N-polar GaN基HEMT准二维电荷传输模型仿真

建立了氮极性(N-polar)GaN基HEMT器件的准二维(Quasi-2-D)电荷传输模型,仿真研究了N-polar GaN基HEMT的直流特性。仿真结果表明,不同的极化效应会对输出特性曲线和转移特性曲线产生不同的影响,考虑自发极化效应(Psp)+压电极化效应(Ppe)、只考虑Ppe和只考虑Psp三种情况下的阈值电压分别为:-3.96V、-2.29V和-2.47V,而其对应的峰值跨导则分别为44mS/mm、41.2mS/mm和41.3mS/mm。该模型为N-polar GaN基HEMT器件仿真提供了理论参考。     

电气石的自发极化效应在环境与健康领域的应用

电气石具有永久性自发极化效应，其极化值不受外界电场影响。已经证实电气石颗粒周围存在静电场，而且电气石颗粒能够释放负离子和发射远红外线。利用电气石的这些性质，可将电气石应用于环境与健康领域，如水处理、环保涂料及健康衣料等。因此，电气石是一种很有前景的天然绿色环保材料。     

First-principles study for surface tension and depolarizing effect on ferroelectric properties of BaTiO3 nanowires

The spontaneous polarization in ferroelectric (FE) nanowires (NWs) can be considerably enhanced due to the nanosize confinement by the first-principles calculations. The spontaneous polarization in a fully-relaxed BaTiO₃ NW with 2.0 nm in diameter is 1.18 times higher than that of bulk counterpart. The ferroelectric properties of the wire are found to generally depend on its dimensions through effects of the surface tension and near-surface depolarizing effect. The surface tension seems to be crucial for the giant enhancement of spontaneous polarization.     

提高碱锰电池放电性能的研究进展(上)

碱锰电池的重负荷放电性能既与所使用的各种原材料有关,又取决于碱锰电池的工艺、结构设计以及生产工艺和装备。从碱锰电池制造厂商这方面来考虑,提高产品重负荷放电性能的技术措施着眼点为:①增加电池中活性物的填充量;②降低电池内阻;③改进产品的配方设计和结构设计;④使用添加剂。实际上,上述几个方面往往也是相互关联的。     

铁氧体双模器件的广义理论

铁氧体双模器件包括双模移相器,圆极化移相器,旋转场移相器.双模变极化器等等.其种类繁多,每种器件由若干基本双模段级联而成.每个基本单元上,外加磁场形式各不相同,有四磁极磁化场,纵向磁化场,双磁极磁化场及其混合磁化场.本文拟用统一的理论对其进行处理及分析并引入具体实例使用CAD技术进行计算,从而进一步确认理论的正确性.     

界面极化效应对AlxGa1-xN/GaN异质结pin探测器光电响应的影响

设计了正面入射的探测波长范围限制在326～365nm的AlxGa1-xN/GaN异质结pin光电探测器.利用自洽求解薛定谔-泊松方程计算了AlxGa1-xN/GaN异质结在无极化、完全极化和部分极化的能带图,结合光电响应谱的模拟,分析了界面极化效应对AlxGa1-xN/GaN异质结pin紫外光电探测器响应特性的影响并提出了改善方法.     

流体样品的复电阻率特性测试研究

在实验室对地层中常见的流体样品的复电阻率特性进行了测量，得到了样品电阻率的幅频和相频曲线。根据测量结果分析了不同样品的复电阻率异常特征，讨论了不同流体的极化机理的差异，得出如下结论：①不含矿物杂质的纯净水没有低频极化现象；②只要水中含有矿物质．就可能有离子定向极化和电化学极化效应；③电化学极化的驰豫时间要大干电化学极化效应；④纯原油可产生介电极化现象．介电极化的驰豫时间最长；⑤相位曲线对极化异常反映更敏感。这些研究结果对研究激发极化机理，指导激发极化法找水和找油都具有重要参考价值。     

GaN{11-22}半极性面上生长InGaN/GaN多量子阱的研究

利用选择性横向外延技术生长{11-22}半极性面GaN模板,并利用半极性面模板生长InGaN/GaN多量子阱结构。结果表明,生长出的GaN模板由半极性面{11-22}面和c面组成,多量子阱具有390nm和420 nm的双峰发光特性,局域阴极发光(CL)测试表明390 nm附近的发光峰来源于半极性面上的量子阱发光,而420 nm左右的发光峰源于c面量子阱发光。c面量子阱发光相对于斜面量子阱发光发生显著红移是因为在选择性横向外延生长过程中,In组分相比Ga较易从掩模区域向窗口中心区域迁移,形成了中心高In组分的c面量子阱,而半极性面上InGaN/GaN多量子阱量子限制斯塔克效应相比于极性面会减弱,此外,相同生长条件下半极性面的生长速率低于极性c面的生长速率。     

激光极化法在找水中的应用

从我院找水实践出发，由水－－特殊强极性分子的激发极化效应中探索激电找水机制、方法及注意事项。不同大极距联剖与温纳激电测深配套找水是行之有效的途径，取得很好的社会效益和社会效益。     

CdTe核辐射探测器及其极化效应

为寻找高分辨率、高效率的室温γ、X射线探测器,克服Si(Li)、Ge(Li)探测器只能在液氮温度下工作的缺点,人们对用化合物半导体材料(如CdTe、GaAs、HgI等)制备核辐射探测器产生了浓厚兴趣。由于它们的平均原子序数较高,禁带宽度较大,对γ或X射线的阻止本领大,能在较大的温度范围内工作,即使在室温下也有较高的探测效率和分辨率。