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1.
采用直流磁控溅射和后退火氧化工艺在p型GaAs单晶衬底上成功制备了n-VO_2/pGaAs异质结,研究了不同退火温度和退火时间对VO_2/GaAs异质结性能的影响,并分析其结晶取向、化学组分、膜层质量以及光电特性。结果表明,在退火时间2 h和退火温度693 K下能得到相变性能最佳的VO_2薄膜,相变前后电阻变化约2个数量级。VO_2/GaAs异质结在308 K、318 K和328 K温度下具有较好的整流特性,对应温度下的阈值跳变电压分别为6.9 V、6.6 V和6.2 V,该结果为基于VO_2相变特性的异质结光电器件的设计与应用提供了可行性。 相似文献
4.
5.
本文对比了不同工艺生产的铜包铝接地块的相关实验参数,综合分析比较认为采用固液融合工艺生产的接地块与采用爆炸焊工艺生产的接地块性能非常类似,采用固液融合工艺生产的接地块也可以用于轨道交通车辆的接地系统。 相似文献
6.
7.
分析了新建城市铁路隧道基本建设特征,进一步得到了近接施工条件下既有桥桩基变形模式,以京张高铁清华园隧道工程为依托,结合实测数据,比较了相同工程环境下钻孔灌注桩防护、门型墩防护、复合锚杆桩防护以及断面预注浆加固防护方法的地表变形与既有桥桩变位结果,分析了各种防护措施的变形控制效果,为相似条件下铁路隧道近接既有桥梁施工防护提供参考。 相似文献
9.
10.
回顾了异质结光晶体管(HPT)在近年来的重要进展,综合分析了HPT的工作原理以及影响其性能的主要参数。综述了不同材料制作的HPT的研究现状,得出了目前限制HPT发展的主要因素及当前应重点解决由于基区表面复合等效应导致的增益下降和由于结电容的充放电限制的响应带宽等问题的结论。 相似文献