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1.
MBE梯度掺杂GaAs光电阴极激活实验研究 总被引:1,自引:2,他引:1
本文首次利用分子束外延(MBE)生长了多种由体内到表面掺杂浓度由高到低的梯度掺杂反射式GaAs光电阴极材料,并进行了激活实验,结果表明,表面低掺杂浓度适中,外延层厚度2 μm~3 μm以及衬底为重掺杂p型GaAs的梯度掺杂GaAs光电阴极能够获得较高灵敏度.在优化激活工艺的条件下,梯度掺杂GaAs光电阴极获得了1798μA/lm的最高积分灵敏度,比采用同样方法制备的均匀掺杂GaAs光电阴极高30%以上.梯度掺杂GaAs光电阴极表面掺杂浓度较均匀掺杂的低,第一次给Cs时间较长,第一次Cs、O交替时要调整好Cs/O比,并在整个激活过程中保持不变.一个高量子效率梯度掺杂GaAs光电阴极的获得依赖于梯度掺杂结构和激活工艺两个方面的优化. 相似文献
2.
介绍了四极质谱仪在光阴极转移系统中的应用.分别论述了四极质谱仪对光阴极转移系统的检漏原理与方法,并对系统内光阴极有害的主要残气成分进行了分析. 相似文献
3.
高温气冷堆球流检测系统中CsI(Tl)探测器温度影响研究 总被引:1,自引:1,他引:0
为保证球床式高温气冷堆(PB-HTGR)球流检测系统投影数据获取过程中输出信号的稳定性,需对探测模块输出暗电流的稳定性进行分析。本文随机选取了2组CsI(Tl)探测器模块作为研究对象,并专门设计了温度及暗电流的控制和测量装置,分析了模块暗电流的输出特性及其控制要求。实验结果表明:各探测单元输出暗电流随温度的变化呈近似指数变化,且室温下温度波动±2 ℃时第32路单元的暗电流波动达8 pA。因此需对探测系统进行温度控制,同时分析实验数据并结合暗电流稳定性的控制要求,提出检测系统的最佳温控范围为(18~22) ℃,对应的温控精度为(±0.92~±0.21) ℃。 相似文献
4.
Cs、O激活方式对GaAs光电阴极的影响 总被引:1,自引:2,他引:1
利用自行研制的GaAs光电阴极多信息量测试与评估系统,比较了不同Cs、O激活方式下GaAs光电阴极的激活过程、光谱响应特性以及稳定性的差异,发现与传统的Cs源、O源交替断续激活方式相比,Cs源持续,O源断续的激活方式能获得灵敏度更高和稳定性更好的阴极,且阴极的长波响应能力也得到提高.本文利用双偶极层模型对实验现象进行了解释,认为Cs在整个激活过程中处于轻微过量状态有利于获得高性能的GaAs光电阴极,Cs量控制是决定GaAs光电阴极激活工艺好坏的主要因素. 相似文献
5.
6.
7.
8.
本论述了应用紫外线电离法进行SF6气体检测的原理,并阐述了SF6检测仪关键部件的电路结构,同时也简明地叙述了应用软件技术进行非线性处理,零点飘移及仪器标定方法。 相似文献
9.
根据多碱光电阴极制备过程中的光谱响应在0.4 ̄0.5μm之间光电流减少这一事实,分析了Cs处理多碱光电阴极的厚度。结果表明:第一次Cs处理,0.4μm处的光电流由6mA/W下降到3.8mA/W.第二次处理进一步降至1.6mA/W。其主要原因是Cs处理形成的K2CsSb具有一定厚度,光电子在运输过程中由于厚度增加导致散射几率增加,逸出几率下降,从而导致光电发射下降。在Sb、Cs交替后,计算结果表明, 相似文献
10.
建立了一种可用于γ射线能谱分析的CsI(Tl)闪烁体探测器响应函数(DRF)模型,并对0.05~1.5 MeVγ射线能谱进行了拟合。描述γ射线能谱特征的每个函数均是基于对射线作用机制的分析,采用权重最小二乘法实现了22 Na、60 Co、137 Cs、238Pu实验能谱的拟合,并同时得到了函数中与射线能量相关的非线性参数。最后利用该DRF模型对CsI(Tl)探测器测量152 Eu源的γ射线能谱进行了拟合,结果表明,此DRF模型可较好地应用于γ射线能谱的分析。 相似文献