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以半导体器件二维数值模拟程序Medici为工具,模拟和对比了SiGe pMOS同Si pMOS的漏结击穿电压随栅极偏压、栅氧化层厚度和衬底浓度的变化关系;研究了SiGe pMOS垂直层结构参数硅帽层厚度、SiGe层厚度及Ge剂量和p+ δ掺杂对于击穿特性的影响.发现SiGe pMOS击穿主要由窄带隙的应变SiGe层决定,击穿电压明显低于Si pMOS并随Ge组分增加而降低;SiGe/Si异质结对电场分布产生显著影响,同Si pMOS相比电场和碰撞电离具有多峰值分布的特点;Si帽层及SiGe层参数对击穿特性有明显影响,增加p型δ掺杂后SiGe pMOS呈现穿通击穿机制. 相似文献
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对隔焰炉底铅进行分步真空蒸馏的小型试验结果:第一次蒸馏获得冷凝合金含86.72%Zn的粗锌,将残留合金进行二次蒸馏获得冷凝合金含75.94%Pb的粗铅,Ge、In、Ag富集于最终残留合金中,千克级规模一步蒸馏。在1000℃下恒温180min,真空度66.7~39.9Pa,将Zn、Pb蒸出。残留合金中Ge、In、Ag的含量分别为9.96%、6.67%、8.97%,富集比分别为7.21倍、6.67倍、 相似文献
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锗γ能谱测量中的符合相加修正 总被引:4,自引:1,他引:3
本文介绍了锗γ能谱测量中符合相加修正的原理和方法,给出了修正公式。分别计算了不同几何条件下两个锗探测器对一些放射性核素的符合相加修正因子,估计了符合相加修正因子对活度测量结果的误差贡献。 相似文献
6.
吴兰 《红外与毫米波学报》2002,21(2):87-90
用垂直入射的中红外光束调制非掺杂SiGe/Si量子阱中光致子带间吸收,氩离子激光器作为子带间跃迁的光泵浦源在阱中产生载流子,红外调制光谱用步进式傅立叶变换光谱仪记录,实验中观察到明显的层间干涉效应与子带间跃迁有关的色散效应,理论和实验分析认为样品折射率变化造成的位相调制可以补偿吸收所造成的幅度调制。 相似文献
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文章采用氢氧化钠碱熔试样,经硫酸中和后,在1+1盐酸介质中蒸馏分离锗,使大部分干扰元素经蒸馏分离,并在1+1盐酸介质中用碘酸钾容量法滴定锗。该法滴定终点明显,准确率高。标准回收率为95.52%~105.78%,变异系数为3.18%~4.42%。适用于锗渣中高含量的锗的测定分析。 相似文献
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新型结构的1.3μmGexSi1—x/SiMQW波导探测器的优化设计 总被引:1,自引:1,他引:0
本首次提出了一种新型的环形GexSi1-x/Si波导探测器结构,器件的主体由3μm宽的环形波导构成,器件的输入端是8μm宽的波导,这两部分通过劈形波导过渡连接,各部分经过优化设计,可以同时实现高的耦合效率和高内量子效率,对于器件的材料结构,电学和光学特性进行了仔细的分析与设计,结果表明,优化设计的器件其外量子效率可达28%,比已经报道的直波导探测器的外量子效率提高2-3倍,而上升下降时间仍然保持 相似文献