全文获取类型
收费全文 | 12553篇 |
免费 | 630篇 |
国内免费 | 830篇 |
专业分类
电工技术 | 925篇 |
综合类 | 777篇 |
化学工业 | 1611篇 |
金属工艺 | 703篇 |
机械仪表 | 574篇 |
建筑科学 | 1104篇 |
矿业工程 | 249篇 |
能源动力 | 414篇 |
轻工业 | 1457篇 |
水利工程 | 248篇 |
石油天然气 | 427篇 |
武器工业 | 27篇 |
无线电 | 2827篇 |
一般工业技术 | 777篇 |
冶金工业 | 599篇 |
原子能技术 | 48篇 |
自动化技术 | 1246篇 |
出版年
2024年 | 98篇 |
2023年 | 333篇 |
2022年 | 398篇 |
2021年 | 397篇 |
2020年 | 262篇 |
2019年 | 358篇 |
2018年 | 189篇 |
2017年 | 288篇 |
2016年 | 284篇 |
2015年 | 355篇 |
2014年 | 771篇 |
2013年 | 542篇 |
2012年 | 592篇 |
2011年 | 660篇 |
2010年 | 578篇 |
2009年 | 634篇 |
2008年 | 694篇 |
2007年 | 603篇 |
2006年 | 588篇 |
2005年 | 573篇 |
2004年 | 539篇 |
2003年 | 532篇 |
2002年 | 443篇 |
2001年 | 366篇 |
2000年 | 443篇 |
1999年 | 345篇 |
1998年 | 294篇 |
1997年 | 237篇 |
1996年 | 254篇 |
1995年 | 274篇 |
1994年 | 215篇 |
1993年 | 184篇 |
1992年 | 161篇 |
1991年 | 186篇 |
1990年 | 129篇 |
1989年 | 148篇 |
1988年 | 19篇 |
1987年 | 9篇 |
1986年 | 4篇 |
1985年 | 4篇 |
1984年 | 6篇 |
1983年 | 8篇 |
1982年 | 4篇 |
1981年 | 5篇 |
1980年 | 3篇 |
1979年 | 2篇 |
1973年 | 1篇 |
1963年 | 1篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 31 毫秒
1.
采用直流磁控溅射和后退火氧化工艺在p型GaAs单晶衬底上成功制备了n-VO_2/pGaAs异质结,研究了不同退火温度和退火时间对VO_2/GaAs异质结性能的影响,并分析其结晶取向、化学组分、膜层质量以及光电特性。结果表明,在退火时间2 h和退火温度693 K下能得到相变性能最佳的VO_2薄膜,相变前后电阻变化约2个数量级。VO_2/GaAs异质结在308 K、318 K和328 K温度下具有较好的整流特性,对应温度下的阈值跳变电压分别为6.9 V、6.6 V和6.2 V,该结果为基于VO_2相变特性的异质结光电器件的设计与应用提供了可行性。 相似文献
4.
5.
7.
8.
9.
回顾了异质结光晶体管(HPT)在近年来的重要进展,综合分析了HPT的工作原理以及影响其性能的主要参数。综述了不同材料制作的HPT的研究现状,得出了目前限制HPT发展的主要因素及当前应重点解决由于基区表面复合等效应导致的增益下降和由于结电容的充放电限制的响应带宽等问题的结论。 相似文献