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1.
在聚全氟乙丙烯(FEP)中添加 TiO_2和 Al_2O_3,通过热压成型的方法制备了 FEP/TiO_2复合材料和 FEP/Al_2O_3复合材料,研究了氧化物添加量对复合材料介电常数、介电损耗和高频击穿性能的影响。结果表明,随氧化物含量的增加,复合材料的介电常数和介电损耗均增加;在同一添加量下,TiO_2对复合体系的介电性能影响较大。FEP/TiO_2复合材料的高频击穿性能随 TiO_2含量的增加而下降,在 TiO_2含量为4.0%(质量分数,下同)时,复合材料的损伤阈值已降为 FEP 材料损伤阈值的48.9 %。而 FEP/Al_2O_3复合材料的高频击穿性能随 Al_2O_3含量的增加而升高,当 Al_2O_3含量为1.2%时,复合材料的损伤阈值已增大到 FEP 材料损伤阈值的2倍,达到313 J/m~2。 相似文献
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4.
对计划用于冲击片雷管的快速高电流开关进行与时间有关的电阻测量。这种开关由铜-聚合物-铜叠层片构成,设计用于在受到爆炸驱动的铜飞片撞击后传导电。我们实验中使用的聚合物膜是Kapton(聚苯均四甲酰亚胺),预计这种膜在9GPa和9GPa以上的压力下具有冲击感应传导性。当这种开关中获得9GPa左右的冲击压力时,没有发现有明显的冲击传导作用。通过观察Teflon(聚四氟乙烯)膜开关同样的电性能进一步证实了 相似文献
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6.
利用宽频介电谱仪拓展热激励去极化电流模块测量介质材料的TSDC操作简单实用,它不仅容易把材料中的各种不同活化能或弛豫时间的荷电粒子区分开,并且能从TSDC谱中直接得出被测材料的介电性能以及相关微观参数,这为研究材料内部机理提供了一条捷径。 相似文献
7.
采用二次固相反应法制备Ba0.7Sr0.3TiO3介电陶瓷,研究了掺杂钴、钇离子对钛酸锶钡介电性能的影响。结果表明,陶瓷样品Y3+、Co3+的最佳掺杂浓度分别为0.04mol%和0.05mol%,最佳烧结温度为1340℃,样品的相对介电常数为4200,介电损耗(tanδ)为0.005。样品的结构为四方晶系,P4mm空间群。获得了高介电常数、低损耗的Ba0.7Sr0.3TiO3介电陶瓷。 相似文献
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9.
本文通过X—射线衍射分析及阻温特性别定等方法研究了SnO2导电陶瓷的晶相组成和电性能与烧成温度的关系。结果表明,随烧成温度提高试样中SnO2金红石型晶体的含量有所增加,试样的材料常数和活化能降低,材料导电性能增强,同时还对导电陶瓷的导电机理进行了探讨。 相似文献
10.
定向BaTiO3晶须/PVDF压电复合材料的制备及性能研究 总被引:1,自引:0,他引:1
以高度定向的BaTiO3晶须作为活性相、聚偏氟乙烯(PVDF)作为基体制备了压电复合材料,研究了该复合材料的介电和电学性能,研究结果表明,以BaTiO3作为活性相的晶须复合材料与粉末复合材料相比,其介电常数(ε)、压电常数(d33)和剩余极化率(Pr)大大提高,而其损耗因子(tanδ)具有相反的趋势,对晶须复合材料,沿晶须定向方向的ε、d33和Pr的值比晶须平行方向要高得多,分析了产生这些差别的原因。 相似文献