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1.
将环隙式离心萃取器(ACCs)与电喷雾飞行时间质谱(ESI-TOF-MS)相结合,在线监测了回收过程中的钨萃取行为(宏观)和钨形态的转化路径(微观),发现宏观萃取反应和微观离子形态转化同时发生并相互补充。伯胺N1923萃取钨在144 s内即可达到萃取平衡,萃取率高达98%以上,同时,酸钨比n(H)/n(W)是一个关键变量,当酸钨比n(H)/n(W)=2.4时,全流程钨回收率超过93%。最后,得到了基于钨形态监测的萃取机理,同时,减少原料液中W1含量,增加W10含量,可有效提高钨回收效率。 相似文献
2.
A critical review of the current status of tungsten resources, of state-of-the-art processing technology and of product development
in India vis-a-vis the world scenario is presented. An attempt has been made to identify technology gap areas requiring attention. 相似文献
3.
钨基催化剂上钨的分散性和加氢脱氮性能 总被引:3,自引:0,他引:3
采用浸渍法和干混法制备了一系列负载钨的层柱分子筛催化剂 (W /Al-CLM)和对比用的负载钨的γ -Al2 O3催化剂 (W/γ -Al2 O3 )。研究了W/Al-CLM和W /γ -Al2 O3 两种催化剂表面上钨的分散情况 ,测定了W /Al-CLM和W /γ -Al2 O3 两种催化剂的吡啶加氢脱氮微反活性 ,比较了W /Al-CLM和W /γ -Al2 O3 两种催化剂的钨的分散性和加氢脱氮活性 ,分析了规律性。氨水处理可以溶去催化剂上所有晶相钨物种 ,改善了钨物种在载体表面上的分散性 ,催化剂上不溶于氨水并呈单层分散的表面钨物种是加氢脱氮活性中心。 相似文献
4.
钨合金圆筒爆破试验破片分布的统计分析 总被引:1,自引:1,他引:0
采用圆筒爆破试验方法研究了易碎型钨合金的破片分布特征,并与93W合金的结果进行了对比.对破片的数量和质量分布特征进行了统计分析,发现易碎型钨合金的破片率明显高于93W合金,而且破片的均匀性也明显好于93W合金,但易碎钨合金的破片回收率低于93W合金,而且受装药量的影响较大. 相似文献
5.
6.
场激活加压燃烧合成WC-Ni复合材料的工艺参数研究 总被引:1,自引:0,他引:1
以钨、碳和镍为原料,在电场激活下,材料的燃烧合成和致密化同时进行,短时间内完成了碳化钨镍复合材料的制备。研究了场激活 加压燃烧合成中的工艺参数,如脉冲电流、能量控制模式、升温速率、最高温度和压力对反应的影响。测量了在反应合成和致密化前后的样品 收缩率。所制备的复合材料的相对密度,490N载荷下Vickers硬度和断裂韧性分别为99.2%,13.965GPa和5.9MP·m1/2。 相似文献
7.
简述了我国钨矿业概况、现有采选技术水平及钨矿加工利用率 ;从资源配置出发 ,阐述了钨矿业发展存在的几个主要问题 ,并且针对性地提出了可持续发展的几点建议。 相似文献
8.
V. F. Ivanov A. A. Nekrasov K. V. Tcheberiako A. V. Vannikov A. S. Posed'ko S. I. Lishik Yu. V. Trofimov 《Journal of the Society for Information Display》2003,11(1):11-14
Abstract— An all solid‐state photoelectrochromic element (PECE) was developed on the basis of electrochromic layers of WO3 and polyaniline with a layer of polymer electrolyte placed on a base of polyamidosulfoacid, in which a thin‐film CdSxSe1?x photoresistor was used as an electronic key. The dependence of the sensitometric characteristics of the PECE on the applied voltage was studied. 相似文献
9.
Chihiro J. Uchibori Y. Ohtani T. Oku Naoki Ono Masanori Murakami 《Journal of Electronic Materials》1997,26(4):410-414
Significant reduction of the contact resistance of In0.7Ga0.3As/Ni/W contacts (which were previously developed by sputtering in our laboratory) was achieved by depositing a W2N barrier layer between the Ni layer and W layer. The In0.7Ga0.3 As/Ni/W2N/W contact prepared by the radio-frequency sputtering technique showed the lowest contact resistance of 0.2 Ωmm after annealing
at 550°C for 10 s. This contact also provided a smooth surface, good reproducibility, and excellent thermal stability at 400°C.
The polycrystalline W2N layer was found to suppress the In diffusion to the contact surface, leading to improvement of the surface morphology and
an increase in the total area of the InxGa−As between metal and the GaAs substrate. These improvements are believed to reduce the contact resistance. 相似文献
10.
The search for dielectric materials with a high dielectric constant and ′r = ƒ(T) curves with a flat profile fitting the X7R specification is still ongoing. Promising results were obtained by mixing compounds with closely related structures, such as the tetragonal tungsten bronze (TTB) niobate K2Sr4Nb10O30 and the perovskite Pb(Mg1/3Nb2/3)O3 (PMN). The present study, based on three methods of synthesis, explores the origin of the spreading out of the dielectric curves ′r = ƒ(T). For the composition 10x K0.2Sr0.4NbO3 (KSN) + (1 − x)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3 (PMN) with x = 0.3–0.6, the three synthesis methods provided similar characteristics and for the highest perovskite ratio (x = 0.3), the ′r = ƒ(T) curve exhibits a flat profile. When lithium is used as a sintering agent, ′r = ƒ(T) curves present a linear dependency with the temperature. These materials are also characterized by a structural and a microstructural inhomogeneity. Two phases TTB and perovskite type, different from KSN and PMN, are present after calcination and sintering, but not evenly distributed. The PbO loss during sintering also contributes to the evolution of the properties of the material. 相似文献