热丝辅助ECR CVD制备cBN薄膜

立方氮化硼(cBN)是一种具有广泛应用价值的Ⅲ-Ⅴ族二元化合物，其优异性质可与金刚石相比拟或胜之．立方氮化硼的制备与性能研究是近二十年来材料领域关注的焦点之一．我们用热丝辅助ECR CVD方法制备了cBN薄膜，并初步探讨了热丝对cBN形成的作用．偏压并不是cBN形成的唯一主要条件，活性粒子也有非常关键的作用．     

微波电子回旋共振等离子体技术及其应用

微波电子回旋共振等离子体是淀积薄膜、微细加工和材料表面改性的一种重要手段。由于这种等离子体电离水平高,化学活性好,可以用来实现基片上薄膜的室温化学气相淀积和反应离子刻蚀,因此对于微电子学、光电子学和薄膜传感器件的发展,这种等离子体会具有重要的意义。此外,采用微波电子回旋共振等离子体原理,没有灯丝的离子源可以提高离子源的使用寿命,可以增加离子束的束流密度。可以确信,微波电子回旋共振等离子体的发展,将把离子源技术提高到一个新的水平。显然,这必将对材料表面改性工艺,包括离子注入掺杂等工艺的发展发挥作用。自从1985年以来,为了得到大容积等离子体而发展了微波电子回旋共振多磁极等离子体,这些技术在薄膜技术、微细加工以及材料表面改性中的应用前景是乐观的。我们将在本文中,介绍微波电子回旋共振等离子体的原理及其应用。     

真空波导磁场控制型ECR溅射法的实验研究

微波电子回旋共振（delectroncyclotronresonance．ECR）等离子体溅射法是能在低温下制备高质量薄膜的最新镀膜技术．在该技术中,微波输入窗口易受金属粒子污染,导致微波在窗口反射,从而影响装置的正常工作。本文初步探讨了在ECR溅射装置中．采用真空波导与共振腔连成一体,在连接处配置磁轭（纯铁）．通过改变共振腔与波导连接处的磁场分布,能有效的避免微波窗口污染的技术途径,并较细致的研究了该装置的放电特性。     

微波电子回旋共振等离子体溅射法沉积ZnO薄膜

ＺｎＯ薄膜具有强的压电和光电效应，广泛用于制作各种声电和声光器件中．本文报道了用微波ＥＣＲ等离子体溅射法沉积了ＺｎＯ薄膜，并研究了该法制备ＺｎＯ膜的工艺．结果表明，所形成的ＺｎＯ膜的性质强烈地依赖于溅射沉积条件．     

用ECR氮等离子对纳米TiO2薄膜光谱响应改性的研究

采用ECR氮等离子对纳米TiO2薄膜表面进行氮注入处理来改善纳米TiO2催化剂的光谱响应范围。处理后表面颜色变成微黄色，说明氮离子已注入到TiO2薄膜里；AFM观察处理前后的薄膜，发现表面形貌没有很大改变；紫外—可见光谱分析结果表明，TiO2薄膜催化剂的光谱响应红移了12—18nm；通过不同功率、不同处理时间研究显示，在微波功率为400W、处理60min改性效果最理想。     

一种新颖的电子商务模式:高效消费者响应系统

ECR系统是降低快速消费品行业物流成本的有效途径。该文简要分析了ECR系统实现的关键及难点:以著名学者T.Poggio和S.Smale提出的学习理论的一个关键算法(Akeyalgorithm)为基础,进一步提出一种在预测中集成行业背景知识与高阶推理的方法,成功解决销售滚动预测问题;提出了ECR系统的最优化发货策略及其实现方法。基于上述方案,以某大型乳业公司和某大型连锁超市之间业务关系为背景,构建了一种无纸、自动化的新型电子商务模式,能够有效降低物流成本。     

电连接器微动腐蚀损伤行为与机理研究综述

电连接器在服役期间,其电接触界面很容易受到振动和微位移的影响,并在腐蚀气氛的作用下,产生微动腐蚀损伤.当接触电阻值(Electrical contact resistance,ECR)超过一定阈值时,即判定为接触失效.人们对电接触微动腐蚀问题的认识过程是随着工业社会的发展和研究手段的进步而不断逐步深入的,因此从行为和机理两个方面综述了微动腐蚀研究的发展和现状.为了降低ECR,提高电接触的耐久性,研究人员围绕材料、镀层种类和厚度、接触力、振幅、频率、温度、相对湿度、气体氛围等因素对微动腐蚀的影响做了大量的试验和分析工作,介绍了其中比较活跃的研究团队以及他们的主要工作.分别详细介绍了Antler和Bryant描述的微动腐蚀模型,4种不同微动滑移状态的产生机制和微观形貌分析,进而对ECR产生的影响.由于电连接器受到振动应力、温度应力和电应力的综合作用,在内部接触件上发生电-热-机械多物理场耦合作用,故综述了材料性能与行为、接触条件和环境条件3个方面10个因素的影响作用.还归纳总结了应用于电接触微动腐蚀研究的主要方法,最后从多因素耦合作用、海洋环境影响和射频连接器应用3个角度探讨了未来研究的重点方向.     

ECR微波等离子体对单晶金刚石表面的碳纳米墙修饰

利用电子回旋共振(ECR)微波等离子体,在CH₄/H₂体系下,对高温高压单晶金刚石表面进行了碳纳米墙修饰。通过等离子体发射光谱研究ECR等离子体内基团的谱线强度在不同工作气压、CH₄浓度下的变化规律,结合扫描电子显微镜对单晶金刚石表面的微观形貌进行分析,进一步研究了工作气压和CH₄浓度对碳纳米墙修饰结果的影响。结果表明:碳纳米墙的取向性受工作气压影响大,低气压(0.07 Pa)条件下生长的碳纳米墙垂直取向明显,金刚石表面也出现垂直刻蚀形貌;在高气压(5 Pa)条件下生长的碳纳米墙取向性较差。同时,碳纳米墙生长的临界CH₄浓度也与工作气压有关:低气压条件下碳纳米墙生长的临界CH₄浓度高,工作气压为0.07 Pa时,碳纳米墙生长的临界CH₄浓度为3%;工作气压升至5 Pa时,碳纳米墙生长的临界CH₄浓度降为1%,碳纳米墙密度随CH₄浓度升高而增大。      

脉冲负偏压对沉积类金刚石薄膜结构和摩擦性能的影响

在不同的基台脉冲负偏压下,利用微波-ECR等离子体化学气相沉积技术在单晶硅表面制备了类金刚石薄膜,利用傅立叶变换红外吸收光谱和原子力显微镜对薄膜的结构和形貌进行了表征,最后对薄膜的摩擦系数进行了测试.结果表明:制备的薄膜具有典型的含H类金刚石结构特征,薄膜致密均匀,表面粗糙度很小.随着负偏压的增大,红外光谱中2800-3000 cm-1波段的C-H伸缩振动吸收峰的强度先升高后降低,并在负偏压为200 V时达到最大;薄膜的摩擦系数而是先降低再升高,在负偏压为200 V时达到最小.     

Bended probe diagnostics of the plasma characteristics within an ECR ion source with a rectangular waveguide

To reveal the argon plasma characteristics within the entire region of an electron cyclotron resonance(ECR) ion source, the plasma parameters were diagnosed using a bended Langmuir probe with the filament axis perpendicular to the diagnosing plane. Experiments indicate that,with a gas volume flow rate and incident microwave power of 4 sccm and 8.8 W, respectively,the gas was ionized to form plasma with a luminous ring. When the incident microwave power was above 27 W, the luminous ring was converted to a bright column, the dark area near its axis was narrowed, and the microwave power absorbing efficiency was increased. This indicates that there was a mode transition phenomenon in this ECR ion source when the microwave power increased. The diagnosis shows that, at an incident microwave power of 17.4 W, the diagnosed electron temperature and ion density were below 8 eV and 3?×?10~(17) m~(-3), respectively, while at incident microwave power levels of 30 W and 40 W, the maximum electron temperature and ion density were above 11 eV and 6.8?×?10~(17) m~(-3), respectively. Confined by magnetic mirrors, the higher density plasma region had a bow shape, which coincided with the magnetic field lines but deviated from the ECR layer.