锰氧化物催化氨氮氧化的电子转移路径研究

将附有MnO_x的活性碳颗粒(MnO_x/AC)作为燃料电池(FC)的阳极,以研究锰氧化物(MnO_x)催化氨氮氧化过程的电子转移路径。结果表明,有MnO_x附着的活性碳在FC(MnO_x/AC-FC)中对NH_4~+-N的去除率比原始活性碳在FC(AC-FC)中对NH_4~+-N的去除率高1.3倍,且MnO_x/AC-FC的最大电流密度为26.0 m A/m~3,而AC-FC无电流产生。这表明MnO_x可作为电子介体把NH_4~+-N中的电子从阳极传递到阴极,最终被阴极电子受体的O_2接收。当添加质量浓度1 mg/L的Mn~(2+)于MnO_x/AC-FC电解液时,与无Mn~(2+)添加相比,NH_4~+-N的去除率增大至48.8%,可能是Mn~(2+)在MnO_x的自催化作用下能形成新的MnO_x,为催化氨氮氧化提高了更多的活性位,促进了NH_4~+-N的去除。     

阿糖胞苷联合吡柔比星对白血病患者血清VEGF及bFGF因子水平的影响

目的:探讨阿糖胞苷联合吡柔比星对白血病患者血清血管内皮生长因子(VEGF)及碱性成纤维细胞生长因子(bFGF)水平的影响。方法:选取2017年2月-2019年2月本院收治的白血病患者74例,随机分为两组,对照组进行阿糖胞苷联合柔红霉素治疗,研究组进行阿糖胞苷联合吡柔比星治疗。比较两组疗效、VEGF和bFGF水平、毒副反应、感染情况。结果:治疗2个疗程后,研究组有效率为91.9%,高于对照组的73.0%(P<0.05)。两组化疗前VEGF、bFGF水平比较,差异均无统计学意义(P>0.05);两组化疗后VEGF、bFGF水平均有所下降,且研究组均低于对照组(P<0.05);研究组毒副反应发生率为10.8%,感染发生率为10.8%,均低于对照组的37.8%和32.4%(P<0.05)。结论:白血病治疗中,阿糖胞苷联合吡柔比星的疗效较佳,可改善血清VEGF及bFGF因子水平,应该在临床上多加推广与应用。     

稀土在激光熔覆镍基自熔合金中的作用

采用CO2激光器在低碳钢表面进行激光熔覆处理,研究了稀土氧化物在激光熔覆Ni45自熔合金层中的作用.结果表明,加入适量稀土的熔覆合金层组织得到细化,其在还原酸中的耐蚀性和抗高温氧化能力较不加稀土镍基合金熔覆层都有较大提高,更远高于低碳钢.可见,稀土变质的激光熔覆处理对提高低碳钢性能具有重要指导意义.     

天津石油化工公司研究院

MAF是由天津石化公司研究院开发的合成丙二醇醚新型固体碱性催化剂，活性高，选择性好，无毒无污染，不腐蚀设备，与反应液分离简单。用于合成丙二醇甲醚时，环氧丙烷转化率大于98%，单醚选择性大于93%，单醚收率大于90%，伯醚选择性为92%-93%。     

介孔-大孔结构无定形硅-铝催化剂的核磁共振研究

合成了具有介孔-大孔双模型分级结构的无定形硅-铝催化剂,利用硅和铝核的固体魔角核磁共振谱,考察了合成样品中硅和铝结构上的原子特征.     

四节标准NiMH电池充电器

Dallas Semiconductor推出DS2714标准NiMH电池充电器。可以检测并防止对碱性原电池、锂原电池和已损坏的NiMH或NiCd电池充电。DS2714设计为使用稳压的充电电源，可以为1至4节NiMH或NiCd电池充电，包括大多数消费电子中常用的AA或AAA尺寸。     

炼油厂碱性污水生物催化氧化预处理工艺研究

在对炼油厂碱性污水水质分析的基础上,提出采用生物催化氧化工艺对碱性污水进行预处理。试验结果表明,在水力停留时间为4 h,曝气量(标准状态)为8 m3／h的条件下,碱性污水的硫化物去除率可达90％以上,出水中的硫化物平均值为15．2 mg/L,CODCR、酚和油的去除率分别为47．5％,44．1％,50．8％,其中CODCR体积负荷为3．85 kg／(m3·d),是传统生化处理的10倍, 达到了污水预处理的目的。     

溶胶--凝胶镀膜技术综述(连载5)

第三节　常见氧化物膜目前研究最多的氧化物膜可谓二氧化硅和二氧化钛膜 ,这两种薄膜也是接受呈色离子、制备彩色镀膜常用的基体膜 ,所以 ,有必要将它们单独列出 ,加以讨论。1　二氧化钛膜在所有高折射率材料中 ,由钛的化合物制备的氧化物膜具有特殊的实际意义。因此 ,对二氧化     

新型MSIS结构气敏电容的研究

采用静电喷雾高温分解工艺制备ＳｎＯ２气敏膜，并与Ｓｉ３Ｎ４－ＳｉＯ２集成多层介质膜，用催化金属Ｐｔ作栅电极，制成新型的ＭＳＩＳ结构气敏电容。通过检测平带电压的变化，研究对Ｈ２和Ｏ２的气敏特性，分析其气敏机理并提出了检测的物理模型．     

荧光显示管直丝氧化物阴极有效逸出功的计算

阴极的逸出功是表征阴极发射能力的物理量，求定荧光显示管直丝氧化物阴极有效逸出功时，因其零场发射电流密度难于准确取值，温度无法直接测量，显得困难，须予解决，为此提出了一种计算阴极有产逸出功的办法，对某显示管的发射欠佳和“低温高效”的两种氧化物阴极的有效逸出功进行计算，有效逸出功率是靠测量相关物理量再同计算得出，精度不很高，文中所用办法也不例外，但所得结果能反映阴极发射能力，所需仪器少，是实用方法。