Dynamic probe of ZnTe(110) surface by scanning tunneling microscopy

The reconstructed surface structure of the II–VI semiconductor ZnTe (110), which is a promising material in the research field of semiconductor spintronics, was studied by scanning tunneling microscopy/spectroscopy (STM/STS). First, the surface states formed by reconstruction by the charge transfer of dangling bond electrons from cationic Zn to anionic Te atoms, which are similar to those of IV and III–V semiconductors, were confirmed in real space. Secondly, oscillation in tunneling current between binary states, which is considered to reflect a conformational change in the topmost Zn–Te structure between the reconstructed and bulk-like ideal structures, was directly observed by STM. Third, using the technique of charge injection, a surface atomic structure was successfully fabricated, suggesting the possibility of atomic-scale manipulation of this widely applicable surface of ZnTe.     

掘进巷道快速过断层施工技术应用

基于四候煤矿3108回风顺槽过F3断层期间,顶板出现严重破碎、下沉现象,提出了俯斜台阶法施工工艺,并对断层破碎带顶板采取MF-2型化学材料注浆加固以及"钢筋锚索网+U29梯形棚"联合支护措施。支护效果检验结果表明,联合支护有效控制了断层破碎区顶板下沉、破碎现象,保证了巷道顶板稳定性。     

MIM隧道发光结的负阻现象

本文介绍了薄膜隧道发光结的基本结构、发光机理，阐述了其Ｉ－Ｖ特性中的负阻现象。简单介绍了ＭＩＭ结构负阻的几种解释，根据热像仪照片和低温测试结果分析，再结合Ｄｅａｒｍａｌｅｙ导电模型，我们提出了ＭＩＭ负阻的物理模型，理论与实验符合较好，最后分析了负阻现象的应用前景。     

中扬子及邻区层序地层与原型盆地演化

中扬子及邻区原型盆地可划分为 9个大层序,其中,1～6大层序由中、古生代海相地层组成;第 7大层序为早、中侏罗纪的陆相沉积;第 8大层序为晚侏罗世的前渊沉积;第 9层序为晚白垩世至第三纪的伸展盆地。震旦纪,中部地区为台地相环境,向南为浅海陆棚环境,向北以陆表海为主;寒武纪至早奥陶世为典型的大陆边缘盆地;中、晚奥陶世至志留纪为裂谷盆地发展阶段;泥盆纪至石炭纪该区发生广泛海侵,与华南海域和太平洋海域多处相连;二叠纪至早、中三叠世为原型盆地的重要转型时期,随着分隔秦岭微板块与扬子板块的勉略古洋盆向东打开,扬子北缘由前期的区域性隆起转变为向北加深的大陆边缘盆地;晚三叠世经历了两次幕式旋回,巴东组沉积时期盆地沉降缓慢,九里岗组沉积时期则较快;早、中侏罗世原型盆地早幕 (早侏罗世)沉积缓慢,晚幕 (中侏罗世)快速沉降,以水下沉积作用为主;晚侏罗世可划分为两大构造演化阶段,早期构造活动相对平静,晚期强烈;晚白垩世至老第三纪,盆地范围缩小,以湖泊、河流体系为主。由此,中扬子及邻区在地质历史时期经历了 4种不同性质的原型盆地,具有幕式充填特征。     

纳米加工和纳米电子器件

介绍了电子束曝光技术、EUV光刻技术和X射线光刻技术的进展;对各种纳米电子器件如单电子器件、共振隧穿器件和分子电子器件的研究现状及面临的主要挑战进行了讨论。     

苏北及邻区前志留基础层的综合地球物理研究

在前新生代油气资源选区评价中，前志留面之下未变质沉积地层（简称前志留基础层）的分布具有重要的参考价值。从提高纵向分辨率的处理和反演技术的应用入手，结合约束条件,利用大地电磁测深数据反演,揭示前志留面等界面的埋深和分布；同时应用小波分析技术，从磁场中分解出区域磁异常，反演结晶基底的埋深。通过这2个界面埋深的差异来分析前志留基础层的分布     

浮栅技术及其应用

介绍了浮栅技术的基本原理及应用情况。井对2种应用了浮栅技术的典型器件-浮栅MOS晶体管和神MOS晶体管做了详细介绍，分析了他们的基本结构和工作原理，以及建立浮栅MOS晶体管的等效模型，并说明了他们的应用情况及存在的不足。     

隧道受震破壞調查分析與修復管理案例

就隧道震後之災損模式進行統計與災損原因研判,並利用數值分析方法研判安全性,就結構加固等改善措施之設計考量作詳細說明;另由於隧道結構物的損壞範圍大,且修復經費受限,必須藉由定期檢测進行長期維護管理,以防範意外發生。於此,利用Vidco-GIS自動化影像地理资訊系統之e化新技術,以動態及靜態影像紀錄隧道災損狀況,同時亦整合建置前期設計、施工圖及定期維護等資料,相關成果以資料庫方式纳入日常維護管理,以有限人力有效率地進行維護管理紀錄並随時掌握現況供作決策之明確參考。     

Modeling Spin-Dependent Transport in InAs/GaSb/AlSb Resonant Tunneling Structures

The Rashba effect resonant tunneling diode is a candidate for achieving spin polarizing under zero magnetic field using only conventional non-magnetic III–V semiconductor heterostructures. We point out the challenges involved based on simple arguments, and offer strategies for overcoming these difficulties. We present modeling results that demonstrate the benefits of the InAs/GaSb/AlSb-based asymmetric resonant interband tunneling diode (a-RITD) for spin filtering applications.     

超薄氧化层中的中性陷阱对隧穿电流的影响和应变诱导漏电流

用数值分析的方法讨论了中性陷阱对超薄场效应晶体管(MOSFET )隧穿电流的影响.中性陷阱引起势垒的变化在二氧化硅的导带中形成一个方形的势阱.对于不同的势垒变化,计算了电子隧穿氧化层厚度为4nm的超薄金属氧化物半导体结构的电流.结果表明,中性陷阱对隧穿电流的影响不能被忽略,中性陷阱的存在使隧穿电流增加,并且通过这个简单的模型能够理解应变诱导漏电流的产生机制.