Three-dimensional and anisotropic numerical analysis of a PEM fuel cell

In this study, the effects of cell temperature and relative humidity on charge transport parameters are numerically analyzed. In order to perform this analysis, three-dimensional and anisotropic numerical models are developed. The numerical models are integrated into the experimental values for anisotropic electrical conductivities, as depending on cell temperature and relative humidity, that were obtained from our previous study. The achieved results indicate that the values of current densities in the in-plane direction increase with increasing cell temperature and relative humidity, while the current densities reach a maximum in the rib regions for both the numerical model at the through-plane direction. The behaviors of electrolyte potentials are similar with changes in the cell temperature and relative humidity. In addition, the cathode electrical potentials in both the in-plane direction and through-plane direction do not change to a considerable amount with increasing cell temperature and relative humidity.     

差分跳频通信系统的特点及性能

文章介绍了一种新型的短波跳频通信技术——差分跳频,分析了差分跳频技术区别于常规跳频技术的主要特点。针对按序列检测的信号接收方法,对差分跳频通信系统在AWGN信道下的性能进行了理论分析,同时做出相应的计算机仿真,证实了差分跳频通信技术和按序列检测方法的结合,使通信系统在AWGN信道下的性能得到了比较显著的提升。     

正确区别教师的职业道德与违法行为

从师德和法律这两个不同的概念入手,剖析现实教学中存在的种种负面行为,这些行为中有违反 道德和违反法律之分.在加强师德教育的同时,应该加强法治教育,应该知道遵守法律是每个公民应尽的义 务,你首先是个好公民,你才可能是个好教师.从这个意义上说,加强师德教育,守法是基础.     

黄河龙口水利枢纽坝基岩体钙质充填夹层地质分析与试验研究

龙口水利枢纽坝基岩体主要由奥陶系中统马家沟组(O2m2)灰岩组成,其中发育有多层软弱夹层。作为其中之一的钙质充填夹层,强度虽不很低,但由于处于坝基下的持力层内,间距不大,发育密集,产状平缓,是坝基浅层抗滑稳定的主要控制因素,因此,在大坝抗滑稳定分析时,应进行分析和研究。     

连续波雷达测距中的解模糊技术

研究连续波雷达测距中的距离模糊问题，分析几种常用解模糊方法的性能，并讨论参差比的选取对测距范围的影响。     

淤泥软基爆炸固结试验研究

对爆炸效应在淤泥软基工程中的应用问题进行了探讨，并首次提出了爆炸在淤泥软基中的分界应力特征以及排水固结及破坏分区的基本模式。为采用动力加速对淤泥软基工程的处理，提供了试验依据，具有实用价值和指导意义。     

600 A IGBT开关电路及其散热系统设计

采用IGBT开关电路，对大功率电阻带进行直流脉宽调制控制，实现了内燃机车大功率直流发电机负载实验中的负载大小的连续调节。为了避免在实验过程中IGBT器件的温度过高，采用独特的双管IGBT结构和双向强迫风冷的散热系统。实验表明该电路运行稳定、可靠。     

多层梯度层InGaAs（P）InPSAGM雪崩光电二极管

本文报道采用液相外延（ＬＰＥ）生长和传统光刻制管工艺研制出引入多层（三层或三层以上）中间能带隙过渡的吸收区、倍增区分离的ＩｎＧａＡｓ（Ｐ）／ＩｎＰ雪崩光电二极管（简称ＩｎＧａＡｓ（Ｐ）／ＩｎＰＳＡＧＭＡＰＤ），其技术指标为：击穿电压ＶＢ＝４０～９０Ｖ；０．９ＶＢ时的暗电流Ｉｄ最小可小于１０ｎＡ；１．３μｍ时光响应度Ｒｅ＝０．６～０．８Ａ／Ｗ，倍增因子Ｍ≥２０（Ｍｍａｘ＞４０），过剩噪声因子Ｆ≌５和较宽频带响应特性。