晶型及化学成分对SiC粉体氧化性能的影响

研究粒度标号为W2.5和W10、晶型为3C和6H的3C-W2.5、3CW10、6H-W2.5、6H-W10这4种SiC粉体的氧化性能,通过同步热分析仪讨论4种粉体在30~1 400℃时的非等温氧化特性,采用X射线衍射和扫描电子显微镜对氧化前、后粉体的物相和表面性质进行表征。结果表明:起始氧化温度从高到低的SiC粉体依次为3C-W10、6H-W2.5、6H-W10、3CW2.5,与其化学成分中SiO2相对含量由大到小的关系相一致;在相同实验条件下,高温氧化后同一晶型的粉体粒度标号为W2.5的质量变化大于W10的,粒度相同时,3C-SiC的质量变化小于6H-SiC的;加热至1 400℃后,SiC晶体表面有玻璃状SiO2生成。     

沟道迁移率全球最高的碳化硅半导体在日本问世

日本原子能研究所与独立行政法人产业技术综合研究所(以下简称产综研)，日前成功地联合开发出了采用碳化硅半导体底板的晶体管。作为晶体管性能指标的沟道迁移率(电子活动的难易度)，突破了实用化所要求的标准     

晶须取向对SiCw/6061Al复合材料热压缩变形行为的影响

采用SEM 和 Magiscan-2A 图像分析系统研究了晶须取向对SiCw/6061Al复合材料在300℃压缩变形行为的影响.结果表明:晶须取向影响着晶须折断程度和转动角度; 随着晶须取向角的增加,晶须转动和折断行为所导致的软化效果下降.同时晶须取向也影响复合材料的热压缩应力-应变曲线的形状.在热压缩变形过程中,晶须取向角为0°和30°的复合材料表现出明显应变软化现象, 晶须取向角为45°的复合材料无明显软化现象.晶须取向角为90℃的复合材料表现出应变硬化现象.     

SiC（w）／TZP＋mullite陶瓷复合材料界面和组成设计与力学性能

本文从理论上分析了ＳｉＣ（ｗ）ＴＺＰ＋ｍｕｌｌｉｔｅ（ｐ）复合材料界面残余热应力及其在基质内的分布规律。提出在ＳｉＣ（ｗ）表面涂复Ａｌ２Ｏ３和在ＰＺＴ中加入ｍｕｌｌｉｔｅ（ｐ）联合作用来降低晶须／基质界面残余热应力的界面设计方案，导出ＳｉＣ（ｗ）和ｍｕｌｌｉｔｅ（ｐ）协同补强ＰＺＴ的匹配条件。制备了ＳｉＣ（ｗ）／ＴＺＰ＋ｍｕｌｌｉｔｅ（ｐ）复合材料并了ＳｉＣ（ｗ）表面涂层Ａｌ２Ｏ３厚度和ＳｉＣ（ｗ     

《中国粉体工业通鉴》2008版入编招商启动

集聚100余位粉体专家组成《中国粉体工业通鉴》院士指导委员会和编委会编纂的粉体技术开发与应用大型工具书——《中国粉体工业通鉴》（第四卷／2008版），由中国建材工业出版社将于2008年8月出版，面向国内外发行。从即日起全面启动项目入编、广告招商工作。     

我国粉体行业首部大型信息类专业资料工具书《中国粉体工业通鉴》(2005版)问世

由我国粉体行业众多知名专家学者、信息资深人士和30余家行业媒体共同打造的大型粉体信息类专业资料工具书——《中国粉体工业通鉴》(2005版)(原名中国粉体工业信息大全)，目前出版，面向全国发行。     

2008北京国际粉体展已于4月3—5日在北京展览馆隆重召开

粉体业界期盼已久的2008 Powder World北京国际粉体展已于4月3-5日在北京展览馆隆重召开，此次展会是由中国建筑材料联合会粉体技术分会与中国国际贸易促进委员会建筑材料行业分会倾力打造的国际化专业粉体盛会。     

粉体行业最大的网上展览及交易市场平台上线试运行

经过近3个月的努力，近日粉体行业最大的网上展览及交易市场（www．powdershow．com．cn）平台上线试运行，该平台由中国粉体网独立开发完成，中国粉体网作为中国领先的粉体行业门户网站，始终坚持以“为中国粉体行业提供完善的信息服务”为宗旨。     

铜基粉体材料种类、特性、用途介绍

目前，我国宝铜基粉体材料应用正日益广泛，铜基粉体材料包括电解铜粉、低松装密度水雾化铜粉、铜合金粉、氧化铜粉、纳米铜粉和喷涂用抗氧化仿金铜合金粉等六大类，特性、用途也不尽相同。[第一段]