2、溅射时间为80 min时,可获得综合性能优异的ITO薄膜,其可见光透过率大于80%,在8~14μm红外波段的辐射率小于0.2。结论磁控溅射工艺参数是决定薄膜综合质量的重要因素,通过严格控制工艺参数,可获得透明性高、发射率低的ITO薄膜。 相似文献
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每逢春节,想必有不少人都会绞尽脑汁制作精美的电子贺卡为远方的亲朋好友送上一份新年祝福。虽说礼轻情意重,但贺卡的样式和内容也得与时俱进,最好能带给收件人一份意外惊喜。本文就将教你一招,保准让电子贺卡立马变得神秘、酷炫起来。 相似文献
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俄罗斯方块相信各位童鞋小时都玩过吧,这玩意儿无非是用4个小方块组成不同形状的来搭积木。既然这玩意儿有这样的特点,那么咱们下面要做的书架除了装得多之外,最关键的是要是咱们看它不顺眼,立马就可以给这玩意儿换个造型…… 相似文献