非接触式半导体少子寿命测试方法——微波反射法

介绍了一种非接触式用于测量少子寿命的微波反射法，并与通常的光电导衰退法进行了比较。     

基于微波光电导衰退法的新型少子寿命测量仪

本文在传统微波光电导衰退法的基础上,提出了一种可用于测量半导体少数载流子寿命的新型少子寿命测量仪。通过增加频移器和混频器,对高频微波探测信号进行调制和解调,得到包含了样品少子浓度信息的低频信号。同时介绍了测量仪的基本原理和测量装置的结构,并分别对仪器内部的微波源、激光器、频移器和混频器的原理和参数选择进行了探讨。实验表明:测量结果波形与理论预期波形相吻合,证实了测量仪的可行性;新的测量仪保持了传统方法非接触、无损伤的优点,并降低了系统检测设备的性能要求,提高了测量信噪比。     

高效单晶硅太阳电池基区结构设计与参数优化

首先利用TCAD半导体器件仿真软件全面系统地分析了在不同少子寿命的情况下,基区电阻率对常规P型单晶硅太阳电池输出特性的影响。然后基于对仿真结果的分析,提出一种具有非均匀基区的单晶硅太阳电池结构,并对其输出特性进行了仿真研究。结果表明:当少子寿命一定时,存在最优的基区电阻率,使得常规电池的转换效率最大;随着少子寿命的减小,电池最优的基区电阻率减小;提高基区电阻率有利于常规电池长波段量子效率和短路电流的提高,但同时会降低电池的开路电压和填充因子;当少子寿命较低时,非均匀基区结构不具有提高常规电池转换效率的作用。但当少子寿命增大到一定值时,通过优化非均匀基区的表面浓度,非均匀基区结构可有效改善常规电池的电学性能。     

俄歇复合对同质结InGaAs探测器探测率的影响

通过对InGaAs材料的俄歇(Auger)复合机制的理论分析,给出了少子寿命与材料组分、温度和载流子浓度的关系,从而得到材料参数等对InGaAs探测器的探测率影响的结果,优化材料参数和器件结构可抑制Auger复合机制,提高InGaAs探测器的探测率.     

半导体材料少子寿命测试仪的研制开发

少数载流子寿命(简称少子寿命)是半导体材料的一项重要参数，它对半导体器件的性能、太阳能电池的效率都有重要的影响。我们采用微波反射光电导衰减法研制了一台半导体材料少子寿命测试仪，本文将对测试仪的实验装置、测试原理及程序计算进行了较详细的介绍，并与国外同类产品的测试进行比较，结果表明本测试仪测试结果准确、重复性高，适合少子寿命的实验室研究和工业在线测试。     

光伏型长波HgCdTe红外探测器的数值模拟研究

报道了光伏型长波Hg1-xCdxTe(x=0.224)n-on-p红外探测器数值模拟研究的结果.采用二维模型,在背照射方式下,以p区厚度、两电极间距离、结区杂质浓度分布、少子寿命为参量,模拟计算了R0A积、零偏光电流与这些参量之间的变化关系.计算表明,随p区厚度增加,R0A积下降;R0A积随电极之间距离增大而增加,但量子效率随距离增大而降低,电极之间最佳距离大约为100μm;R0A积和光电流对结区杂质浓度分布形状不敏感;随少子(电子)寿命降低,R0A积和光电流下降.二维模型弥补了一维模型难以计算横向电流、电场的缺点.     

脉冲光激励对少数载流子寿命的理论分析

主要从理论上研究脉冲光信号激励对少数载流子寿命测试结果的影响.通过研究两种理想的脉冲光源--高斯脉冲、方脉冲与理想δ函数光源产生的光电导衰减曲线的对比,发现对于高斯脉冲光源,只有在脉宽的条件下才可等效于δ函数光源;而脉宽的方脉冲才能等效为δ函数光源.否则脉冲光过长的脉宽和下降沿将对光电导衰减曲线中进一步分离出的表面复合速度和少子体寿命结果造成误差.若样品受表面状况影响较小时(如体寿命较低或表面复合速度低时),则可对两种理想脉冲光源的要求适当放宽.     

电子辐照GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池少子寿命的变化

为研究电子辐照空间太阳电池的损伤机制,对电子辐照GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池进行了光致发光谱测量,分析了GaInP顶电池及GaAs中间电池发光强度随电子注量的变化规律。利用辐射效率关系对归一化发光强度随电子辐照注量的变化进行了拟合,分别得到了GaInP顶电池及GaAs中间电池在不同辐照条件下的少子非辐射复合寿命τ_nr,通过对比辐照前后少子非辐射复合寿命的衰降变化,发现GaInP顶电池的抗辐照性能优于GaAs中间电池。     

光致发光PL技术在硅块检测中的应用

光致发光影像PL Imping技术应用在硅块检测方面已经开发出来，这项技术可以把掺硼铸锭硅块以高解析度，在极短时间内量测得到每一面的PL Imping影像。这些影像按照体少子寿命（τbulk）变化进行分析，并且针对类稳态光导（QSSPC）及微波光导量测技术（μ－PCD）进行比较，证明可以作为硅块分析工具。我们证明在辐照均匀下的量测结果不仅符合光伏产业的一个太阳（One Sun）辐照条件，当量测结果具备平均注入条件，更得到一致体少子寿命值测试结果。     

电阻率、光学穿透深度、掺杂浓度、少子寿命的关系

采用电动力学等方法,研究了太阳能多晶硅及多晶硅片的一些重要参数,并围绕着这些参数之间的紧密联系性作了详细计算,为进一步用量子理论方法研究指出了方向。