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《固体电子学研究与进展》2015,(6)
针对纳米级工艺多指栅MOS晶体管的不同版图结构及其阈值波动的相关特性进行分析和研究。通过将基于Fujitsu 90nm工艺的三种不同版图结构实现的N型多指栅MOSFET器件阈值电压VTH作为工艺波动的研究对象,运用多元非线性回归算法对测试芯片进行系统工艺波动与随机工艺波动的提取和分析,并对与尺寸、版图结构相关的随机工艺波动特性进行了评估。测试结果表明三种版图结构中有源区共有结构具有最佳的电流驱动特性,有源区隔离结构抑制系统波动能力最优,折叠栅结构具有同尺寸器件较低的阈值电压并可以最有效地抑制随机工艺波动。 相似文献
3.
回顾了异质结光晶体管(HPT)在近年来的重要进展,综合分析了HPT的工作原理以及影响其性能的主要参数。综述了不同材料制作的HPT的研究现状,得出了目前限制HPT发展的主要因素及当前应重点解决由于基区表面复合等效应导致的增益下降和由于结电容的充放电限制的响应带宽等问题的结论。 相似文献
4.
墨西哥南部地区面临的挑战之一是水管理.油流中的水增加了其处理费用,导致结垢,降低了采油量,最终关井(与修井费用有关).甚至当产层中仍然含有大量可采油气时,也常常将这些层废弃以避免产水.虽然天然裂缝对油流有积极的作用,但它们也促进了由锥进效应或油气产层和其上或下层段之间的高渗透薄夹层引起的水或气的流动.如果这些油层产水,就会很快影响其生产能力.另一个必须解决的问题是:边水通过断层、天然裂缝等流动引起的早期水突破.本文将讨论墨西哥南部使用经有机交联剂活化的低相对分子质量聚合物的实例,介绍候选对象的选择过程、总体作业设计、实验室试验结果等,以及在这一地区进行的降低产水量处理.实例中包括衰竭、高度裂缝性油藏. 相似文献
5.
《电子工业专用设备》2004,33(7):45-46
日本原子能研究所与独立行政法人产业技术综合研究所(以下简称产综研),日前成功地联合开发出了采用碳化硅半导体底板的晶体管。作为晶体管性能指标的沟道迁移率(电子活动的难易度),突破了实用化所要求的标准 相似文献
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7.
对笔者这一代人来说,玩胆机(即电子管放大器)就象是在补课。我们开始接触音响时,这个世界早就是晶体管的天下了。如果不是因为1990年代束期音响界复古风潮的兴起,今天大行其道的胶木唱盘和早几年已经风靡的胆机是万万不可能再出现于我们面前的。 相似文献
8.
以正硅酸乙酯、钛酸正丁酯和聚乙二醇等为主要原料,采用溶胶-凝胶法成功合成了多孔SiO2-TiO2系块状材料。500℃焙烧2h后材料呈现非晶态结构。引入较多钛量时,使材料的孔径分布变窄、平均孔径下降,但增加了比表面积。在80℃热水中浸泡72小时以后,吸附一脱附曲线的类型和形状几乎没有变化;随着Ti含量的增加,比表面积和孔容积的变化率减小。多孔材料在98℃的20%硫酸溶液中重量损失率随Ti含量变化不大,Ti引入并不能提高材料在酸液中的耐蚀性;但引入Ti使多孔材料在95℃NaOH碱液中的耐蚀性明显改善。 相似文献
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10.
摩尔定律指出,半导体的晶体管数量每18个月至2年翻一番。我们可以把摩尔定律重新阐释为:CPU内核数量每2年翻一番。 相似文献