深亚微米标准单元库的设计与开发

随着深亚微米工艺技术的发展，0．18μm COMS工艺巳成为国际主流的集成电路工艺标准。国内的深亚微米工艺也日趋完善，我们首家针对中芯国际0．18μm工艺，成功设计开发了0．18μm标准单元库。本文简要介绍了0．18μm标准单元库的设计与开发。     

光纤同步网讲座（四）：光纤同步网单元设备

本文首先扼要介绍了ＳＤＨ设备主要特点，接着讨论了ＳＤＨ设备标准参考模型单元功能块组成及外部光接口标准，最后简要说明了ＳＤＨ设备的物理实现方法。     

芯原发布针对中芯国际0．15μm（G／LV）工艺技术的标准单元库

业界领先的系统级芯片智能模块供应商芯原微电子，10月10日正式发布针对中芯国际集成电路制造有限公司(中芯国际)0．15μm一般性和低压CMOS工艺的标准设计平台。该标准平台包括标准单元库(standard cell library)，输入/输出单元库(I／O cell library)和单/双口静态存储器(single port and dualport SRAM)的存储器编译器，     

抗辐照标准单元库验证方法研究

对抗辐照单元库的验证方法进行研究。以0.5μm抗辐照单元库为例,研究抗辐射单元库的验证方法。设计了一款验证电路,对单元库进行验证,单元库功能和性能满足设计要求,抗辐射能力达到500 krad(Si)。     

东莞理工学院

结合自然的总体布局 特殊的地段条件及高标准的设计要求,会产生独特的平面布局。东莞理工学院松山湖新校区建工、机电、化工实验教学楼由若干个系部组成,结合地段特点采用“鱼脊式”的建筑布局方式,以标准单元及公用枢纽组成相互连接,可分可合、使用灵活、方便管理、易于扩建的实验教学楼建筑群。根据需要建成长的、短的、单层的、多层的各系部教学用房,从而形成高低错落、变化丰富的总体布局。     

40nm工艺下反向窄沟道效应对VLSI电路设计的影响

反向窄沟道效应(INWE)是纳米级工艺下较为明显的版图效应,它使MOS管阈值电压Vth随着OD(扩散区)宽度的下降而下降,由此使得饱和电流Idsat提高并最终影响器件的速度.重点阐述了产生INWE的原因,同时将INWE考虑在标准单元库的设计当中.以TSMC N40LP 12T标准单元库为基础,根据INWE现象重新对电路结构(Circuit Structure)和版图(Layout)进行设计,最终能够在原有版图面积下整体性能提升5%以上,整体功耗升高控制在2%以内,从而得到有着更好PPA(Power Performance Area)指标的标准单元库器件.     

利用Astro对ePro系统进行布局布线

本文详细介绍了利用Synopsys公司的布局布线工具Astro对ePro系统进行版图设计的流程和注意事项。     

再见了，门阵列!

与关于PC工业衰退将导致半导体工业的主要部分受到损害的宣传不同。ASIC从其收入和盈利增长的角度来看，都比以往有更强劲的增长。     

0.13μm抗辐射SOI CMOS标准单元库建库流程研究与实现

基于0.13μm部分耗尽绝缘体上硅(SOI)互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺线,开发了全套0.13μm抗辐射SOI CMOS工艺的标准单元库。针对深亚微米SOI器件的辐射效应,在电路设计和版图设计上进行了加固,达到了比较好的抗辐射效果。对SOI标准单元库的建库流程的各方面做了比较深入的介绍,通过Hspice仿真验证单元库中加固D触发器(DFF)抗单粒子效应的能力并对不同加固方式的性能开销进行了对比。利用已建立的0.13μm抗辐射SOI CMOS标准单元库设计了测试芯片以验证库的可靠性。     

亚太地区雄霸ASIC市场

正ASIC(专用集成电路),它是按用户设计要求,在一个芯片上实现特定部分或全部功能的集成电路,具有高性能、高可靠、高保宻、低成本和少量生产的特点,因而特别受到军用和业界产品实现差异化的关注。ASIC属于定制电路(custom IC)之一,但ASIC本身又分成定制和半定制电路两类。而包括处理器、标准逻辑电路、存储器和模拟电路等则称通用(标准化)集成电路。坚信"半导体决定一个国家盛衰"的日本半导体专家牧